Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRFP4110PBF
IRFP4110PBF

IRFP4110PBF

irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Produktcode: 40699
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100
Idd,A: 120
Rds(on), Ohm: 3.7mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
auf Bestellung 43 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.32 EUR
10+2.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRFP4110PBF nach Preis ab 4.23 EUR bis 5.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+5.73 EUR
27+5.29 EUR
50+4.9 EUR
100+4.55 EUR
250+4.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : INFINEON irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: INFINEON - IRFP4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9620 @ 50, Qg, нКл = 210, Rds = 4,5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: 205
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 40 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBF Hersteller : International Rectifier irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe TO-247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

Индуктивный датчик приближения LJ12A3-4-Z/BX
Produktcode: 133347
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
lj12a3-datasheet.pdf
Индуктивный датчик приближения LJ12A3-4-Z/BX
Aktive Bauelemente > Sensoren
Beschreibung: Для визначення наближення до Датчика металевих поверхонь. Полярність: NPN. Відстань виявлення: 4 мм.
Ausgang/Schnittstelle: Аналоговий
Versorgung: 6...36 V
Тип датчика: Індуктивний датчик наближення
auf Bestellung 399 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HER307
Produktcode: 30484
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description her307.pdf
HER307
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-27
Vrr, V: 800
Iav, A: 3
Trr, ns: 70
auf Bestellung 855 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
10+0.07 EUR
100+0.062 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MBR20100CTG
Produktcode: 26154
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description MBR20100CT.pdf
MBR20100CTG
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 100
If(A): 20
VF@IF: 0,8
Bemerkung: OK 2x10
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
auf Bestellung 268 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IR2121PBF
Produktcode: 35516
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ir2121.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84fa31691
IR2121PBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 5...12 V
I o +/-, A: 1/2 A
V out, V: 12-18 V
T on/T off, ns: 150/150 ns
Bemerkung: CURRENT LIMITING LOW SIDE DRIVER
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
№ 8: 8542 31 90 00
auf Bestellung 34 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZV55-C3V0
Produktcode: 35728
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description BZV55.pdf
BZV55-C3V0
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 3
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -2.1mV/K
№ 6: 8541100090
verfügbar: 2123 St.
280 St. - stock Köln
1843 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
1000+0.024 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH