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BYV32E-200,127 BYV32E-200,127
Produktcode: 149914
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byv32e-200.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Sperrspannung Vrr, V: 200 В
Mittlerer Strom Iav, A: 20 А
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BYV32E-200,127 BYV32E-200,127 WeEn Semiconductors BYV32E-200.pdf _ween_psg2020.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB; tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward impulse current: 137A
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 0.72V
Max. load current: 20A
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Reverse recovery time: 25ns
auf Bestellung 2362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+1.89 EUR
61+1.39 EUR
74+1.15 EUR
88+0.98 EUR
100+0.94 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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BYV32E-200,127 BYV32E-200,127 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited byv32e-200.pdf Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 826 Stücke:
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79+2.17 EUR
129+1.3 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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BYV32E-200,127 BYV32E-200,127 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited byv32e-200.pdf Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 871 Stücke:
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79+2.18 EUR
129+1.27 EUR
500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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BYV32E-200,127 BYV32E-200,127 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited byv32e-200.pdf Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 662 Stücke:
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163+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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BYV32E-200,127 BYV32E-200,127 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited byv32e-200.pdf Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 662 Stücke:
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163+1.05 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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BYV32E-200PQ BYV32E-200PQ WeEn Semiconductors BYV32E-200P.pdf Rectifiers Dual Ultrafast Power Diode
auf Bestellung 1618 Stücke:
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1+4.14 EUR
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2000+1.09 EUR
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BYV32E-200 NXP TO220 10+
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BYV32E200 NXP
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BYV32E-200
Produktcode: 22237
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
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BYV32E-200 WeEn Semiconductors BYV32E-200/SIL3P/STANDARD MARK
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BYV32E-200,127 BYV32E-200,127 WeEn Semiconductors BYV32E-200.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 200 V
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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BYV32E-200,127 BYV32E-200,127 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited byv32e-200.pdf Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BYV32E-200,127 BYV32E-200,127 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited byv32e-200.pdf Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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BYV32E-200,127 BYV32E-200,127 WeEn Semiconductors BYV32E-200.pdf Rectifiers FAST DUAL 20A 200V
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BYV32E-200PQ BYV32E-200PQ WeEn Semiconductors BYV32E-200PQ.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; Ifsm: 125A; SOT78,TO220AB; tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward impulse current: 125A
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 0.85V
Max. load current: 20A
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Reverse recovery time: 18ns
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BYV32E-200PQ BYV32E-200PQ WeEn Semiconductors BYV32E-200P.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 8 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 8
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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BYV32E-200PQ BYV32E-200PQ WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited byv32e-200p.pdf Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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BYV32E-200PQ BYV32E-200PQ WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited byv32e-200p.pdf Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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BYV32E-200,127 NXP BYV32E_SERIES_3.pdf DIODE ARRAY 200V 20A TO220AB Діоди та діодні збірки
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Діод випрямний BYV32E-200,127 NXP Діод випрямний BYV32E-200,127 NXP NXP DIODE ARRAY GP 200V 20A TO220AB   Діоди випрямні
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BYV32E-200,127
Produktcode: 149914
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BYV32E-200,127
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Sperrspannung Vrr, V: 200 В
Mittlerer Strom Iav, A: 20 А
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BYV32E-200,127 BYV32E-200.pdf _ween_psg2020.pdf
BYV32E-200,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; Ifsm: 137A; SOT78,TO220AB; tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward impulse current: 137A
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 0.72V
Max. load current: 20A
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Reverse recovery time: 25ns
auf Bestellung 2362 Stücke:
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61+1.39 EUR
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BYV32E-200,127 byv32e-200.pdf
BYV32E-200,127
Hersteller: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 826 Stücke:
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BYV32E-200,127 byv32e-200.pdf
BYV32E-200,127
Hersteller: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 871 Stücke:
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BYV32E-200,127 byv32e-200.pdf
BYV32E-200,127
Hersteller: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 662 Stücke:
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163+1.05 EUR
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BYV32E-200,127 byv32e-200.pdf
BYV32E-200,127
Hersteller: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 662 Stücke:
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163+1.05 EUR
500+0.93 EUR
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BYV32E-200PQ BYV32E-200P.pdf
BYV32E-200PQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Rectifiers Dual Ultrafast Power Diode
auf Bestellung 1618 Stücke:
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100+1.7 EUR
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5000+1.04 EUR
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BYV32E-200
Hersteller: NXP
TO220 10+
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BYV32E200
Hersteller: NXP
auf Bestellung 2100 Stücke:
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BYV32E-200
Produktcode: 22237
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BYV32E-200
Hersteller: WeEn Semiconductors
BYV32E-200/SIL3P/STANDARD MARK
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BYV32E-200,127 BYV32E-200.pdf
BYV32E-200,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY GP 200V 20A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 200 V
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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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BYV32E-200,127 byv32e-200.pdf
BYV32E-200,127
Hersteller: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BYV32E-200,127
Hersteller: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
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BYV32E-200,127
Hersteller: WeEn Semiconductors
Rectifiers FAST DUAL 20A 200V
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BYV32E-200PQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 10Ax2; Ifsm: 125A; SOT78,TO220AB; tube
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward impulse current: 125A
Case: SOT78; TO220AB
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 0.85V
Max. load current: 20A
Heatsink thickness: 1.25...1.4mm
Reverse recovery time: 18ns
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BYV32E-200PQ BYV32E-200P.pdf
BYV32E-200PQ
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 8 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 8
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 200
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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BYV32E-200PQ byv32e-200p.pdf
BYV32E-200PQ
Hersteller: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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BYV32E-200PQ byv32e-200p.pdf
BYV32E-200PQ
Hersteller: WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited
Diode Switching 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Hersteller: NXP
DIODE ARRAY 200V 20A TO220AB Діоди та діодні збірки
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Діод випрямний BYV32E-200,127 NXP
Діод випрямний BYV32E-200,127 NXP
Hersteller: NXP
DIODE ARRAY GP 200V 20A TO220AB   Діоди випрямні
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