Suchergebnisse für "IRFP4668PBF" : 23

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IRFP4668PBF IRFP4668PBF
Produktcode: 32680
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IR infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 130 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10720/161
Montage: THT
auf Bestellung: 127 St.
  • 127 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+11.55 EUR
10+10.92 EUR
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4668pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.9 EUR
29+8.03 EUR
100+5.97 EUR
500+4.58 EUR
1000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+13.93 EUR
25+13.1 EUR
50+12.3 EUR
100+11.6 EUR
250+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.52 EUR
400+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.58 EUR
400+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.21 EUR
16+5.66 EUR
18+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 1796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.53 EUR
25+7.96 EUR
100+6.63 EUR
500+5.57 EUR
1000+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 11963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.7 EUR
10+9.17 EUR
100+7.38 EUR
400+6.51 EUR
1200+5.87 EUR
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 7788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.39 EUR
36+4.94 EUR
100+4.15 EUR
400+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.01 EUR
32+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.77 EUR
28+8.4 EUR
100+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.96 EUR
32+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 7790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.38 EUR
36+4.82 EUR
100+3.99 EUR
400+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 13300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+6.18 EUR
500+5.77 EUR
1000+5.34 EUR
10000+4.91 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf MOSFET N-Ch 200V 130A TO-247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf MOSFET N-Ch 200V 130A TO247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF
Produktcode: 32680
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 130 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10720/161
Montage: THT
auf Bestellung: 127 St.
  • 127 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.55 EUR
10+10.92 EUR
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IRFP4668PBF irfp4668pbf.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF 3732313.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+10.9 EUR
29+8.03 EUR
100+5.97 EUR
500+4.58 EUR
1000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+13.93 EUR
25+13.1 EUR
50+12.3 EUR
100+11.6 EUR
250+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.52 EUR
400+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.58 EUR
400+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+6.21 EUR
16+5.66 EUR
18+4.83 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 1796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.53 EUR
25+7.96 EUR
100+6.63 EUR
500+5.57 EUR
1000+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 11963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.7 EUR
10+9.17 EUR
100+7.38 EUR
400+6.51 EUR
1200+5.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 7788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+7.39 EUR
36+4.94 EUR
100+4.15 EUR
400+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+9.01 EUR
32+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 3732313.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+12.77 EUR
28+8.4 EUR
100+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+8.96 EUR
32+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
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IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
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IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
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MOSFET N-Ch 200V 130A TO-247-3 Транзистори
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Hersteller: Infineon
MOSFET N-Ch 200V 130A TO247AC Транзистори
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N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC Транзистори
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