Suchergebnisse für "IRF1010E" : 19

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IRF1010EPBF IRF1010EPBF
Produktcode: 72223
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IR irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210
JHGF: THT
verfügbar: 118 Stück
5 Stück - stock Köln
113 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.68 EUR
10+0.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
65+1.12 EUR
69+1.04 EUR
82+0.87 EUR
100+0.78 EUR
200+0.7 EUR
250+0.68 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTR International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.73 EUR
49+1.47 EUR
58+1.24 EUR
100+1.16 EUR
250+1.06 EUR
500+0.99 EUR
800+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
94+0.77 EUR
100+0.72 EUR
500+0.64 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF International Rectifier Corporation irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description TO-220
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES IR TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES-VB VBsemi 60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRPBF
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZS IR irf1010ez.pdf TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1010EZS International Rectifier IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf1010ez.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a891b01360 MOSFET N-CH 60V 84A Automotive AUIRF1010EZS International Rectifier TAUIRF1010ezs
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E
Produktcode: 24949
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IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 01.12.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
JHGF: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF
Produktcode: 72223
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description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
IRF1010EPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210
JHGF: THT
verfügbar: 118 Stück
5 Stück - stock Köln
113 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.68 EUR
10+0.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
65+1.12 EUR
69+1.04 EUR
82+0.87 EUR
100+0.78 EUR
200+0.7 EUR
250+0.68 EUR
500+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 65
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTR
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.73 EUR
49+1.47 EUR
58+1.24 EUR
100+1.16 EUR
250+1.06 EUR
500+0.99 EUR
800+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
94+0.77 EUR
100+0.72 EUR
500+0.64 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 66
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
Hersteller: International Rectifier Corporation
TO-220
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES-VB
Hersteller: VBsemi
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRPBF
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZS irf1010ez.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1010EZS IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf1010ez.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a891b01360
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 84A Automotive AUIRF1010EZS International Rectifier TAUIRF1010ezs
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E
Produktcode: 24949
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 01.12.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH