Suchergebnisse für "IRF1010E" : 39

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF1010EPBF IRF1010EPBF
Produktcode: 72223
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IR irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 84 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 65 St.
  • 65 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.12 EUR
10+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E IRF1010E JSMicro Semiconductor TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E IRF1010E International Rectifier TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E IRF1010E JSMicro Semiconductor TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.62 EUR
75+1.14 EUR
84+1.02 EUR
100+0.95 EUR
250+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.02 EUR
10+2.12 EUR
100+1.7 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.21 EUR
5000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.7 EUR
105+1.62 EUR
117+1.4 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.92 EUR
5000+0.83 EUR
10000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
93+2.51 EUR
115+1.87 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
390+1.69 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.13 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.69 EUR
106+1.65 EUR
118+1.45 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.07 EUR
2000+1.01 EUR
5000+0.95 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
390+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.56 EUR
115+1.52 EUR
126+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.56 EUR
115+1.49 EUR
126+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.95 EUR
100+1.83 EUR
250+1.73 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.13 EUR
2000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES-VB IRF1010ES-VB VBsemi TIRF1010es_VBS_x_VBSEMI.pdf 60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTR International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 83675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.03 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.63 EUR
10000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.03 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.63 EUR
10000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.03 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Gate charge: 58nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 84A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010EZ_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.29 EUR
5000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.09 EUR
104+1.64 EUR
115+1.43 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Infineon Technologies irf1010ezpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.09 EUR
104+1.68 EUR
115+1.49 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON INFN-S-A0012838805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 8500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 1531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.8 EUR
89+2.62 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES IR TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRPBF
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZS IR irf1010ez.pdf TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E
Produktcode: 24949
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 84 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/130
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF International Rectifier/Infineon irf1010epbf_IR.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF International Rectifier irf1010epbf.pdf description TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESPBF International Rectifier irf1010espbf.pdf description D2PAK (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF International Rectifier irf1010ezpbf.pdf description TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZSPBF International Rectifier irf1010ezpbf.pdf D2PAK (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF
Produktcode: 72223
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
IRF1010EPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 84 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 65 St.
  • 65 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.12 EUR
10+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf
IRF1010E
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf
IRF1010E
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf
IRF1010E
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+1.62 EUR
75+1.14 EUR
84+1.02 EUR
100+0.95 EUR
250+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
auf Bestellung 2548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.02 EUR
10+2.12 EUR
100+1.7 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.21 EUR
5000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+1.7 EUR
105+1.62 EUR
117+1.4 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.92 EUR
5000+0.83 EUR
10000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010EPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
auf Bestellung 723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.88 EUR
93+2.51 EUR
115+1.87 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
390+1.69 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.13 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 12097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+1.69 EUR
106+1.65 EUR
118+1.45 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.07 EUR
2000+1.01 EUR
5000+0.95 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
390+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 390 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+1.56 EUR
115+1.52 EUR
126+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+1.56 EUR
115+1.49 EUR
126+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+1.95 EUR
100+1.83 EUR
250+1.73 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.13 EUR
2000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES-VB TIRF1010es_VBS_x_VBSEMI.pdf
IRF1010ES-VB
Hersteller: VBsemi
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec TIRF1010es VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTR
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+4 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 83675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
325+2.03 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.63 EUR
10000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
325+2.03 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.63 EUR
10000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
325+2.03 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Gate charge: 58nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 84A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description Infineon_IRF1010EZ_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF1010EZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.13 EUR
10+2 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.29 EUR
5000+1.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
IRF1010EZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.09 EUR
104+1.64 EUR
115+1.43 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
IRF1010EZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.09 EUR
104+1.68 EUR
115+1.49 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description INFN-S-A0012838805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010EZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010EZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 84 A, 8500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 1531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.8 EUR
89+2.62 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESTRPBF
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZS irf1010ez.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E
Produktcode: 24949
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 84 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/130
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf7341pbf.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf1010epbf_IR.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf1010epbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ESPBF description irf1010espbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
D2PAK (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
D2PAK (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH