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IRFP4110PBF

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Produktcode: 40699
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100
Idd,A: 120
Rds(on), Ohm: 3.7mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
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IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4110PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon infineon-irfp4110-datasheet-en.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9620 @ 50, Qg, нКл = 210, Rds = 4,5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 205 Од. вим: шт
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Индуктивный датчик приближения LJ12A3-4-Z/BX
Produktcode: 133347
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lj12a3-datasheet.pdf
Индуктивный датчик приближения LJ12A3-4-Z/BX
Aktive Bauelemente > Sensoren
Beschreibung: Для визначення наближення до Датчика металевих поверхонь. Полярність: NPN. Відстань виявлення: 4 мм.
Ausgang/Schnittstelle: Аналоговий
Versorgung: 6...36 V
Тип датчика: Індуктивний датчик наближення
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MBR20100CTG
Produktcode: 26154
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description MBR20100CT.pdf
MBR20100CTG
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 100
If(A): 20
VF@IF: 0,8
Bemerkung: OK 2x10
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
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HER307
Produktcode: 30484
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description her307.pdf
HER307
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-27
Vrr, V: 800
Iav, A: 3
Trr, ns: 70
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BZV55-C3V0
Produktcode: 35728
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description BZV55.pdf
BZV55-C3V0
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 3
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -2.1mV/K
№ 6: 8541100090
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BZX55-C15
Produktcode: 30714
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BZX55.pdf
BZX55-C15
Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 11.3mV/K
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