Suchergebnisse für "IRFP4668PBF" : 19

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IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC
Produktcode: 32680
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Infineon (IRF) description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
auf Bestellung 36 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+6.79 EUR
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C092F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4668pbf.pdf?ci_sign=45a153989e46de31f118c0c4d47723eb943f959c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.69 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.69 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
1000+2.86 EUR
1200+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Power MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.2 EUR
50+5.92 EUR
200+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Power MOSFET
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Power MOSFET
auf Bestellung 2021 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.12 EUR
29+4.89 EUR
40+3.33 EUR
100+2.83 EUR
400+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN-3007086.pdf MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN-3007086.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC
Produktcode: 32680
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description
IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
auf Bestellung 36 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.79 EUR
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IRFP4668PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C092F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4668pbf.pdf?ci_sign=45a153989e46de31f118c0c4d47723eb943f959c
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.69 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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IRFP4668PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C092F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4668pbf.pdf?ci_sign=45a153989e46de31f118c0c4d47723eb943f959c
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.69 EUR
24+3.09 EUR
25+2.92 EUR
1000+2.86 EUR
1200+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 16
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IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IRFP4668PBF 3732313.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 8702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
400+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 2020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+4.1 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+6.2 EUR
50+5.92 EUR
200+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
400+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 2021 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+5.12 EUR
29+4.89 EUR
40+3.33 EUR
100+2.83 EUR
400+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IRFP4668PBFXKMA1 3732313.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN-3007086.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN-3007086.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
Produkt ist nicht verfügbar
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