Suchergebnisse für "IRFP4668PBF" : 17

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IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC
Produktcode: 32680
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Infineon (IRF) description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
auf Bestellung 141 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+6.79 EUR
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4668pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.79 EUR
17+4.4 EUR
18+4.05 EUR
25+3.42 EUR
50+2.99 EUR
100+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+11.31 EUR
25+10.41 EUR
50+9.62 EUR
100+8.92 EUR
250+8.3 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.46 EUR
18+4.15 EUR
20+3.59 EUR
25+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 12412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.87 EUR
10+4.61 EUR
100+3.82 EUR
400+3.59 EUR
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IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.71 EUR
25+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 13300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+3.66 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.05 EUR
10000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 147
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.59 EUR
37+3.73 EUR
100+3.11 EUR
400+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC
Produktcode: 32680
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description
IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
auf Bestellung 141 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.79 EUR
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IRFP4668PBF irfp4668pbf.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.79 EUR
17+4.4 EUR
18+4.05 EUR
25+3.42 EUR
50+2.99 EUR
100+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IRFP4668PBF 3732313.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+11.31 EUR
25+10.41 EUR
50+9.62 EUR
100+8.92 EUR
250+8.3 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
75+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.46 EUR
18+4.15 EUR
20+3.59 EUR
25+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 12412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.87 EUR
10+4.61 EUR
100+3.82 EUR
400+3.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.71 EUR
25+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 3732313.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 13300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
147+3.66 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.05 EUR
10000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 147
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IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
26+5.59 EUR
37+3.73 EUR
100+3.11 EUR
400+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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IRFP4668PBF Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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