Suchergebnisse für "IRFBG30" : 7

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IRFBG30PBF IRFBG30PBF
Produktcode: 29889
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Siliconix irfbg30pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRFBG30 Vishay irl620.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFBG30PBF irfbg30.pdf IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
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IRFBG30 IRFBG30
Produktcode: 18004
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IR datasheetsd876bf87entdyueitbd87e6t78d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
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IRFBG30 (Transistor)
Produktcode: 51783
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IRFBG30PBF
Produktcode: 29889
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IRFBG30PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
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Hersteller: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IRFBG30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
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IRFBG30
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IRFBG30
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
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IRFBG30 (Transistor)
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