IRFP2907PBF
Produktcode: 60422
2
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
JHGF: THT
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Weitere Produktangebote IRFP2907PBF nach Preis ab 2.69 EUR bis 10 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 9267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 9264 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP2907PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 209A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC |
auf Bestellung 2427 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP2907PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 470W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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| IRFP2907PBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET N-CH 75V 209A TO-247AC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRFP2907PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 209 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 25, Qg, нКл = 620 @ 10 В, Rds = 4,5 мОм @ 125 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 470 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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| 51 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 2206
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 51 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 51 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
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| 10+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.036 EUR |
| 1000+ | 0.0028 EUR |
| BZX84-C15 Produktcode: 30904
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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
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| 1+ | 0.04 EUR |
| 10+ | 0.03 EUR |
| 100+ | 0.028 EUR |
| VS-150EBU04 Produktcode: 48587
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Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: PowIRtab
Vrr, V: 400
Iav, A: 150
Trr, ns: 60
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: PowIRtab
Vrr, V: 400
Iav, A: 150
Trr, ns: 60
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|---|---|
| 1+ | 5.48 EUR |
| 10+ | 5.04 EUR |
| 2SK3878 Transistor Produktcode: 56955
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Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SC-65
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2200
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SC-65
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2200
JHGF: THT
auf Bestellung 105 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.8 EUR |
| IPP034NE7N3 G Produktcode: 182613
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
JHGF: THT
auf Bestellung 44 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH







