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IRFP2907PBF

IRFP2907PBF

infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf
Produktcode: 60422
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 209 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 13000/410
Montage: THT
auf Bestellung: 69 St.
  • 69 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+4.15 EUR
500+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Mounting: THT
Power dissipation: 330W
Gate charge: 410nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 209A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 4.5mΩ
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.53 EUR
19+4.62 EUR
25+4.43 EUR
50+4.22 EUR
100+3.96 EUR
125+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.77 EUR
30+5.8 EUR
50+5.19 EUR
100+4.45 EUR
500+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 14204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.1 EUR
29+6 EUR
50+5.33 EUR
100+4.53 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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25+7.21 EUR
29+5.96 EUR
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies Infineon-IRFP2907-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
auf Bestellung 6873 Stücke:
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10+6.12 EUR
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
auf Bestellung 9072 Stücke:
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2+11.02 EUR
25+6.39 EUR
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF Infineon Technologies infineonirfp2907datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON 2043011.pdf Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 597 Stücke:
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15+17.67 EUR
22+10.97 EUR
100+8.16 EUR
500+6.56 EUR
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP2907PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Mounting: THT
Power dissipation: 330W
Gate charge: 410nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 209A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
On-state resistance: 4.5mΩ
auf Bestellung 181 Stücke:
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14+6.53 EUR
19+4.62 EUR
25+4.43 EUR
50+4.22 EUR
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 789 Stücke:
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC
auf Bestellung 6873 Stücke:
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V
Power Dissipation (Max): 470W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
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IRFP2907PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 789 Stücke:
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16+11.15 EUR
27+6.22 EUR
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IRFP2907PBF 2043011.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 209A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 470W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
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Sortimentskasten 903-133S
Produktcode: 26271
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Sortimentskasten 903-133S
Hersteller: Pro'sKit
Aufbewahrungssysteme und Möbel > Schraubenbox, Kleinteilemagazin, Sortimentskasten, Aufbewahrungssystem Treston
Beschreibung: Sortimentskasten - Box mit 8 Zellen
Abmessungen, mm: 76x61x21 mm
verfügbar: 95 St.
  • 95 St. - stock Köln
auf Bestellung: 17 St.
  • 17 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BZX84-C15
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOT-23
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: 11,4 mV/K
auf Bestellung: 385 St.
  • 385 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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VS-150EBU04
Produktcode: 48587
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VS-150EBU04
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: PowIRtab
Sperrspannung Vrr, V: 400 V
Mittlerer Strom Iav, A: 150 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 60 ns
Montage: THT
auf Bestellung: 20 St.
  • 20 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+21.54 EUR
10+6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3878
Produktcode: 56955
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
2sk3878-datasheet.pdf
Hersteller: Toshiba
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SC-65
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2200
Montage: THT
auf Bestellung: 81 St.
  • 81 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.37 EUR
10+2.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Modul «Ring aus 16 LEDs» WS2812
Produktcode: 181014
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Modul «Ring aus 16 LEDs» WS2812Modul «Ring aus 16 LEDs» WS2812
Modul «Ring aus 16 LEDs» WS2812Modul «Ring aus 16 LEDs» WS2812
Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Beschreibung: Ringmodul aus 16 programmierbaren LEDs WS2812, Versorgung: 4.5...5V. Durchmesser: 45mm
Kategorie: Anzeigemodul
Bestimmung: RGB-LED
auf Bestellung: 40 St.
  • 40 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+2.58 EUR
10+2.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH