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IRFP2907ZPBF

IRFP2907ZPBF

irfp2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628bbb11fea
Produktcode: 48264
Hersteller: IR
Uds,V: 75 V
Idd,A: 90 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 7500/180
JHGF: THT
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Technische Details IRFP2907ZPBF IR

  • MOSFET, N, 75V, 170A, TO-247AC
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:75V
  • Cont Current Id:170A
  • On State Resistance:0.0045ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-247AC
  • Termination Type:Through Hole
  • Max Voltage Vds:75V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:4.5ohm
  • Power Dissipation:310W
  • Power Dissipation Pd:310W
  • Pulse Current Idm:680A
  • Transistor Case Style:TO-247AC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irfp2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628bbb11fea Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
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IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP2907Z_DataSheet_v01_01_EN-3363361.pdf MOSFET MOSFT 75V 90A 4.5mOhm 180nC Qg
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ULN2003AN
Produktcode: 22098
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ULN200xA.pdf suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fuln2003a
ULN2003AN
Hersteller: TI
IC > IC Transistoranordnungen
Gehäuse: DIP-16
Beschreibung: Verbindung-Transistor с Verbundsammler (Darlington-Transistor)
Монтаж: THT
№ 4: -20...70°C
Вихідний струм: 500 mA
Вихідна напруга: 50 V
К-сть каналів: 7
verfügbar: 173 Stück
49 Stück - stock Köln
124 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.25 EUR
10+0.20 EUR
100+0.16 EUR
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0,82 Ohm 5% 2W (MOR200SJTB-0R82-Hitano)
Produktcode: 13884
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MOR_080911.pdf
0,82 Ohm 5% 2W (MOR200SJTB-0R82-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Resistenz: 0,82 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 2W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 11x4,0mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+125°C
№ 7: 8533210000
auf Bestellung 2696 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.05 EUR
10+0.04 EUR
100+0.03 EUR
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47 Ohm 5% 0,5W 2010
Produktcode: 10946
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RC0603HIT.pdf
47 Ohm 5% 0,5W 2010
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2010
Resistenz: 47 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,5W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 2010
auf Bestellung 4550 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.02 EUR
100+0.01 EUR
1000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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51 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 4627
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rc_series_hitano-datasheet.pdf
51 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 51 Ohm
Resistenz: ±5% J
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
verfügbar: 19828 Stück
1200 Stück - stock Köln
18628 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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100+0.00 EUR
1000+0.00 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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51 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3476
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RC_series.pdf
51 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 51 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
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