IPP034NE7N3 G Infineon
Produktcode: 182613
1
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
JHGF: THT
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote IPP034NE7N3 G nach Preis ab 2.64 EUR bis 6.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IPP034NE7N3 G | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP034NE7N3 G | Hersteller : Infineon |
auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IPP034NE7N3G | Hersteller : Infineon technologies |
|
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IPP034NE7N3G | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFP2907PBF Produktcode: 60422
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|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
JHGF: THT
auf Bestellung 79 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| OP07CDR(Mikroschaltung) Produktcode: 101097
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|
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: +/-14
BW, MHz: 0.6
Vio, mV(Biasspannung): 60
Temperaturbereich: 0...+70C
Монтаж: SMD
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: +/-14
BW, MHz: 0.6
Vio, mV(Biasspannung): 60
Temperaturbereich: 0...+70C
Монтаж: SMD
auf Bestellung 21 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.5 EUR |
| 10+ | 8.5 EUR |
| ES3D YANGJIE Produktcode: 150458
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Yangjie
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-214AB
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 3 А
Trr, ns: 20 ns
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-214AB
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 3 А
Trr, ns: 20 ns
auf Bestellung 16 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MMBT2222A Produktcode: 160580
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1456 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 30CTQ100 Produktcode: 17900
1
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|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 100
If(A): 30
VF@IF: 0,67
Bemerkung: OK 2x30A
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 275 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 100
If(A): 30
VF@IF: 0,67
Bemerkung: OK 2x30A
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 275 A
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.52 EUR |
| 10+ | 1.4 EUR |





