Suchergebnisse für "IRFBG30" : 20
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFBG30PBF Produktcode: 29889
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Lieblingsprodukt
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Siliconix |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 1000 V Idd,A: 2 А Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 980/80 JHGF: THT |
auf Bestellung 34 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IRFBG30 | Vishay |
![]() Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFBG30PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG30PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 608 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFBG30PBF | Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 5164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBG30PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFBG30PBF | Vishay |
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auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG30PBF | Vishay |
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auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG30PBF | Vishay |
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auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG30PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 8414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBG30PBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 MSL: MSL 1 - Unlimited productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 753 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFBG30PBF-BE3 | Vishay |
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auf Bestellung 753 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBG30PBF |
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auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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STP5NK100Z | STMicroelectronics |
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auf Bestellung 1874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBG30 Produktcode: 18004
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-220AB Uds,V: 1000 Idd,A: 03.01.2015 Rds(on), Ohm: 5 Ciss, pF/Qg, nC: 980/80 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFBG30 (Transistor) Produktcode: 51783
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Lieblingsprodukt
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRFBG30 | Vishay / Siliconix |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFBG30PBF | Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFBG30PBF-BE3 | Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRFBG30PBF Produktcode: 29889
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
auf Bestellung 34 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFBG30 |
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Hersteller: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; IRFBG30 TIRFBG30
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 2.82 EUR |
IRFBG30PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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31+ | 2.35 EUR |
38+ | 1.89 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
IRFBG30PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 608 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
31+ | 2.35 EUR |
38+ | 1.89 EUR |
76+ | 0.94 EUR |
81+ | 0.89 EUR |
IRFBG30PBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 5164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 3.13 EUR |
10+ | 2.18 EUR |
100+ | 2.11 EUR |
500+ | 1.92 EUR |
1000+ | 1.66 EUR |
IRFBG30PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFBG30PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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71+ | 2.02 EUR |
72+ | 1.93 EUR |
100+ | 1.63 EUR |
IRFBG30PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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71+ | 2.02 EUR |
72+ | 1.93 EUR |
100+ | 1.63 EUR |
IRFBG30PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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69+ | 2.09 EUR |
250+ | 1.9 EUR |
500+ | 1.56 EUR |
IRFBG30PBF-BE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 8414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 3.85 EUR |
10+ | 2.29 EUR |
100+ | 2.16 EUR |
500+ | 1.9 EUR |
1000+ | 1.63 EUR |
2000+ | 1.57 EUR |
5000+ | 1.54 EUR |
IRFBG30PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG30PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - IRFBG30PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 1KV, 3.1A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFBG30PBF-BE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
64+ | 2.26 EUR |
66+ | 2.1 EUR |
100+ | 1.95 EUR |
250+ | 1.82 EUR |
500+ | 1.7 EUR |
IRFBG30PBF |
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IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
STP5NK100Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 5.86 EUR |
10+ | 3.7 EUR |
100+ | 3.57 EUR |
500+ | 3.04 EUR |
1000+ | 2.92 EUR |
IRFBG30 Produktcode: 18004
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000
Idd,A: 03.01.2015
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl | Preis |
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1+ | 1.26 EUR |
IRFBG30 (Transistor) Produktcode: 51783
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFBG30 |
![]() |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFBG30PBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFBG30PBF-BE3 |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH