Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3520/56
Montage: THT

Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 20A 500V 280W 0.27Ω IRFP460A TIRFP460 a
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 20 А, Ptot, Вт = 280, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3100 @ 25, Qg, нКл = 105 @ 10 В, Rds = 270 мОм @ 12 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Очікується: 2
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

Hersteller: IR
08+;

Hersteller: Infineon

Hersteller: Vishay
N-MOSFET 20A 500V 250W Replacement: IRFP460A IRFP460 TIRFP460
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

Hersteller: SILI
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 20 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3100/105
Montage: THT

Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 20 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3100/105
Montage: THT

SMPS MOSFET TO247 Транзистори

Hersteller: IR
Транз. Пол. ВП N-HEXFET TO247AC Udss=500V; Id=20A; Pdmax=280W; Rds=0,27 Ohm Транзистори польові