Suchergebnisse für "IRF1010E" : 45

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IRF1010EPBF IRF1010EPBF
Produktcode: 72223
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IR irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210
JHGF: THT
verfügbar: 166 Stück
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IRF1010E JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
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IRF1010E JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
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IRF1010E International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
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49+1.46 EUR
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies Infineon-IRF1010E-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
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2+1.78 EUR
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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136+1 EUR
138+0.96 EUR
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10416 Stücke:
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136+1.04 EUR
137+1 EUR
138+0.95 EUR
500+0.87 EUR
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2000+0.67 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 83 Stücke:
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IRF1010ESTR International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+1.86 EUR
46+1.59 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
46+1.59 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.43 EUR
57+1.26 EUR
66+1.09 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
57+1.26 EUR
66+1.09 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies Infineon-IRF1010EZ-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.05 EUR
100+1.03 EUR
500+1 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.77 EUR
125+1.09 EUR
126+1.04 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 80
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IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
383+1.38 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 383
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
383+1.38 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 383
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IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.44 EUR
105+1.3 EUR
154+0.85 EUR
200+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 99
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IRF1010EPBF International Rectifier Corporation irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description TO-220
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF1010ES IR TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1010ES-VB VBsemi 60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IRF1010ESTRPBF
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1010EZS IR irf1010ez.pdf TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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AUIRF1010EZS International Rectifier IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf1010ez.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a891b01360 MOSFET N-CH 60V 84A Automotive AUIRF1010EZS International Rectifier TAUIRF1010ezs
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRF1010E
Produktcode: 24949
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IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 01.12.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF1010E IRF1010E Infineon / IR Infineon-IRF1010E-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF
Produktcode: 72223
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description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
IRF1010EPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210
JHGF: THT
verfügbar: 166 Stück
5 Stück - stock Köln
161 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.68 EUR
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IRF1010E
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 30
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IRF1010E
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04
IRF1010EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF1010EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.46 EUR
64+1.12 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description Infineon-IRF1010E-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.78 EUR
10+1.1 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.03 EUR
2000+0.93 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
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IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
390+1.36 EUR
500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 390
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 83 Stücke:
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IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
135+1.05 EUR
136+1 EUR
138+0.96 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.67 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 135
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IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Anzahl Preis
79+1.79 EUR
100+1.65 EUR
250+1.53 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+1.04 EUR
137+1 EUR
138+0.95 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.67 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
390+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 390
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTR
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
46+1.59 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
46+1.59 EUR
79+0.92 EUR
82+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7
IRF1010EZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
57+1.26 EUR
66+1.09 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7
IRF1010EZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
57+1.26 EUR
66+1.09 EUR
114+0.63 EUR
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description Infineon-IRF1010EZ-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF1010EZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.71 EUR
10+1.05 EUR
100+1.03 EUR
500+1 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
IRF1010EZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
80+1.77 EUR
125+1.09 EUR
126+1.04 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
IRF1010EZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
IRF1010EZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
383+1.38 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 383
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
IRF1010EZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
IRF1010EZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
383+1.38 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 383
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
IRF1010EZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
99+1.44 EUR
105+1.3 EUR
154+0.85 EUR
200+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
Hersteller: International Rectifier Corporation
TO-220
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES-VB
Hersteller: VBsemi
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRPBF
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZS irf1010ez.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF1010EZS IRSDS10898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf1010ez.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a891b01360
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 84A Automotive AUIRF1010EZS International Rectifier TAUIRF1010ezs
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+4.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E
Produktcode: 24949
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 01.12.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/130
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E Infineon-IRF1010E-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF1010E
Hersteller: Infineon / IR
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
IRF1010EZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH