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IRF7309PBF

IRF7309PBF

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Produktcode: 36562
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7(3,5) A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05(0,1) Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 520/25
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung 99 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRF7309PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:4A
  • On State Resistance:0.05ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id N Channel 2:4A
  • Cont Current Id P Channel:3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance N Channel:0.05ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.1ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Max Voltage Vds P Channel:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Pin Configuration:c
  • Pin Format:1 S1
  • 2 G1
  • 3 S2
  • 4 G2
  • 5 D2
  • 6 D2
  • 7 D1
  • 8 D1
  • Power Dissipation:1.4W
  • Power Dissipation P Channel 2:1.4W
  • Power Dissipation Pd:1.4W
  • Pulse Current Idm:16A
  • Pulse Current Idm N Channel 2:16A
  • Pulse Current Idm P Channel:12A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7309

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7309PBF Infineon irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Транзистори
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IRF7309PBF IRF7309PBF Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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IRF7309PBF International Rectifier irf7309pbf.pdf description SO-8 Транзистори
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IRF7309PBF International Rectifier/Infineon irf7309pbf.pdf description Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7309PBF IRF7309PBF Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-1732483.pdf description MOSFETs 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
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IRF7309PBF Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Tube
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 Mindestbestellmenge: 3800 Stücke
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IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Транзистори
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IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
SO-8 Транзистори
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IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7309PBF description Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-1732483.pdf
IRF7309PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Tube
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1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
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1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 3605 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.29 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
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2,2uF 63V ECR 5x11mm (ECR2R2M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
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ECR_081225.pdf
2,2uF 63V ECR 5x11mm (ECR2R2M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2,2 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 5110 St.
  • 185 St. - stock Köln
  • 4925 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 268 St.
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    10+0.043 EUR
    100+0.033 EUR
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    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7316
    Produktcode: 3743
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		irf7316.pdf
    IRF7316
    Hersteller: IR
    Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SO-8
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
    Drain-Strom Id, A: 4,9 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,058 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 710/23
    Anmerkung: 2P
    Montage: SMD
    auf Bestellung 202 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.88 EUR
    10+0.77 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    10uF 35V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR100M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
    Produktcode: 13475
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    		EXR_080421.pdf
    10uF 35V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR100M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
    Hersteller: Hitano
    Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
    Kapazität: 10 µF
    Nennspannung: 35 V
    Reihe: EXR
    Typ: niedrige Impedanz
    Temperaturbereich: -40...+105°C
    Abmessungen: 5x11 mm
    Lebensdauer: 2000 Stunden
    Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
    verfügbar: 2876 St.
    • 179 St. - stock Köln
    • 2697 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.31 EUR
    10+0.26 EUR
    100+0.23 EUR
    1000+0.024 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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    Hersteller: Hitano
    Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
    Kapazität: 470 µF
    Nennspannung: 16 V
    Reihe: ESX
    Typ: niedrige Impedanz, lange Lebensdauer
    Temperaturbereich: -55...+105°C
    Abmessungen: 10x13 mm
    Lebensdauer: 5000 Stunden
    Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
    verfügbar: 7 St.
      erwartet: 2000 St.
      • 2000 St. - erwartet 29.10.2026
      AnzahlPrivatkunde
      1+0.24 EUR
      10+0.15 EUR
      100+0.14 EUR
      1000+0.11 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH