Suchergebnisse für "IRFP22N50A" : 18
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFP22N50A | Vishay |
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP22N50A | Siliconix |
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 277W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 277W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | Vishay |
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auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | Vishay |
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auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP22N50APBF | Vishay |
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auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | Vishay |
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auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | Vishay |
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auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | Vishay |
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auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP22N50APBF | IRFP22N50APBF Транзисторы MOS FET Power |
auf Bestellung 1029 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRFP22N50A Produktcode: 33419
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFP22N50APBF Produktcode: 45108
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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IRFP22N50A | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
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IRFP22N50APBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRFP22N50A |
Hersteller: Vishay
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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5+ | 9.87 EUR |
IRFP22N50A |
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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5+ | 8.88 EUR |
IRFP22N50APBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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13+ | 5.86 EUR |
25+ | 2.95 EUR |
26+ | 2.79 EUR |
IRFP22N50APBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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13+ | 5.86 EUR |
25+ | 2.95 EUR |
26+ | 2.79 EUR |
500+ | 2.69 EUR |
IRFP22N50APBF |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 1347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 8.45 EUR |
25+ | 6.11 EUR |
IRFP22N50APBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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21+ | 7.85 EUR |
27+ | 5.77 EUR |
31+ | 4.92 EUR |
50+ | 4.55 EUR |
100+ | 3.62 EUR |
250+ | 2.99 EUR |
IRFP22N50APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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26+ | 6.44 EUR |
31+ | 5.07 EUR |
34+ | 4.43 EUR |
IRFP22N50APBF |
![]() |
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP22N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRFP22N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP22N50APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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26+ | 6.44 EUR |
31+ | 5.07 EUR |
34+ | 4.43 EUR |
IRFP22N50APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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41+ | 4.01 EUR |
IRFP22N50APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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21+ | 7.87 EUR |
27+ | 5.78 EUR |
31+ | 4.93 EUR |
50+ | 4.56 EUR |
100+ | 3.63 EUR |
250+ | 2.99 EUR |
IRFP22N50APBF |
![]() |
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
41+ | 4.01 EUR |
42+ | 3.71 EUR |
43+ | 3.56 EUR |
IRFP22N50APBF |
IRFP22N50APBF Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 1029 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP22N50A Produktcode: 33419
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Stück im Wert von UAH
IRFP22N50APBF Produktcode: 45108
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Stück im Wert von UAH
IRFP22N50A |
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP22N50APBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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