Suchergebnisse für "IRF7309" : 23
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF7309PBF Produktcode: 36562
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 4.7(3.5) Rds(on), Ohm: 0.05(0.1) Ciss, pF/Qg, nC: 520/25 Bem.: N+P JHGF: SMD |
auf Bestellung 231 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal) Produktcode: 45192
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 4 Rds(on), Ohm: 01.05.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 520/25 Bem.: P/N Kanal 2 in 1 JHGF: SMD ZCODE: 8541290010 |
verfügbar: 12 Stück
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IRF7309 | Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.05/0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.05/0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2469 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 16038 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309QTRPBF | IOR |
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auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF7309TRPBF | International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 1270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF7309TRPBF | International Rectifier Corporation |
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auf Bestellung 4455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IRF7309TRPBF/IR | IR | 08+; |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
Транзистор IRF7309PBF | IR | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm |
auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7309 Produktcode: 19215
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: SO-8 Uds,V: 30 Idd,A: 4 Rds(on), Ohm: 01.05.2000 Bem.: N+P (3A) JHGF: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7309TRPBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AUIRF7309QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.05/0.1Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 16.7nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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AUIRF7309QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.05/0.1Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 16.7nC Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRF7309PBF Produktcode: 36562
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Lieblingsprodukt
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![]() |
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
auf Bestellung 231 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.57 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal) Produktcode: 45192
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 Stück
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.35 EUR |
IRF7309 | ![]() |
Hersteller: Infineon
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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15+ | 1.91 EUR |
IRF7309TRPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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58+ | 1.24 EUR |
85+ | 0.85 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
154+ | 0.46 EUR |
1000+ | 0.45 EUR |
IRF7309TRPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2469 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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58+ | 1.24 EUR |
85+ | 0.85 EUR |
146+ | 0.49 EUR |
154+ | 0.46 EUR |
1000+ | 0.45 EUR |
IRF7309TRPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
auf Bestellung 16038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 1.71 EUR |
10+ | 1.14 EUR |
100+ | 0.8 EUR |
500+ | 0.62 EUR |
1000+ | 0.57 EUR |
2000+ | 0.52 EUR |
4000+ | 0.45 EUR |
IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4000+ | 0.32 EUR |
IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4000+ | 0.4 EUR |
8000+ | 0.38 EUR |
12000+ | 0.36 EUR |
20000+ | 0.29 EUR |
IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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4000+ | 0.4 EUR |
8000+ | 0.38 EUR |
12000+ | 0.36 EUR |
20000+ | 0.29 EUR |
IRF7309TRPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
241+ | 0.6 EUR |
272+ | 0.51 EUR |
310+ | 0.43 EUR |
500+ | 0.37 EUR |
IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
4000+ | 0.36 EUR |
IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
272+ | 0.53 EUR |
310+ | 0.45 EUR |
500+ | 0.39 EUR |
IRF7309QTRPBF |
![]() |
Hersteller: IOR
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: International Rectifier Corporation
(SO-8)
(SO-8)
auf Bestellung 4455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7309TRPBF/IR |
Hersteller: IR
08+;
08+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор IRF7309PBF |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.86 EUR |
10+ | 1.65 EUR |
100+ | 1.48 EUR |
IRF7309 Produktcode: 19215
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Bem.: N+P (3A)
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Bem.: N+P (3A)
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF7309TRPBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF7309QTR |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
AUIRF7309QTR |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH