Suchergebnisse für "IRF1010E" : 16

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF1010EPBF IRF1010EPBF
Produktcode: 72223
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IR infineon-irf1010e-datasheet-en.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 84 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 59 St.
  • 59 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.12 EUR
10+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E IRF1010E International Rectifier TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF1010E JSMICRO JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF1010E JSMICRO JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF1010ES smd International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ESTR TIRF1010es
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec VBsemi 60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TIRF1010es VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF1010ES IR TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1010ESTRPBF
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1010EZS IR irf1010ez.pdf TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1010E
Produktcode: 24949
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IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 84 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/130
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF International Rectifier/Infineon irf1010epbf_IR.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF1010EPBF International Rectifier irf1010epbf.pdf description TO-220 Транзистори
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IRF1010ESPBF International Rectifier irf1010espbf.pdf description D2PAK (SMD) Транзистори
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IRF1010EZPBF International Rectifier irf1010ezpbf.pdf description TO-220AB Транзистори
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IRF1010EZSPBF International Rectifier irf1010ezpbf.pdf D2PAK (SMD) Транзистори
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IRF1010EPBF
Produktcode: 72223
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description infineon-irf1010e-datasheet-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 84 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 59 St.
  • 59 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.12 EUR
10+1.92 EUR
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IRF1010E TIRF1010_JSM_JSMSEMI_0001.pdf
IRF1010E
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E JSMICRO
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010E JSMICRO
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF1010ES smd
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ESTR TIRF1010es
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES-VB TO-263 VBsemi Elec
Hersteller: VBsemi
60V 150A 220W 4mOhm@10V 4V@250uA 1 N-Channel TO-263(D2PAK) MOSFETs IRF1010ES-VB TIRF1010es VBS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010ES
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1010ESTRPBF
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZS irf1010ez.pdf
Hersteller: IR
TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da68861885
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1010E
Produktcode: 24949
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 84 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/130
Montage: THT
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IRF1010EPBF description irf1010epbf_IR.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 84 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3210 @ 25, Qg, нКл = 130 @ 10 В, Rds = 12 мОм @ 50 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF1010EPBF description irf1010epbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF1010ESPBF description irf1010espbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
D2PAK (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF1010EZPBF description irf1010ezpbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF1010EZSPBF irf1010ezpbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
D2PAK (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH