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IRF7309PBF

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Produktcode: 36562
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
verfügbar 534 Stück:
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Technische Details IRF7309PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:4A
  • On State Resistance:0.05ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id N Channel 2:4A
  • Cont Current Id P Channel:3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance N Channel:0.05ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.1ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Max Voltage Vds P Channel:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Pin Configuration:c
  • Pin Format:1 S1
  • 2 G1
  • 3 S2
  • 4 G2
  • 5 D2
  • 6 D2
  • 7 D1
  • 8 D1
  • Power Dissipation:1.4W
  • Power Dissipation P Channel 2:1.4W
  • Power Dissipation Pd:1.4W
  • Pulse Current Idm:16A
  • Pulse Current Idm N Channel 2:16A
  • Pulse Current Idm P Channel:12A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7309

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF7309PBF Hersteller : IR irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
auf Bestellung 427 Stücke:
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IRF7309PBF IRF7309PBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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IRF7309PBF IRF7309PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-1732483.pdf MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
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IRF7309PBF IRF7309PBF Hersteller : Infineon (IRF) irf7309.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7/16.7nC
Kind of channel: enhanced
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