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IRFD9110 Siliconix HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf P-MOSFET 0.7A 100V 1.3W 1.2Ω IRFD9110 TIRFD9110
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
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IRFD9110PBF IRFD9110PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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73+0.99 EUR
100+0.85 EUR
200+0.8 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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IRFD9110 IRFD9110
Produktcode: 59118
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Vishay dx8m7nt348ongfuowc.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HVMDIP
Uds,V: 100
Id,A: 0.7
Rds(on),Om: 1.2
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
/: THT
Produkt ist nicht verfügbar
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10+0.34 EUR
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IRFD9110 HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf
Hersteller: Siliconix
P-MOSFET 0.7A 100V 1.3W 1.2Ω IRFD9110 TIRFD9110
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRFD9110PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFD9110
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IRFD9110
Hersteller: Vishay
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HVMDIP
Uds,V: 100
Id,A: 0.7
Rds(on),Om: 1.2
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
/: THT
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