Suchergebnisse für "IRFP4668PBF" : 23

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IRFP4668PBF IRFP4668PBF
Produktcode: 32680
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IR infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 130 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10720/161
Montage: THT
auf Bestellung: 112 St.
  • 112 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+11.55 EUR
10+10.92 EUR
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.26 EUR
25+13.4 EUR
50+12.58 EUR
100+11.86 EUR
250+11.33 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 2654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11 EUR
29+8.1 EUR
100+6.05 EUR
500+4.93 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineonirfp4668datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.53 EUR
25+8.6 EUR
50+7.84 EUR
100+7.19 EUR
500+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 32485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.05 EUR
10+10.08 EUR
100+8.1 EUR
400+7.19 EUR
1200+6.37 EUR
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 11215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+7.31 EUR
100+6.85 EUR
500+6.35 EUR
1000+5.85 EUR
10000+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 7722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
auf Bestellung 7722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4668pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon_irfp4668_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf MOSFET N-Ch 200V 130A TO247AC Транзистори
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IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf MOSFET N-Ch 200V 130A TO-247-3 Транзистори
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC Транзистори
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IRFP4668PBF
Produktcode: 32680
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 В
Drain-Strom Idd, A: 130 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10720/161
Montage: THT
auf Bestellung: 112 St.
  • 112 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.55 EUR
10+10.92 EUR
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IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+14.26 EUR
25+13.4 EUR
50+12.58 EUR
100+11.86 EUR
250+11.33 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 9700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 2654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+11 EUR
29+8.1 EUR
100+6.05 EUR
500+4.93 EUR
1000+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineonirfp4668datasheeten.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1099 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.53 EUR
25+8.6 EUR
50+7.84 EUR
100+7.19 EUR
500+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 32485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.05 EUR
10+10.08 EUR
100+8.1 EUR
400+7.19 EUR
1200+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 11215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+7.31 EUR
100+6.85 EUR
500+6.35 EUR
1000+5.85 EUR
10000+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+9.22 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 1210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 7722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 7722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+7.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF irfp4668pbf.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineon_irfp4668_datasheet_en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon
MOSFET N-Ch 200V 130A TO247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
MOSFET N-Ch 200V 130A TO-247-3 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon
N-Channel 200 V 130A (Tc) 520W Through Hole TO-247AC Транзистори
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