IRFP2907PBF
Produktcode: 60422
Hersteller: IRGehäuse: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
JHGF: THT
auf Bestellung 80 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 2642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 2640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC |
auf Bestellung 4365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 209A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 125A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP2907PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP2907PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 75 V, 209 A, 4500 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 209A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 470W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFP2907PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 209A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFP2907PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 209A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 410nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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Größe Typ: 1206
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Resistenz: 51 Ohm
Präzision: ±5% J
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Größe Typ: 1206
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Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
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Gehäuse: PowIRtab
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Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/2200
JHGF: THT
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Gehäuse: SC-65
Uds,V: 900 V
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Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 75 V
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Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
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Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
JHGF: THT
auf Bestellung 47 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH







