Suchergebnisse für "IRFD9110" : 3
Art der Ansicht :
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFD9110 | Siliconix |
 P-MOSFET 0.7A 100V 1.3W 1.2Ω IRFD9110 TIRFD9110Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||
|
IRFD9110PBF Produktcode: 59118
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Vishay |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: HVMDIP Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Id, A: 0,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 200/8,7 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
|||||||
| IRFD9110PBF |
(MOSFET,P-CH,100V,0.7A,DIP-4) Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFD9110 |
|
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.02 EUR |
| IRFD9110PBF Produktcode: 59118
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: Vishay
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HVMDIP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 0,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 200/8,7
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HVMDIP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 0,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 200/8,7
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.3 EUR |
| 10+ | 1.08 EUR |
| 100+ | 0.33 EUR |
| IRFD9110PBF |
|
(MOSFET,P-CH,100V,0.7A,DIP-4) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH