Suchergebnisse für "IRF7314" : 18
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRF7314TRPBF Produktcode: 54354
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: SO-8 Uds,V: 20 Id,A: 5.3 Rds(on),Om: 0.058 Ciss, pF/Qg, nC: 780/19 Gebr.: 2P /: SMD |
auf Bestellung 198 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF7314TR | Infineon |
2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7314TR | UMW |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR UMW TIRF7314 UMW Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7314TR | Infineon |
2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1346 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF7314TR | IR | Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7314TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
IRF7314 |
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verfügbar 300 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
IRF7314Q | IR | SO-8 |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
IRF7314STR |
auf Bestellung 2678 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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IRF7314 Produktcode: 11411
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: SO-8 Uds,V: 20 Id,A: 5.3 Rds(on),Om: 0.058 Ciss, pF/Qg, nC: 780/19 Gebr.: 2P /: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRF7314PBF Produktcode: 36431
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() ![]() Gehäuse: SO-8 Uds,V: 20 Id,A: 5.3 Rds(on),Om: 0.058 Ciss, pF/Qg, nC: 780/19 /: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7314PBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRF7314QTRPBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7314TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7314TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRF7314TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRF7314TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRF7314TRPBF Produktcode: 54354
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
Gebr.: 2P
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 198 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 0.70 EUR |
10+ | 0.57 EUR |
IRF7314TR |
Hersteller: Infineon
2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.47 EUR |
IRF7314TR |
Hersteller: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR UMW TIRF7314 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR UMW TIRF7314 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 0.77 EUR |
IRF7314TR |
Hersteller: Infineon
2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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50+ | 1.47 EUR |
IRF7314TR |
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.52 EUR |
10+ | 2.23 EUR |
100+ | 2.03 EUR |
IRF7314TRPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7314Q |
Hersteller: IR
SO-8
SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7314STR |
auf Bestellung 2678 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF7314 Produktcode: 11411
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
Gebr.: 2P
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
Gebr.: 2P
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF7314PBF Produktcode: 36431
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 0.70 EUR |
10+ | 0.57 EUR |
IRF7314PBF | ![]() |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF7314QTRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF7314TRPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
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IRF7314TRPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF7314TRPBF | ![]() |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRF7314TRPBF | ![]() |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH