Suchergebnisse für "FP25R12KE3" : 10

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FP25R12KE3BPSA1 FP25R12KE3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9545185 Description: IGBT MOD 1200V 40A AG-ECONO2-8
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2-8
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 155 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
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FP25R12KE3BPSA1 FP25R12KE3BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf IGBT Modules 1200 V, 25 A PIM three phase input rectifier IGBT module
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FP25R12KE3BPSA1 FP25R12KE3BPSA1 INFINEON 2211561.pdf Description: INFINEON - FP25R12KE3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 40 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 155W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 40A
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28 Stücke:
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FP25R12KE3
Produktcode: 23975
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FP25R12KE3BPSA1 (IGBT модуль)
Produktcode: 213831
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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FP25R12KE3 Infineon Technologies Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf IGBT Modules 1200V 25A PIM
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FP25R12KE3BOSA1 FP25R12KE3BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9545185 Description: IGBT MOD 1200V 40A 155W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 155 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
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FP25R12KE3BOSA1 FP25R12KE3BOSA1 Infineon Technologies infineonfp25r12ke3dsv0302ende.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 40A 155W 24-Pin ECONO2-5 Tray
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FP25R12KE3BOSA1 FP25R12KE3BOSA1 Infineon Technologies infineonfp25r12ke3dsv0302ende.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 40A 155W 24-Pin ECONO2-5 Tray
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FP25R12KE3BPSA1 FP25R12KE3BPSA1 Infineon Technologies infineonfp25r12ke3dsv0302ende.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 40A 155W 23-Pin ECONO2C Tray
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FP25R12KE3BPSA1 Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9545185
FP25R12KE3BPSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 40A AG-ECONO2-8
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2-8
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 155 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
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FP25R12KE3BPSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 25 A PIM three phase input rectifier IGBT module
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FP25R12KE3BPSA1 2211561.pdf
FP25R12KE3BPSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12KE3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 40 A, 1.7 V, 155 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 155W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 40A
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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FP25R12KE3
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FP25R12KE3 Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200V 25A PIM
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FP25R12KE3BOSA1 Infineon-FP25R12KE3-DS-v03_02-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430a9545185
FP25R12KE3BOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 40A 155W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 155 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
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FP25R12KE3BOSA1 infineonfp25r12ke3dsv0302ende.pdf
FP25R12KE3BOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 40A 155W 24-Pin ECONO2-5 Tray
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 40A 155W 24-Pin ECONO2-5 Tray
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FP25R12KE3BPSA1 infineonfp25r12ke3dsv0302ende.pdf
FP25R12KE3BPSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 40A 155W 23-Pin ECONO2C Tray
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