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IRFP2907PBF

IRFP2907PBF

infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf
Produktcode: 60422
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 209 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 13000/410
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 640 Stücke:
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500+3.83 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 180 Stücke:
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
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25+6.39 EUR
50+5.78 EUR
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON 2043011.pdf Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 572 Stücke:
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33+7.19 EUR
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
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IRFP2907PBF
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IRFP2907PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
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25+6.39 EUR
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IRFP2907PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
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Sortimentskasten 903-133S
Produktcode: 26271
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product_detail.asp?catid=17&itemid=903-133S
Sortimentskasten 903-133S
Hersteller: Pro'sKit
Aufbewahrungssysteme und Möbel > Schraubenbox, Kleinteilemagazin, Sortimentskasten, Aufbewahrungssystem Treston
Beschreibung: Sortimentskasten - Box mit 8 Zellen
Abmessungen, mm: 76x61x21 mm
verfügbar: 95 St.
  • 95 St. - stock Köln
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BZX84-C15
Produktcode: 30904
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BZX84-C15
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 11,4 mV/K
auf Bestellung: 347 St.
  • 347 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.055 EUR
100+0.043 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-150EBU04
Produktcode: 48587
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vs-150ebu04-datasheet.pdf
VS-150EBU04
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: PowIRtab
Sperrspannung Vrr, V: 400 V
Mittlerer Strom Iav, A: 150 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 60 ns
Montage: THT
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.54 EUR
10+6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3878
Produktcode: 56955
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2sk3878-datasheet.pdf
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SC-65
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2200
Montage: THT
erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 62 St.
  • 62 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.37 EUR
10+2.13 EUR
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Modul «Ring aus 16 LEDs» WS2812
Produktcode: 181014
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Modul «Ring aus 16 LEDs» WS2812Modul «Ring aus 16 LEDs» WS2812
Modul «Ring aus 16 LEDs» WS2812Modul «Ring aus 16 LEDs» WS2812
Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Beschreibung: Ringmodul aus 16 programmierbaren LEDs WS2812, Versorgung: 4.5...5V. Durchmesser: 45mm
Kategorie: Anzeigemodul
Bestimmung: RGB-LED
auf Bestellung: 38 St.
  • 38 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.58 EUR
10+2.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH