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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF
Produktcode: 25137
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IR irf8736pbf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.0048
JHGF: SMD
auf Bestellung 223 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736 International Rectifier N-MOSFET 30V 18A IRF8736 TIRF8736
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
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20+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF8736_DataSheet_v01_01_EN-3363118.pdf MOSFETs MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg
auf Bestellung 19981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.3 EUR
10+0.89 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.42 EUR
4000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.34 EUR
8000+0.33 EUR
12000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
auf Bestellung 22760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.32 EUR
19+0.93 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8736-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
294+0.49 EUR
313+0.44 EUR
318+0.42 EUR
364+0.35 EUR
368+0.33 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 294
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8736-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8736-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1268+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8736-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8736-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
318+0.45 EUR
364+0.38 EUR
368+0.36 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 318
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8736-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8736-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8736-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 78006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
376+0.38 EUR
394+0.35 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
4000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 376
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF8736M2TR AUIRF8736M2TR Infineon Technologies auirf8736m2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b0dade1414 Description: MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6867 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
10+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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UMWIRF8736TR UMWIRF8736TR UMW ace24546002fd1629da1aab7c68aeb7f.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRF8736PBF
Produktcode: 155550
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irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f description Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736 IRF8736 Infineon Technologies Infineon_IRF8736_DataSheet_v01_01_EN-3363118.pdf
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IRF8736PBF IRF8736PBF Infineon Technologies irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f description Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE837B9ABBF1A303005056AB0C4F&compId=irf8736pbf.pdf?ci_sign=9f437ccc0e59342b4111934b0de47bb61ce0fc80 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE837B9ABBF1A303005056AB0C4F&compId=irf8736pbf.pdf?ci_sign=9f437ccc0e59342b4111934b0de47bb61ce0fc80 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineon-irf8736-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRF8736M2TR AUIRF8736M2TR Infineon Technologies auirf8736m2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b0dade1414 Description: MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6867 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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UMWIRF8736TR UMWIRF8736TR UMW ace24546002fd1629da1aab7c68aeb7f.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBF
Produktcode: 25137
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf8736pbf.pdf
IRF8736TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.0048
JHGF: SMD
auf Bestellung 223 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 30V 18A IRF8736 TIRF8736
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBF Infineon_IRF8736_DataSheet_v01_01_EN-3363118.pdf
IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg
auf Bestellung 19981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.3 EUR
10+0.89 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.42 EUR
4000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRF8736TRPBF irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f
IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.34 EUR
8000+0.33 EUR
12000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF8736TRPBF irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f
IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
auf Bestellung 22760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.32 EUR
19+0.93 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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IRF8736TRPBF IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8736TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
294+0.49 EUR
313+0.44 EUR
318+0.42 EUR
364+0.35 EUR
368+0.33 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 294
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IRF8736TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 11440 Stücke:
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1268+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1268
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
318+0.45 EUR
364+0.38 EUR
368+0.36 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 318
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 78006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
376+0.38 EUR
394+0.35 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
4000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 376
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AUIRF8736M2TR auirf8736m2.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b0dade1414
AUIRF8736M2TR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6867 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.52 EUR
10+4.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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UMWIRF8736TR ace24546002fd1629da1aab7c68aeb7f.pdf
UMWIRF8736TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRF8736PBF
Produktcode: 155550
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF8736 Infineon_IRF8736_DataSheet_v01_01_EN-3363118.pdf
IRF8736
Hersteller: Infineon Technologies
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IRF8736PBF description irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f
IRF8736PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
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IRF8736TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE837B9ABBF1A303005056AB0C4F&compId=irf8736pbf.pdf?ci_sign=9f437ccc0e59342b4111934b0de47bb61ce0fc80
IRF8736TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRF8736TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE837B9ABBF1A303005056AB0C4F&compId=irf8736pbf.pdf?ci_sign=9f437ccc0e59342b4111934b0de47bb61ce0fc80
IRF8736TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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AUIRF8736M2TR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric M4
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric M4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6867 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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UMWIRF8736TR ace24546002fd1629da1aab7c68aeb7f.pdf
UMWIRF8736TR
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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