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HER307

HER307 YJ

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Produktcode: 30484
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Hersteller: YJ
Gehäuse: DO-27
Vrr, V: 800
Iav, A: 3
Trr, ns: 70
auf Bestellung 843 St.:
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Technische Details HER307 YJ

  • DIODE, FAST, 3A, 800V
  • Diode Type:Fast Recovery
  • Voltage Vrrm:800V
  • Av Current If:3A
  • Max Voltage Vf:1.7V
  • Max Reverse RecoveryTime, trr:50ns
  • Max Current Ifs:150A
  • Operating Temperature Range:-65`C to +150`C
  • Diode Case Style:DO-201AD
  • No. of Pins:2
  • Case Style:DO-201AD
  • Current If @ Vf:3A
  • Current Ifsm:150A
  • External Diameter:5.6mm
  • External Length / Height:9.5mm
  • Forward Voltage:1V
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Termination Type:Axial Leaded

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
HER307 DC Components HER301-HER308.pdf description 3.0A 800V DO-27 Діоди та діодні збірки
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HER307 MCC Corp. HER301-308%28DO-201AD%29.pdf description 3.0A 800V DO-201AD Діоди та діодні збірки
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HER307 MIC her30.pdf description 3.0A 800V DO-27 Діоди та діодні збірки
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HER307 SUNMATE description 3.0A 800V DO-27 (DO-201AD) Діоди та діодні збірки
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HER307 Yangzhou Yangjie Electronic description Діоди та діодні збірки
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HER307 HER307 Taiwan Semiconductor description Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt 150 Amp IFSM
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HER307 description HER301-HER308.pdf
Hersteller: DC Components
3.0A 800V DO-27 Діоди та діодні збірки
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HER307 description HER301-308%28DO-201AD%29.pdf
Hersteller: MCC Corp.
3.0A 800V DO-201AD Діоди та діодні збірки
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Hersteller: MIC
3.0A 800V DO-27 Діоди та діодні збірки
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Hersteller: SUNMATE
3.0A 800V DO-27 (DO-201AD) Діоди та діодні збірки
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Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic
Діоди та діодні збірки
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HER307
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 3.0 Amp 800 Volt 150 Amp IFSM
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IRFP4110PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100
Idd,A: 120
Rds(on), Ohm: 3.7mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
auf Bestellung 41 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+2.32 EUR
10+2.1 EUR
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Индуктивный датчик приближения LJ12A3-4-Z/BX
Aktive Bauelemente > Sensoren
Beschreibung: Для визначення наближення до Датчика металевих поверхонь. Полярність: NPN. Відстань виявлення: 4 мм.
Ausgang/Schnittstelle: Аналоговий
Versorgung: 6...36 V
Тип датчика: Індуктивний датчик наближення
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erwartet 1010 St.:
1000 St. - erwartet 25.09.2026
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1 kOhm 5% 0,5W Ausfuhr. (CR050SJTB-1K-Hitano)
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1 kOhm 5% 0,5W Ausfuhr. (CR050SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,4W 0,5W 0,6W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,5W
U Betriebs.,V: 350V
Größe Typ: 6x2,3mm, DAusfuhr.=0,55mm
Typ: Kohlen- ausfuhrungs- miniatur
verfügbar: 9810 St.
  • 490 St. - stock Köln
  • 9320 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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100+0.0078 EUR
1000+0.0062 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu
Produktcode: 17804
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description UF4001-4007.pdf
UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
ZCODE: 8541 10 00 10
verfügbar: 5441 St.
  • 1035 St. - stock Köln
  • 4406 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
1+0.5 EUR
10+0.45 EUR
100+0.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HER308
Produktcode: 31476
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description HER301-8_UF5401-8.pdf
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-27
Vrr, V: 1000
Iav, A: 3
Trr, ns: 70
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10+0.088 EUR
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