Suchergebnisse für "IRFBG30" : 23
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFBG30PBF Produktcode: 29889
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Lieblingsprodukt
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Siliconix |
![]() Uds,V: 1000 V Idd,A: 2 А Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 980/80 |
auf Bestellung 41 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRFBG30 | Vishay |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFBG30PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG30PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFBG30PBF | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2777 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBG30PBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 4545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBG30PBF | Vishay |
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auf Bestellung 1034 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG30PBF | Vishay |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG30PBF | Vishay |
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auf Bestellung 1037 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG30PBF | Vishay |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG30PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBG30PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 9202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBG30PBF-BE3 | Vishay |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG30PBF-BE3 | Vishay |
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auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG30PBF |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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STP5NK100Z | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 2399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBG30 Produktcode: 18004
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 1000 Idd,A: 03.01.2015 Rds(on), Ohm: 5 Ciss, pF/Qg, nC: 980/80 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFBG30 (Transistor) Produktcode: 51783
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Lieblingsprodukt
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRFBG30 | Vishay / Siliconix |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFBG30 | Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFBG30PBF | Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFBG30PBF-BE3 | Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRFBG30PBF Produktcode: 29889
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
auf Bestellung 41 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFBG30 |
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Hersteller: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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20+ | 3.05 EUR |
IRFBG30PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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24+ | 3.10 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
IRFBG30PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 3.10 EUR |
46+ | 1.57 EUR |
74+ | 0.97 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
IRFBG30PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 6.07 EUR |
50+ | 3.06 EUR |
100+ | 2.77 EUR |
500+ | 2.26 EUR |
1000+ | 2.10 EUR |
2000+ | 1.98 EUR |
IRFBG30PBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 4.68 EUR |
10+ | 2.64 EUR |
100+ | 2.45 EUR |
250+ | 2.38 EUR |
500+ | 2.09 EUR |
1000+ | 1.95 EUR |
IRFBG30PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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95+ | 1.66 EUR |
111+ | 1.37 EUR |
500+ | 1.28 EUR |
1000+ | 1.12 EUR |
IRFBG30PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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69+ | 2.38 EUR |
70+ | 2.27 EUR |
100+ | 1.74 EUR |
500+ | 1.59 EUR |
1000+ | 1.35 EUR |
IRFBG30PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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95+ | 1.72 EUR |
96+ | 1.65 EUR |
111+ | 1.37 EUR |
500+ | 1.27 EUR |
1000+ | 1.11 EUR |
IRFBG30PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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49+ | 3.34 EUR |
69+ | 2.29 EUR |
100+ | 1.84 EUR |
250+ | 1.24 EUR |
IRFBG30PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 6.07 EUR |
50+ | 3.06 EUR |
100+ | 2.77 EUR |
500+ | 2.26 EUR |
1000+ | 2.10 EUR |
IRFBG30PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 9202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 4.17 EUR |
10+ | 2.69 EUR |
100+ | 2.39 EUR |
250+ | 2.29 EUR |
500+ | 2.01 EUR |
1000+ | 1.95 EUR |
10000+ | 1.90 EUR |
IRFBG30PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1000+ | 2.37 EUR |
IRFBG30PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
48+ | 5.24 EUR |
IRFBG30PBF |
![]() |
IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STP5NK100Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 7.09 EUR |
10+ | 6.86 EUR |
25+ | 4.22 EUR |
100+ | 3.73 EUR |
500+ | 3.19 EUR |
1000+ | 3.10 EUR |
IRFBG30 Produktcode: 18004
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 1.26 EUR |
IRFBG30 (Transistor) Produktcode: 51783
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFBG30 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFBG30 |
![]() |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFBG30PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFBG30PBF-BE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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