Suchergebnisse für "IRFD9110" : 15

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IRFD9110 IRFD9110
Produktcode: 59118
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Vishay dx8m7nt348ongfuowc.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HVMDIP
Uds,V: 100
Id,A: 0.7
Rds(on),Om: 1.2
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
/: THT
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.38 EUR
10+0.34 EUR
100+0.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110 Siliconix HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf P-MOSFET 0.7A 100V 1.3W 1.2Ω IRFD9110 TIRFD9110
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110 Harris Corporation HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 11617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
807+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 807
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF IRFD9110PBF VISHAY irfd9110.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.07 EUR
72+1.00 EUR
143+0.50 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF IRFD9110PBF VISHAY irfd9110.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.07 EUR
72+1.00 EUR
143+0.50 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Vishay Semiconductors sihfd911.pdf MOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.80 EUR
10+1.88 EUR
100+1.60 EUR
500+1.41 EUR
2500+1.20 EUR
25000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF IRFD9110PBF VISHAY VISH-S-A0013329331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.59 EUR
110+1.43 EUR
118+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110 IRFD9110 onsemi / Fairchild HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110 IRFD9110 Vishay Siliconix sihfd911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110 IRFD9110 Vishay / Siliconix HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF IRFD9110PBF Vishay Siliconix sihfd911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110
Produktcode: 59118
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dx8m7nt348ongfuowc.pdf
IRFD9110
Hersteller: Vishay
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HVMDIP
Uds,V: 100
Id,A: 0.7
Rds(on),Om: 1.2
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
/: THT
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.38 EUR
10+0.34 EUR
100+0.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110 HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 0.7A 100V 1.3W 1.2Ω IRFD9110 TIRFD9110
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110 HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Harris Corporation
Description: 0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 11617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
807+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 807
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF irfd9110.pdf
IRFD9110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
72+1.00 EUR
143+0.50 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF irfd9110.pdf
IRFD9110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.07 EUR
72+1.00 EUR
143+0.50 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF sihfd911.pdf
IRFD9110PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.80 EUR
10+1.88 EUR
100+1.60 EUR
500+1.41 EUR
2500+1.20 EUR
25000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF VISH-S-A0013329331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFD9110PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF sihfd911.pdf
IRFD9110PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF sihfd911.pdf
IRFD9110PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF sihfd911.pdf
IRFD9110PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
102+1.59 EUR
110+1.43 EUR
118+1.28 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110 HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf
IRFD9110
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110 sihfd911.pdf
IRFD9110
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110 HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf
IRFD9110
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFD9110PBF sihfd911.pdf
IRFD9110PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH