Technische Details IPP034NE7N3 G Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: TO-220-3, Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В, Drain-Strom Idd, A: 100 А, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,4 мОм, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6110/88, Montage: THT.
Weitere Produktangebote IPP034NE7N3 G nach Preis ab 3.17 EUR bis 8.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPP034NE7N3 G | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP034NE7N3G | Infineon technologies |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP034NE7N3 G |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.43 EUR |
| 10+ | 4.32 EUR |
| 100+ | 3.92 EUR |
| 500+ | 3.22 EUR |
| 1000+ | 3.17 EUR |
| IPP034NE7N3G |
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Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)