IPP034NE7N3 G Infineon
Produktcode: 182613
1
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 100 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,4 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6110/88
Montage: THT
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Weitere Produktangebote IPP034NE7N3 G nach Preis ab 3.17 EUR bis 8.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP034NE7N3 G | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
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| IPP034NE7N3 G | Infineon |
auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP034NE7N3G | Infineon technologies |
|
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPP034NE7N3 G |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.43 EUR |
| 10+ | 4.32 EUR |
| 100+ | 3.92 EUR |
| 500+ | 3.22 EUR |
| 1000+ | 3.17 EUR |
| IPP034NE7N3 G |
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IPP034NE7N3G |
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Hersteller: Infineon technologies
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| IR2113SPBF Produktcode: 36565
3
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Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SOIC-16
Versorgungsspannung Uc, V: 600 В
Ausgangsstrom Io ±, A: 2 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 В
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Bemerkung: High- und Low-Side-Treiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SOIC-16
Versorgungsspannung Uc, V: 600 В
Ausgangsstrom Io ±, A: 2 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 В
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Bemerkung: High- und Low-Side-Treiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung 183 St.:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.33 EUR |
| IRFP2907PBF Produktcode: 60422
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 209 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 13000/410
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 В
Drain-Strom Idd, A: 209 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 13000/410
Montage: THT
auf Bestellung 69 St.:
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| OP07CDR Produktcode: 101097
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Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±14 V
Bandbreite BW, MHz: 0,6 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 60 mV
Temperaturbereich: 0...+70°C
Anzahl Kanäle: 1
Montage: SMD
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±14 V
Bandbreite BW, MHz: 0,6 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 60 mV
Temperaturbereich: 0...+70°C
Anzahl Kanäle: 1
Montage: SMD
auf Bestellung 418 St.:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.3 EUR |
| 10+ | 10.12 EUR |
| ES3D YANGJIE Produktcode: 150458
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Hersteller: Yangjie
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-214AB
Sperrspannung Vrr, V: 200 В
Mittlerer Strom Iav, A: 3 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 20 ns
Montage: SMD
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-214AB
Sperrspannung Vrr, V: 200 В
Mittlerer Strom Iav, A: 3 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 20 ns
Montage: SMD
auf Bestellung 196 St.:
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| MMBT2222A Produktcode: 160580
1
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Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 40 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 75 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Stromverstärkung h21: 300
Montage: SMD
auf Bestellung 600 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)









