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IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC
Produktcode: 32680
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Infineon (IRF) description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
auf Bestellung 208 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+6.79 EUR
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C092F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4668pbf.pdf?ci_sign=45a153989e46de31f118c0c4d47723eb943f959c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
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400+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 5801 Stücke:
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1+7.88 EUR
10+4.7 EUR
100+4.01 EUR
400+3.22 EUR
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IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 6000 Stücke:
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147+3.7 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 147
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auf Bestellung 3771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.57 EUR
39+3.64 EUR
100+3.07 EUR
400+2.56 EUR
2800+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 3768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.55 EUR
39+3.63 EUR
100+3.06 EUR
400+2.55 EUR
2800+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+2.94 EUR
2800+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+2.94 EUR
2800+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C092F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4668pbf.pdf?ci_sign=45a153989e46de31f118c0c4d47723eb943f959c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC
Produktcode: 32680
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description
IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
auf Bestellung 208 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.79 EUR
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IRFP4668PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C092F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4668pbf.pdf?ci_sign=45a153989e46de31f118c0c4d47723eb943f959c
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF 3732313.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
400+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
400+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon-IRFP4668-DataSheet-v02_02-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 5801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.88 EUR
10+4.7 EUR
100+4.01 EUR
400+3.22 EUR
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IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
147+3.7 EUR
500+3.38 EUR
1000+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 147
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Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 3771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+5.57 EUR
39+3.64 EUR
100+3.07 EUR
400+2.56 EUR
2800+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 3768 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+5.55 EUR
39+3.63 EUR
100+3.06 EUR
400+2.55 EUR
2800+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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IRFP4668PBFXKMA1 3732313.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
400+2.94 EUR
2800+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
400+2.94 EUR
2800+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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IRFP4668PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C092F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4668pbf.pdf?ci_sign=45a153989e46de31f118c0c4d47723eb943f959c
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF Infineon-IRFP4668-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH