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IRFP2907PBF

IRFP2907PBF

infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf
Produktcode: 60422
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
JHGF: THT
auf Bestellung 69 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+4.42 EUR
500+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 789 Stücke:
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30+4.89 EUR
31+4.77 EUR
100+3.83 EUR
500+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 10917 Stücke:
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29+4.92 EUR
100+3.82 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.41 EUR
2000+2.88 EUR
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 10916 Stücke:
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29+5.02 EUR
100+3.96 EUR
500+3.83 EUR
1000+3.69 EUR
2000+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.49 EUR
19+3.88 EUR
25+3.72 EUR
50+3.55 EUR
100+3.33 EUR
125+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
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2+9.87 EUR
25+5.76 EUR
100+4.78 EUR
500+3.99 EUR
1000+3.74 EUR
2000+3.63 EUR
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies Infineon-IRFP2907-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
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10+7.3 EUR
100+5.88 EUR
400+5.21 EUR
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON 2043011.pdf Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 63 Stücke:
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP2907PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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14+5.49 EUR
19+3.88 EUR
25+3.72 EUR
50+3.55 EUR
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
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AnzahlPreis
2+9.87 EUR
25+5.76 EUR
100+4.78 EUR
500+3.99 EUR
1000+3.74 EUR
2000+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
auf Bestellung 2046 Stücke:
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AnzahlPreis
1+10.91 EUR
10+7.3 EUR
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400+5.21 EUR
1200+4.61 EUR
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IRFP2907PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
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Sortimentskasten 903-133S
Produktcode: 26271
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Sortimentskasten 903-133S
Hersteller: Pro'sKit
Aufbewahrungssysteme und Möbel > Schraubenbox, Kleinteilemagazin, Sortimentskasten, Aufbewahrungssystem Treston
Beschreibung: Sortimentskasten - Box mit 8 Fächern
Abmessungen, mm: 76x61x21 mm
verfügbar: 115 St.
  • 95 St. - stock Köln
  • 20 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
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10+0.98 EUR
100+0.8 EUR
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BZX84-C15
Produktcode: 30904
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BZX84-C15
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
auf Bestellung 514 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
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10+0.03 EUR
100+0.028 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-150EBU04
Produktcode: 48587
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vs-150ebu04-datasheet.pdf
VS-150EBU04
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: PowIRtab
Vrr, V: 400
Iav, A: 150
Trr, ns: 60
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPreis
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10+5.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3878 Transistor
Produktcode: 56955
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2sk3878-datasheet.pdf
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SC-65
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2200
JHGF: THT
auf Bestellung 100 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
1+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Modul „Ring aus 16 LEDs“ WS2812
Produktcode: 181014
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Modul „Ring aus 16 LEDs“ WS2812Modul „Ring aus 16 LEDs“ WS2812
Modul „Ring aus 16 LEDs“ WS2812Modul „Ring aus 16 LEDs“ WS2812
Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Beschreibung: Ring-Modul mit 16 programmierbaren WS2812-LEDs, Stromversorgung: 4.5...5V. Durchmesser: 45mm
Kategorie: Anzeigemodul
Bestimmung: RGB-LED
auf Bestellung 6 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 40 St.:
40 St. - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH