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IRFP460A

IRFP460A

irfp460A.pdf
Produktcode: 22361
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.22
Ciss, pF/Qg, nC: 3520/56
JHGF: THT
verfügbar 153 Stück:
5 Stück - stock Köln
148 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+1.88 EUR
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Technische Details IRFP460A IR

  • MOSFET, N TO-247
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:500V
  • Cont Current Id:20A
  • On State Resistance:0.27ohm
  • Case Style:TO-247AC
  • Max Voltage Vds:500V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation:280W
  • Power Dissipation Pd:280W
  • Pulse Current Idm:80A
  • Voltage Vds:500V
  • Transistor Case Style:TO-247AC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFP460APBF IRFP460APBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAD8F65164CD0A0C7&compId=irfp460a.pdf?ci_sign=19077389b3f12350259b7534742f50698e52928c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.38 EUR
29+2.53 EUR
30+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IRFP460APBF IRFP460APBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAD8F65164CD0A0C7&compId=irfp460a.pdf?ci_sign=19077389b3f12350259b7534742f50698e52928c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP460APBF IRFP460APBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfp460.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
auf Bestellung 2188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.95 EUR
25+4.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRFP460APBF IRFP460APBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfp460.pdf MOSFETs TO247 500V 20A N-CH MOSFET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.29 EUR
10+6.92 EUR
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IRFP460APBF IRFP460APBF Hersteller : Vishay sihfp460.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP460APBF IRFP460APBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0014480883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFP460APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP460APBF Hersteller : Vishay/IR sihfp460.pdf SMPS MOSFET TO247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP460APBF IRFP460APBF
Produktcode: 45531
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Hersteller : Siliconix sihfp460.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3100/105
JHGF: THT
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IRFP460APBF IRFP460APBF Hersteller : Vishay sihfp460.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP460APBF IRFP460APBF Hersteller : Vishay sihfp460.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 27326 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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R16 10 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Produktcode: 28623
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ygigig468925rtdrtcdgvvfhge.jpg
R16 10 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B103-L15)
Hersteller: CTR
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 10 kOhm
Beschreibung: Kohlenstoff- Potentiometer linear, mono
Typ: verdrehbar
Abmessungen: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний
verfügbar: 1751 Stück
71 Stück - stock Köln
1680 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 2000 Stück
2000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.68 EUR
10+0.56 EUR
100+0.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM358N
Produktcode: 181180
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2011041434_HGSEMI-LM358M-TR_C398078.pdf
LM358N
Hersteller: HGSEMI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 2 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
ZCODE: 2
Монтаж: THT
auf Bestellung 277 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5554 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
100+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX55-C2V7
Produktcode: 26894
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BZX55.pdf
BZX55-C2V7
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 2,7
Istab.direkt,A: 5mA
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -1.9mV/K
auf Bestellung 410 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.028 EUR
1000+0.026 EUR
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