Suchergebnisse für "IRFP4668PBF" : 3
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC Produktcode: 32680
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Infineon (IRF) |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247AC Uds,V: 200 V Idd,A: 130 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161 JHGF: THT |
auf Bestellung 145 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
| IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC Produktcode: 32680
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: Infineon (IRF)
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
auf Bestellung 145 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.79 EUR |
| IRFP4668PBFXKMA1 |
|
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 14+ | 5.45 EUR |
| 16+ | 4.68 EUR |
| 20+ | 3.58 EUR |
| 25+ | 2.92 EUR |