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IRFP4110PBF

IRFP4110PBF

irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Produktcode: 40699
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 120 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9620/150
Montage: THT
auf Bestellung 38 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP4110PBF IRFP4110PBF Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.06 EUR
27+6.65 EUR
50+6.26 EUR
100+5.91 EUR
250+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: INFINEON - IRFP4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.38 EUR
28+8.47 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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IRFP4110PBF International Rectifier/Infineon infineon-irfp4110-datasheet-en.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9620 @ 50, Qg, нКл = 210, Rds = 4,5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 205 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 400 Stücke
verfügbar 40 Stücke:
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IRFP4110PBF infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
IRFP4110PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4110PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9620 @ 50, Qg, нКл = 210, Rds = 4,5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 205 Од. вим: шт
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MBR20100CTG
Produktcode: 26154
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description MBR20100CT.pdf
MBR20100CTG
Hersteller: ON/LGE
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,8 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 10 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
auf Bestellung 216 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.92 EUR
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BZV55-C3V0
Produktcode: 35728
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description BZV55.pdf
BZV55-C3V0
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Stabilisierungsspannung Vz, V: 3 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,4 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: -2,1 mV/K
HS-Code: 8541 10 00 90
verfügbar: 2038 St.
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10+0.043 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.029 EUR
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Induktiver Näherungssensor LJ12A3-4-Z/BX
Produktcode: 133347
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lj12a3-datasheet.pdf
Induktiver Näherungssensor LJ12A3-4-Z/BX
Aktive Bauelemente > Sensoren
Gehäuse: 5,7x2,5mm
Beschreibung: Для Erkennung Annäherung до Sensor Metall- Oberflächen. Polarität: NPN. Abstand Erkennung: 4 mm.
Ausgang/Schnittstelle: Analog
Versorgung, V: 6...36 В
Sensortyp: Induktiver Näherungssensor
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erwartet 1000 St.:
1000 St. - erwartet 25.09.2026
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100+2.92 EUR
1000+2.61 EUR
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HER307
Produktcode: 30484
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description her307.pdf
HER307
Hersteller: Yangjie/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201AD
Sperrspannung Vrr, V: 800 V
Mittlerer Strom Iav, A: 3 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 70 ns
Montage: THT
auf Bestellung 838 St.:
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1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
100+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF
Produktcode: 32680
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description infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 130 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10720/161
Montage: THT
auf Bestellung 126 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 9 St.:
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1+11.55 EUR
10+10.92 EUR
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