Suchergebnisse für "G4BC30U" : 14

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
G4BC30U-S IR
auf Bestellung 9150 Stücke:
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IRG4BC30U International Rectifier irg4bc30u.pdf description Transistor IGBT ; 600V; 20V; 23A; 92A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C;   IRG4BC30U TIRG4bc30u
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4BC30U IR irg4bc30u.pdf description 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
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IRG4BC30U2S IR 07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4BC30UD IR 09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRG4BC30U IRG4BC30U
Produktcode: 30172
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IR irg4bc30u.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,95 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 23 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 100 W
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1+3.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4BC30UDPBF
Produktcode: 139998
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IRG4BC30UDPbF.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
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1+3.88 EUR
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IRG4BC30UPBF IRG4BC30UPBF
Produktcode: 52184
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IR irg4bc30upbf-datasheet.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,95 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 23 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 100 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 17/20
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1+2.55 EUR
10+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IGBT IRG4BC30UDPBF IR Транзистор IGBT IRG4BC30UDPBF IR IR Транз. IGBT TO220AB Uces=600V; Ic=23A; Ic=12A(100°C); Pdmax=100W; (з діодом) IRG4BC30UD.pdf Транзистори IGBT
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IRG4BC30U International Rectifier irg4bc30ud.pdf description Транзистори
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IRG4BC30UD International Rectifier irg4bc30ud.pdf IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Транзистори
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IRG4BC30UDPBF International Rectifier IRG4BC30UDPbF.pdf IGBT TO-220 Транзистори
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IRG4BC30UPBF International Rectifier IRSDS13096-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fundamentals-of-power-semiconductors description IGBT 600V 23A 100W TO220AB Транзистори
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G4BC30U-S
Hersteller: IR
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IRG4BC30U description irg4bc30u.pdf
Hersteller: International Rectifier
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 23A; 92A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C;   IRG4BC30U TIRG4bc30u
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
5+8.25 EUR
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IRG4BC30U description irg4bc30u.pdf
Hersteller: IR
09+
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IRG4BC30U2S
Hersteller: IR
07+ TO-263
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IRG4BC30UD
Hersteller: IR
09+
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IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T-DTE.pdf
IKP15N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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23+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRG4BC30U
Produktcode: 30172
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IRG4BC30U
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,95 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 23 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 100 W
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AnzahlPrivatkunde
1+3.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4BC30UDPBF
Produktcode: 139998
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IRG4BC30UDPbF.pdf
Verschiedene Bauteile > Other components 3
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1+3.88 EUR
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IRG4BC30UPBF
Produktcode: 52184
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IRG4BC30UPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,95 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 23 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 100 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 17/20
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1+2.55 EUR
10+2.31 EUR
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Транзистор IGBT IRG4BC30UDPBF IR
Транзистор IGBT IRG4BC30UDPBF IR
Hersteller: IR
Транз. IGBT TO220AB Uces=600V; Ic=23A; Ic=12A(100°C); Pdmax=100W; (з діодом) IRG4BC30UD.pdf Транзистори IGBT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRG4BC30U description irg4bc30ud.pdf
Hersteller: International Rectifier
Транзистори
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IRG4BC30UD irg4bc30ud.pdf
Hersteller: International Rectifier
IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Транзистори
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IRG4BC30UDPBF IRG4BC30UDPbF.pdf
Hersteller: International Rectifier
IGBT TO-220 Транзистори
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IRG4BC30UPBF description IRSDS13096-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: International Rectifier
IGBT 600V 23A 100W TO220AB Транзистори
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