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IPP034NE7N3 G

IPP034NE7N3 G Infineon

Infineon-IPP034NE7N3.pdf
Produktcode: 182613
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: TO-220-3
Uds,V: 75 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 6110/88
JHGF: THT
auf Bestellung 44 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPP034NE7N3 G IPP034NE7N3 G Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPP034NE7N3 G-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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IPP034NE7N3 G Hersteller : Infineon
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IR2113SPBF
Produktcode: 36565
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description IR2113SPBF.pdf Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c80333167e
IR2113SPBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SOIC-16
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 2 А
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 120/94 ns
Bemerkung: HIGH AND LOW SIDE DRIVER
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
auf Bestellung 183 St.:
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IRFP2907PBF
Produktcode: 60422
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infineon-irfp2907-datasheet-en.pdf
IRFP2907PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 75 V
Idd,A: 209 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 13000/410
JHGF: THT
auf Bestellung 69 St.:
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OP07CDR(Mikroschaltung)
Produktcode: 101097
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OP07CDR(Mikroschaltung)
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOIC-8
Vc, V: +/-14
BW, MHz: 0.6
Vio, mV(Biasspannung): 60
Temperaturbereich: 0...+70C
Монтаж: SMD
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400 St. - erwartet 20.06.2026
Anzahl Preis
1+9.5 EUR
10+8.5 EUR
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ES3D YANGJIE
Produktcode: 150458
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datasheet-es3d.pdf
ES3D YANGJIEES3D YANGJIE
Hersteller: Yangjie
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-214AB
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 3 А
Trr, ns: 20 ns
auf Bestellung 216 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT2222A
Produktcode: 160580
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mmbt2222a-sot23.pdf
MMBT2222A
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 75 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
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