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IPP034NE7N3 G

IPP034NE7N3 G Infineon

Infineon-IPP034NE7N3.pdf
Produktcode: 182613
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 100 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,4 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6110/88
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPP034NE7N3 G IPP034NE7N3 G Infineon Technologies Infineon-IPP034NE7N3 G-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
auf Bestellung 635 Stücke:
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10+4.32 EUR
100+3.92 EUR
500+3.22 EUR
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IPP034NE7N3G Infineon technologies INFN-S-A0001299349-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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IPP034NE7N3 G
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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IR2113SPBF
Produktcode: 36565
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description IR2113SPBF.pdf Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e
IR2113SPBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SOIC-16
Versorgungsspannung Uc, V: 600 В
Ausgangsstrom Io ±, A: 2 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 В
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Bemerkung: High- und Low-Side-Treiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung: 172 St.
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IRFP2907PBF
Produktcode: 60422
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infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 209 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 13000/410
Montage: THT
auf Bestellung: 69 St.
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OP07CDR
Produktcode: 101097
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description op07.pdf?ts=1750994065989&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FOP07%252Fpart-details%252FOP07CDR%253FkeyMatch%253DOP07CDR%2526tisearch%253Duniversal_search%2526usecase%253DOPN bc5b64cf0781e078c79b2b0f24f8bf0c.pdf
OP07CDR
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±14 V
Bandbreite BW, MHz: 0,6 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 60 mV
Temperaturbereich: 0...+70°C
Anzahl Kanäle: 1
Montage: SMD
auf Bestellung: 361 St.
  • 361 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+11.3 EUR
10+10.12 EUR
100+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
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ES3D YANGJIE
Produktcode: 150458
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datasheet-es3d.pdf
ES3D YANGJIEES3D YANGJIE
ES3D YANGJIEES3D YANGJIE
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-214AB
Sperrspannung Vrr, V: 200 В
Mittlerer Strom Iav, A: 3 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 20 ns
Montage: SMD
auf Bestellung: 196 St.
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5+0.24 EUR
10+0.17 EUR
100+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 St.
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MMBT2222A
Produktcode: 160580
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mmbt2222a-sot23.pdf
MMBT2222A
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
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13+0.098 EUR
16+0.075 EUR
100+0.055 EUR
1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 13 St.
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