Suchergebnisse für "IRFP22N50A" : 19

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IRFP22N50A Siliconix N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
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IRFP22N50A Vishay N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B20D6B4600469&compId=IRFP22N50APBF.pdf?ci_sign=bb16b270a5c69cc6bbf9737dedd7320eb5415255 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13 Stücke:
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13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B20D6B4600469&compId=IRFP22N50APBF.pdf?ci_sign=bb16b270a5c69cc6bbf9737dedd7320eb5415255 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.51 EUR
25+3.69 EUR
50+3.5 EUR
100+3.32 EUR
125+3.27 EUR
200+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Vishay Siliconix irfp22n50a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.88 EUR
25+5.58 EUR
500+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Vishay Semiconductors irfp22n50a.pdf MOSFETs TO247 500V 22A N-CH MOSFET
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+5.44 EUR
100+5.35 EUR
500+4.7 EUR
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Vishay irfp22n50a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.08 EUR
29+4.92 EUR
100+4.6 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Vishay irfp22n50a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.32 EUR
38+3.71 EUR
100+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Vishay irfp22n50a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.1 EUR
29+4.94 EUR
100+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY VISH-S-A0014480861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFP22N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Vishay irfp22n50a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.32 EUR
38+3.71 EUR
100+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf IRFP22N50APBF Транзисторы MOS FET Power
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IRFP22N50A IRFP22N50A
Produktcode: 33419
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF
Produktcode: 45108
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irfp22n50a.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IRFP22N50A IRFP22N50A Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
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IRFP22N50A IRFP22N50A Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
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IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Vishay irfp22n50a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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IRFP22N50APBFXKMA1 IRFP22N50APBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP22N50A-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265413c110165428921351327 Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
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IRFP22N50A
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRFP22N50A
Hersteller: Vishay
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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IRFP22N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B20D6B4600469&compId=IRFP22N50APBF.pdf?ci_sign=bb16b270a5c69cc6bbf9737dedd7320eb5415255
IRFP22N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B20D6B4600469&compId=IRFP22N50APBF.pdf?ci_sign=bb16b270a5c69cc6bbf9737dedd7320eb5415255
IRFP22N50APBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
25+3.69 EUR
50+3.5 EUR
100+3.32 EUR
125+3.27 EUR
200+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf
IRFP22N50APBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
auf Bestellung 701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.88 EUR
25+5.58 EUR
500+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf
IRFP22N50APBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 500V 22A N-CH MOSFET
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.52 EUR
10+5.44 EUR
100+5.35 EUR
500+4.7 EUR
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IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf
IRFP22N50APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+7.08 EUR
29+4.92 EUR
100+4.6 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf
IRFP22N50APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+4.32 EUR
38+3.71 EUR
100+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf
IRFP22N50APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+7.1 EUR
29+4.94 EUR
100+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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IRFP22N50APBF VISH-S-A0014480861-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP22N50APBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP22N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP22N50APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
34+4.32 EUR
38+3.71 EUR
100+3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 34
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IRFP22N50APBF Транзисторы MOS FET Power
auf Bestellung 1029 Stücke:
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IRFP22N50A
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFP22N50APBF
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IRFP22N50A
IRFP22N50A
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
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IRFP22N50A
IRFP22N50A
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf
IRFP22N50APBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP22N50APBFXKMA1 Infineon-IRFP22N50A-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265413c110165428921351327
IRFP22N50APBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH