HER307 YJ
Produktcode: 30484
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: YJ
Gehäuse: DO-27
Vrr, V: 800
Iav, A: 3
Trr, ns: 70
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details HER307 YJ
- DIODE, FAST, 3A, 800V
- Diode Type:Fast Recovery
- Voltage Vrrm:800V
- Av Current If:3A
- Max Voltage Vf:1.7V
- Max Reverse RecoveryTime, trr:50ns
- Max Current Ifs:150A
- Operating Temperature Range:-65`C to +150`C
- Diode Case Style:DO-201AD
- No. of Pins:2
- Case Style:DO-201AD
- Current If @ Vf:3A
- Current Ifsm:150A
- External Diameter:5.6mm
- External Length / Height:9.5mm
- Forward Voltage:1V
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Termination Type:Axial Leaded
Weitere Produktangebote HER307
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| HER307 | Hersteller : EIC Semiconductor |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo/Bag/T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| HER307 | Hersteller : DC Components |
3.0A 800V DO-27 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| HER307 | Код виробника: HER307G 3.0A 800V DO-27 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||
| HER307 | Hersteller : MCC Corp. |
3.0A 800V DO-201AD Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| HER307 | Hersteller : MIC |
3.0A 800V DO-27 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| HER307 | Hersteller : SUNMATE | 3.0A 800V DO-27 (DO-201AD) Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| HER307 | Hersteller : Yangzhou Yangjie Electronic | Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
|
|
HER307 | Hersteller : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt 150 Amp IFSM |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
HER307 | Hersteller : DC COMPONENTS |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 150A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 100ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
HER307 | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| HER307 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
| IRFP4110PBF Produktcode: 40699
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100
Idd,A: 120
Rds(on), Ohm: 3.7mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100
Idd,A: 120
Rds(on), Ohm: 3.7mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
auf Bestellung 43 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.32 EUR |
| 10+ | 2.1 EUR |
| Индуктивный датчик приближения LJ12A3-4-Z/BX Produktcode: 133347
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Aktive Bauelemente > Sensoren
Beschreibung: Для визначення наближення до Датчика металевих поверхонь. Полярність: NPN. Відстань виявлення: 4 мм.
Ausgang/Schnittstelle: Аналоговий
Versorgung: 6...36 V
Тип датчика: Індуктивний датчик наближення
Beschreibung: Для визначення наближення до Датчика металевих поверхонь. Полярність: NPN. Відстань виявлення: 4 мм.
Ausgang/Schnittstelle: Аналоговий
Versorgung: 6...36 V
Тип датчика: Індуктивний датчик наближення
auf Bestellung 399 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IR2121PBF Produktcode: 35516
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 5...12 V
I o +/-, A: 1/2 A
V out, V: 12-18 V
T on/T off, ns: 150/150 ns
Bemerkung: CURRENT LIMITING LOW SIDE DRIVER
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
№ 8: 8542 31 90 00
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 5...12 V
I o +/-, A: 1/2 A
V out, V: 12-18 V
T on/T off, ns: 150/150 ns
Bemerkung: CURRENT LIMITING LOW SIDE DRIVER
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
№ 8: 8542 31 90 00
auf Bestellung 34 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.72 EUR |
| 0,01 Ohm 1% 1W 2512 (RL2512JK-0R01 – Hitano) Produktcode: 104933
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 0,01 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1 W
U Betriebs.,V: 200 V (500 V max over load)
Größe Typ: 2512
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 0,01 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1 W
U Betriebs.,V: 200 V (500 V max over load)
Größe Typ: 2512
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet:
4000 St.
4000 St. - erwartet
| 10nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB103-Yageo) Produktcode: 124579
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 10 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 10 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 13454 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH






