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IRFBG30PBF IRFBG30PBF
Produktcode: 29889
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Siliconix irfbg30pbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
auf Bestellung 41 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30 Vishay irl620.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.10 EUR
46+1.57 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.10 EUR
46+1.57 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.07 EUR
50+3.06 EUR
100+2.77 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.10 EUR
2000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay Semiconductors irfbg30.pdf MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.68 EUR
10+2.64 EUR
100+2.45 EUR
250+2.38 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.66 EUR
111+1.37 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.38 EUR
70+2.27 EUR
100+1.74 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.72 EUR
96+1.65 EUR
111+1.37 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.34 EUR
69+2.29 EUR
100+1.84 EUR
250+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.07 EUR
50+3.06 EUR
100+2.77 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay / Siliconix irfbg30.pdf MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 9202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.17 EUR
10+2.69 EUR
100+2.39 EUR
250+2.29 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.95 EUR
10000+1.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF irfbg30.pdf IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP5NK100Z STP5NK100Z STMicroelectronics stf5nk100z-1850627.pdf MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.09 EUR
10+6.86 EUR
25+4.22 EUR
100+3.73 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30 IRFBG30
Produktcode: 18004
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IR datasheetsd876bf87entdyueitbd87e6t78d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
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1+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30 (Transistor)
Produktcode: 51783
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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IRFBG30 IRFBG30 Vishay / Siliconix irl620.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30 IRFBG30 Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF-BE3 IRFBG30PBF-BE3 Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF
Produktcode: 29889
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irfbg30pbf-datasheet.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
auf Bestellung 41 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30 irl620.pdf
Hersteller: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.10 EUR
46+1.57 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.10 EUR
46+1.57 EUR
74+0.97 EUR
79+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.07 EUR
50+3.06 EUR
100+2.77 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.10 EUR
2000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.68 EUR
10+2.64 EUR
100+2.45 EUR
250+2.38 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
95+1.66 EUR
111+1.37 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
69+2.38 EUR
70+2.27 EUR
100+1.74 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
95+1.72 EUR
96+1.65 EUR
111+1.37 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 95
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+3.34 EUR
69+2.29 EUR
100+1.84 EUR
250+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF-BE3 irfbg30.pdf
IRFBG30PBF-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.07 EUR
50+3.06 EUR
100+2.77 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF-BE3 irfbg30.pdf
IRFBG30PBF-BE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 9202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.17 EUR
10+2.69 EUR
100+2.39 EUR
250+2.29 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.95 EUR
10000+1.90 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF-BE3 irfbg30.pdf
IRFBG30PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF-BE3 irfbg30.pdf
IRFBG30PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+5.24 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP5NK100Z stf5nk100z-1850627.pdf
STP5NK100Z
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.09 EUR
10+6.86 EUR
25+4.22 EUR
100+3.73 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.10 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30
Produktcode: 18004
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datasheetsd876bf87entdyueitbd87e6t78d.pdf
IRFBG30
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30 (Transistor)
Produktcode: 51783
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30 irl620.pdf
IRFBG30
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30 irl620.pdf
IRFBG30
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
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IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF-BE3 irfbg30.pdf
IRFBG30PBF-BE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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