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IRFP4110PBF

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Produktcode: 40699
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100
Idd,A: 120
Rds(on), Ohm: 3.7mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
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10+2.1 EUR
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IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : INFINEON irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: INFINEON - IRFP4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 59 Stücke:
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IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
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IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg
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IRFP4110PBF IRFP4110PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
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Индуктивный датчик приближения LJ12A3-4-Z/BX
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Индуктивный датчик приближения LJ12A3-4-Z/BX
Aktive Bauelemente > Sensoren
Beschreibung: Для визначення наближення до Датчика металевих поверхонь. Полярність: NPN. Відстань виявлення: 4 мм.
Ausgang/Schnittstelle: Аналоговий
Versorgung: 6...36 V
Тип датчика: Індуктивний датчик наближення
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MBR20100CTG
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description MBR20100CT.pdf
MBR20100CTG
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 100
If(A): 20
VF@IF: 0,8
Bemerkung: OK 2x10
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
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10+0.42 EUR
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Produktcode: 30484
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-27
Vrr, V: 800
Iav, A: 3
Trr, ns: 70
auf Bestellung 855 St.:
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10+0.07 EUR
100+0.062 EUR
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Produktcode: 30573
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description hcpl3120-000e.pdf
HCPL3120-000E
Hersteller: Avago
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-8
Typ: Optokoppler logisch Ausgang OK
U-isol, kV: 3.7
Ton/Toff, µs: 0.5/0.5
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
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Produktcode: 35516
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ir2121.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84fa31691
IR2121PBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 5...12 V
I o +/-, A: 1/2 A
V out, V: 12-18 V
T on/T off, ns: 150/150 ns
Bemerkung: CURRENT LIMITING LOW SIDE DRIVER
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
№ 8: 8542 31 90 00
auf Bestellung 44 St.:
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