Suchergebnisse für "IRFP4110PBF" : 19
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 29
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP4110PBF Produktcode: 40699
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
IR |
![]() Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 100 Idd,A: 120 Rds(on), Ohm: 3.7mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150 JHGF: THT |
auf Bestellung 86 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Power dissipation: 370W Gate charge: 150nC Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 1137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 2154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 46800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 2154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Power dissipation: 370W Gate charge: 150nC Technology: HEXFET® |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRFP4110PBF Produktcode: 40699
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100
Idd,A: 120
Rds(on), Ohm: 3.7mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100
Idd,A: 120
Rds(on), Ohm: 3.7mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
auf Bestellung 86 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 2.32 EUR |
10+ | 2.1 EUR |
IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 5.36 EUR |
50+ | 4.37 EUR |
100+ | 4.02 EUR |
200+ | 3.39 EUR |
400+ | 3.05 EUR |
800+ | 2.9 EUR |
IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 5.15 EUR |
IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
24+ | 6.15 EUR |
50+ | 4.9 EUR |
100+ | 4.44 EUR |
250+ | 4.22 EUR |
IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
29+ | 5.15 EUR |
32+ | 4.44 EUR |
43+ | 3.18 EUR |
100+ | 2.74 EUR |
250+ | 2.32 EUR |
400+ | 1.75 EUR |
IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
18+ | 4.2 EUR |
36+ | 1.99 EUR |
39+ | 1.87 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 6.34 EUR |
25+ | 3.59 EUR |
100+ | 3.29 EUR |
400+ | 2.31 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
34+ | 4.32 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 46800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
400+ | 2.48 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 5.55 EUR |
50+ | 4.53 EUR |
200+ | 2.91 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
34+ | 4.32 EUR |
48+ | 2.94 EUR |
100+ | 2.52 EUR |
400+ | 1.84 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg
MOSFETs MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH