Suchergebnisse für "IRF7314" : 18

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IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF
Produktcode: 54354
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IR irf7314pbf-datasheet.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 198 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.70 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TR Infineon 2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TR UMW Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR UMW TIRF7314 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TR Infineon 2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TR IR Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2.52 EUR
10+2.23 EUR
100+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Infineon Technologies irf7314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f57b901b2c description Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314 description
verfügbar 300 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314Q IR SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314STR
auf Bestellung 2678 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314 IRF7314
Produktcode: 11411
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IR irf7314.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
Gebr.: 2P
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314PBF IRF7314PBF
Produktcode: 36431
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IR irf7314pbf-datasheet.pdf description Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.70 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314PBF IRF7314PBF Infineon Technologies irf7314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f57b901b2c description Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314QTRPBF IRF7314QTRPBF Infineon Technologies IRF7314QPbF.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7314pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Infineon Technologies irf7314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f57b901b2c description Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Infineon Technologies irf7314.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7314pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBF
Produktcode: 54354
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description irf7314pbf-datasheet.pdf
IRF7314TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
Gebr.: 2P
/: SMD
auf Bestellung 198 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.70 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TR
Hersteller: Infineon
2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TR
Hersteller: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7314; IRF7314TR; SP001562198; SP001570224; IRF7314TR UMW TIRF7314 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TR
Hersteller: Infineon
2xP-MOSFET 5.2A 20V 2W 0.058Ω IRF7314 smd TIRF7314
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1346 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TR
Hersteller: IR
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.52 EUR
10+2.23 EUR
100+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBF description irf7314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f57b901b2c
IRF7314TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314 description
verfügbar 300 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314Q
Hersteller: IR
SO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314STR
auf Bestellung 2678 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314
Produktcode: 11411
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description irf7314.pdf
IRF7314
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
Gebr.: 2P
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314PBF
Produktcode: 36431
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description irf7314pbf-datasheet.pdf
IRF7314PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
/: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.70 EUR
10+0.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314PBF description irf7314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f57b901b2c
IRF7314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314QTRPBF IRF7314QPbF.pdf
IRF7314QTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBF description irf7314pbf.pdf
IRF7314TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBF description irf7314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f57b901b2c
IRF7314TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBF description irf7314.pdf
IRF7314TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7314TRPBF description irf7314pbf.pdf
IRF7314TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH