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HER307

HER307 YJ

her307.pdf
Produktcode: 30484
Hersteller: YJ
Gehäuse: DO-27
Vrr, V: 800
Iav, A: 3
Trr, ns: 70
auf Bestellung 855 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details HER307 YJ

  • DIODE, FAST, 3A, 800V
  • Diode Type:Fast Recovery
  • Voltage Vrrm:800V
  • Av Current If:3A
  • Max Voltage Vf:1.7V
  • Max Reverse RecoveryTime, trr:50ns
  • Max Current Ifs:150A
  • Operating Temperature Range:-65`C to +150`C
  • Diode Case Style:DO-201AD
  • No. of Pins:2
  • Case Style:DO-201AD
  • Current If @ Vf:3A
  • Current Ifsm:150A
  • External Diameter:5.6mm
  • External Length / Height:9.5mm
  • Forward Voltage:1V
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Termination Type:Axial Leaded

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
HER307 Hersteller : EIC Semiconductor her301_8.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo/Bag/T/R
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HER307 HER307 Hersteller : DC COMPONENTS HER308.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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HER307 HER307 Hersteller : Taiwan Semiconductor Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt 150 Amp IFSM
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HER307 HER307 Hersteller : DC COMPONENTS HER308.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
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HER307 HER307 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY HER301_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
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HER307 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC HER301G-HER308G.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
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IR2121PBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 5...12 V
I o +/-, A: 1/2 A
V out, V: 12-18 V
T on/T off, ns: 150/150 ns
Bemerkung: CURRENT LIMITING LOW SIDE DRIVER
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
№ 8: 8542 31 90 00
auf Bestellung 44 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+3.72 EUR
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IRFP4110PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100
Idd,A: 120
Rds(on), Ohm: 3.7mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
auf Bestellung 60 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+2.1 EUR
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0,01 Ohm 1% 1W 2512 (RL2512JK-0R01 – Hitano)
Produktcode: 104933
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rl_20190531-hitano.pdf
0,01 Ohm 1% 1W 2512 (RL2512JK-0R01 – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 0,01 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1 W
U Betriebs.,V: 200 V (500 V max over load)
Größe Typ: 2512
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 4000 St.
4000 St. - erwartet 30.04.2026
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Индуктивный датчик приближения LJ12A3-4-Z/BX
Produktcode: 133347
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lj12a3-datasheet.pdf
Индуктивный датчик приближения LJ12A3-4-Z/BX
Aktive Bauelemente > Sensoren
Beschreibung: Для визначення наближення до Датчика металевих поверхонь. Полярність: NPN. Відстань виявлення: 4 мм.
Ausgang/Schnittstelle: Аналоговий
Versorgung: 6...36 V
Тип датчика: Індуктивний датчик наближення
auf Bestellung 512 St.:
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Produktcode: 191983
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bd139.pdf bd135-d.pdf
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 898 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
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