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IRFP2907PBF IRFP2907PBF
Produktcode: 60422
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IR irfp2907pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628b2d51fe8 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
JHGF: THT
auf Bestellung 26 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF
Produktcode: 48264
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IR irfp2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628bbb11fea description Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 75 V
Idd,A: 90 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180
JHGF: THT
auf Bestellung 33 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+8.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+8.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+5.83 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies irfp2907pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628b2d51fe8 Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
auf Bestellung 3079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.06 EUR
25+5.38 EUR
100+4.73 EUR
500+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+7.63 EUR
24+6.58 EUR
25+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON 2043011.pdf Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 0.0036 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 4182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.95 EUR
33+4.84 EUR
100+3.69 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 4180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.93 EUR
33+4.83 EUR
100+3.68 EUR
500+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.50 EUR
34+4.63 EUR
100+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.50 EUR
34+4.63 EUR
100+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF Infineon Technologies irfp2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628bbb11fea description Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFP2907 AUIRFP2907 International Rectifier IRSDS11759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
64+7.94 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907 IRFP2907
Produktcode: 28880
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IR irfp2907-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 75
Idd,A: 209
Rds(on), Ohm: 0.0045
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/620
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+4.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.83 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFP2907 AUIRFP2907 Infineon Technologies AUIRFP2907.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AUIRFP2907Z AUIRFP2907Z Infineon Technologies AUIRFP2907Z.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF
Produktcode: 60422
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irfp2907pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628b2d51fe8
IRFP2907PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
JHGF: THT
auf Bestellung 26 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907ZPBF
Produktcode: 48264
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description irfp2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628bbb11fea
IRFP2907ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 75 V
Idd,A: 90 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180
JHGF: THT
auf Bestellung 33 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+8.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907 description
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,5mOhm; 209A; 470W; -55°C ~ 175°C; IRFP2907 TIRFP2907
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+8.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF irfp2907.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.83 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF irfp2907pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628b2d51fe8
IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
auf Bestellung 3079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.06 EUR
25+5.38 EUR
100+4.73 EUR
500+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+7.63 EUR
24+6.58 EUR
25+6.12 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF 2043011.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 0.0036 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 470W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 4182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+6.95 EUR
33+4.84 EUR
100+3.69 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 4180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+6.93 EUR
33+4.83 EUR
100+3.68 EUR
500+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+6.50 EUR
34+4.63 EUR
100+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907PBF infineon-irfp2907-datasheet-v02_01-en.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+6.50 EUR
34+4.63 EUR
100+3.57 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP2907ZPBF description irfp2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628bbb11fea
IRFP2907ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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AUIRFP2907 IRSDS11759-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRFP2907
Hersteller: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+7.94 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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IRFP2907
Produktcode: 28880
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description irfp2907-datasheet.pdf
IRFP2907
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 75
Idd,A: 209
Rds(on), Ohm: 0.0045
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/620
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+4.52 EUR
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IRFP2907PBF irfp2907.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.83 EUR
25+2.95 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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AUIRFP2907 AUIRFP2907.pdf
AUIRFP2907
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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AUIRFP2907Z AUIRFP2907Z.pdf
AUIRFP2907Z
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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