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IRF7309PBF

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Produktcode: 36562
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
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Technische Details IRF7309PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:4A
  • On State Resistance:0.05ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id N Channel 2:4A
  • Cont Current Id P Channel:3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance N Channel:0.05ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.1ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Max Voltage Vds P Channel:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Pin Configuration:c
  • Pin Format:1 S1
  • 2 G1
  • 3 S2
  • 4 G2
  • 5 D2
  • 6 D2
  • 7 D1
  • 8 D1
  • Power Dissipation:1.4W
  • Power Dissipation P Channel 2:1.4W
  • Power Dissipation Pd:1.4W
  • Pulse Current Idm:16A
  • Pulse Current Idm N Channel 2:16A
  • Pulse Current Idm P Channel:12A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7309

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF7309PBF Infineon irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Транзистори
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IRF7309PBF International Rectifier irf7309pbf.pdf description SO-8 Транзистори
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IRF7309PBF International Rectifier/Infineon irf7309pbf.pdf description Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7309PBF IRF7309PBF Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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IRF7309PBF IRF7309PBF Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-1732483.pdf description MOSFETs 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
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IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC Транзистори
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IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
SO-8 Транзистори
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IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 4 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 25 @ 4,5 В, Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3 A,... Транзистори Корпус: SOICN-8 О
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
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IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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IRF7309PBF description Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-1732483.pdf
IRF7309PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
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Nennspannung: 25V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
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erwartet: 3800 St.
  • 3800 St. - erwartet
AnzahlPreis
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10+0.22 EUR
100+0.18 EUR
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Kapazität: 2,2uF
Nennspannung: 63V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 5533 St.
  • 185 St. - stock Köln
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10+0.022 EUR
100+0.0099 EUR
1000+0.0086 EUR
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Uds,V: 30
Id,A: 4.9
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 710/23
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 202 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+0.36 EUR
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Kapazität: 10uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 2677 St.
  • 179 St. - stock Köln
  • 2498 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 200 St.
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    1000+0.015 EUR
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    № 8: 5000 годин
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