IRF7314PBF

IRF7314PBF

Produktcode: 36431
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19

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Technische Details IRF7314PBF

  • MOSFET, DUAL, PP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual P
  • Typ Voltage Vds:-20V
  • Cont Current Id:4.2A
  • On State Resistance:0.053ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
  • Typ Voltage Vgs th:-0.7V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Voltage Vds:20V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Pin Configuration:c
  • Pin Format:1 S1
  • 2 G1
  • 3 S2
  • 4 G2
  • 5 D2
  • 6 D2
  • 7 D1
  • 8 D1
  • Power Dissipation:1.4W
  • Power Dissipation Pd:1.4W
  • Pulse Current Idm:23A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7314
  • Transistor Case Style:SOIC

Möglichen Substitutionen

IRF7314TRPBF
IRF7314TRPBF
Produktcode: 54354
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
Gebr.: 2P
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Preis IRF7314PBF ab 0.56 EUR bis 2.38 EUR

IRF7314PBF
Hersteller:
IRF7314 MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
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IRF7314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N Tube
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IRF7314PBF
IRF7314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX
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IRF7314PBF
IRF7314PBF
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX
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IRF7314PBF
IRF7314PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7314PBF - Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 4.2 A, 0.049 ohm, SOIC, Surface Mount
Transistor Polarity: P Channel
On Resistance Rds(on): 0.049
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 1.4
Continuous Drain Current Id: 4.2
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Surface Mount
MSL: MSL 1 - Unlimited
Automotive Qualification Standard: -
Threshold Voltage Vgs: 700
Drain Source Voltage Vds: 20
Transistor Case Style: SOIC
Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5
No. of Pins: 8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRF7314PBF
Hersteller:
IRF7314 MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
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Hersteller:
IRF7314 MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
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Hersteller:
IRF7314 MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
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IRF7314PBF
IRF7314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Power - Max: 2W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Type: 2 P-Channel (Dual)
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IRF7314PBF
IRF7314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Type: 2 P-Channel (Dual)
Power - Max: 2W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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IRF7314PBF
IRF7314PBF
Hersteller: International Rectifier
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
FET Type: 2 P-Channel (Dual)
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
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