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IRFBG30PBF IRFBG30PBF
Produktcode: 29889
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Siliconix irfbg30pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
auf Bestellung 17 Stück:
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IRFBG30 Vishay irl620.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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10+2.82 EUR
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+2.35 EUR
38+1.89 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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100+2.16 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.88 EUR
2000+1.81 EUR
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 329 Stücke:
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48+3.01 EUR
74+1.88 EUR
100+1.7 EUR
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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54+2.66 EUR
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74+1.88 EUR
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IRFBG30PBF irfbg30.pdf IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
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STP5NK100Z STP5NK100Z STMicroelectronics en.CD00043982.pdf MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
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1+5.4 EUR
10+3.61 EUR
100+3.41 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.82 EUR
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IRFBG30 IRFBG30
Produktcode: 18004
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IR datasheetsd876bf87entdyueitbd87e6t78d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
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IRFBG30 (Transistor)
Produktcode: 51783
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IRFBG30 IRFBG30 Vishay / Siliconix irl620.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF
Produktcode: 29889
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irfbg30pbf-datasheet.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
auf Bestellung 17 Stück:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30 irl620.pdf
Hersteller: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 10
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IRFBG30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.35 EUR
38+1.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 31
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IRFBG30PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58C878E5B51486469&compId=IRFBG30PBF.pdf?ci_sign=017abf2218462da0348e8b41e813a76db1b5a06e
IRFBG30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
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1000+1.88 EUR
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IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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74+1.88 EUR
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IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Anzahl Preis
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IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+3.01 EUR
74+1.88 EUR
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IRFBG30PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
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Anzahl Preis
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10+2.92 EUR
100+2.15 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.54 EUR
2000+1.47 EUR
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IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
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STP5NK100Z en.CD00043982.pdf
STP5NK100Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.4 EUR
10+3.61 EUR
100+3.41 EUR
500+2.87 EUR
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IRFBG30
Produktcode: 18004
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datasheetsd876bf87entdyueitbd87e6t78d.pdf
IRFBG30
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30 (Transistor)
Produktcode: 51783
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IRFBG30 irl620.pdf
IRFBG30
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH