Suchergebnisse für "IRF7309" : 26

Art der Ansicht :
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF7309PBF IRF7309PBF
Produktcode: 36562
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IR irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
auf Bestellung 122 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal) IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)
Produktcode: 45192
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IR irf7309pbf-1-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 Stück
1+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309 Infineon description N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309PBF IR irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D362A89F7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7309pbf.pdf?ci_sign=0e8c5129e3b87970c95a289d54aff0ba7db3c46c description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+0.97 EUR
90+0.8 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D362A89F7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7309pbf.pdf?ci_sign=0e8c5129e3b87970c95a289d54aff0ba7db3c46c description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3796 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
74+0.97 EUR
90+0.8 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-3362942.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
auf Bestellung 19723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.49 EUR
10+1.12 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.52 EUR
8000+0.48 EUR
12000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.52 EUR
8000+0.48 EUR
12000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 286
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.55 EUR
286+0.48 EUR
312+0.43 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 262
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.67 EUR
200+1.02 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309QTRPBF IOR IRF7309QPBF.pdf
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF International Rectifier Corporation irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description (SO-8)
auf Bestellung 4480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF International Rectifier/Infineon irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF/IR IR 08+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309 IRF7309
Produktcode: 19215
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

IR IRF7309.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Bem.: N+P (3A)
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7309QTR AUIRF7309QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D741EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7309q.pdf?ci_sign=22ef9c2ac4bfdc45d4b48d901ef86cafc5fe8476 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7309QTR AUIRF7309QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D741EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7309q.pdf?ci_sign=22ef9c2ac4bfdc45d4b48d901ef86cafc5fe8476 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309PBF
Produktcode: 36562
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
auf Bestellung 122 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.57 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)
Produktcode: 45192
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf7309pbf-1-datasheet.pdf
IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 Stück
Anzahl Preis
1+0.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309 description
Hersteller: Infineon
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D362A89F7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7309pbf.pdf?ci_sign=0e8c5129e3b87970c95a289d54aff0ba7db3c46c
IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
90+0.8 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D362A89F7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7309pbf.pdf?ci_sign=0e8c5129e3b87970c95a289d54aff0ba7db3c46c
IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3796 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
74+0.97 EUR
90+0.8 EUR
146+0.49 EUR
154+0.46 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 74
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-3362942.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
auf Bestellung 19723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.49 EUR
10+1.12 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.52 EUR
8000+0.48 EUR
12000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7309TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.52 EUR
8000+0.48 EUR
12000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
286+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 286
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
262+0.55 EUR
286+0.48 EUR
312+0.43 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 262
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
116+1.67 EUR
200+1.02 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309QTRPBF IRF7309QPBF.pdf
Hersteller: IOR
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Hersteller: International Rectifier Corporation
(SO-8)
auf Bestellung 4480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Hersteller: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF/IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309
Produktcode: 19215
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description IRF7309.pdf
IRF7309
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Bem.: N+P (3A)
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7309QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D741EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7309q.pdf?ci_sign=22ef9c2ac4bfdc45d4b48d901ef86cafc5fe8476
AUIRF7309QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF7309QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D741EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7309q.pdf?ci_sign=22ef9c2ac4bfdc45d4b48d901ef86cafc5fe8476
AUIRF7309QTR
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH