Suchergebnisse für "IRFP4668PBF" : 20

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IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC
Produktcode: 32680
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Infineon (IRF) description Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
auf Bestellung 175 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+6.79 EUR
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4668pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+7.64 EUR
15+5.03 EUR
16+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4668pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.64 EUR
15+5.03 EUR
16+4.76 EUR
1000+4.65 EUR
1200+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN-3007086.pdf MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.21 EUR
10+9.75 EUR
25+7.59 EUR
100+6.48 EUR
250+6.41 EUR
400+5.72 EUR
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies irfp4668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 7619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+8.87 EUR
25+5.13 EUR
100+4.24 EUR
500+3.52 EUR
1000+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.50 EUR
26+6.21 EUR
35+4.34 EUR
50+4.17 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.13 EUR
50+4.84 EUR
800+4.64 EUR
1600+4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+5.50 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBF IRFP4668PBF Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.50 EUR
26+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN-3007086.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.82 EUR
25+5.74 EUR
400+5.51 EUR
1200+3.57 EUR
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IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+8.87 EUR
25+5.13 EUR
100+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Power MOSFET
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.43 EUR
21+7.59 EUR
50+6.71 EUR
100+6.18 EUR
200+5.68 EUR
400+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Power MOSFET
auf Bestellung 6590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+2.89 EUR
1200+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Power MOSFET
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.61 EUR
60+2.53 EUR
100+2.36 EUR
250+2.25 EUR
400+2.13 EUR
1200+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Power MOSFET
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+2.89 EUR
1200+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC
Produktcode: 32680
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

description
IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
auf Bestellung 175 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.79 EUR
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IRFP4668PBF irfp4668pbf.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.64 EUR
15+5.03 EUR
16+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF irfp4668pbf.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.64 EUR
15+5.03 EUR
16+4.76 EUR
1000+4.65 EUR
1200+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRFP4668PBF Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN-3007086.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+11.21 EUR
10+9.75 EUR
25+7.59 EUR
100+6.48 EUR
250+6.41 EUR
400+5.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF irfp4668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 7619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+8.87 EUR
25+5.13 EUR
100+4.24 EUR
500+3.52 EUR
1000+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+6.50 EUR
26+6.21 EUR
35+4.34 EUR
50+4.17 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+5.13 EUR
50+4.84 EUR
800+4.64 EUR
1600+4.04 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
400+5.50 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF 3732313.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBF infineon-irfp4668-datasheet-v02_02-en.pdf
IRFP4668PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+6.50 EUR
26+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN-3007086.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+8.82 EUR
25+5.74 EUR
400+5.51 EUR
1200+3.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d
IRFP4668PBFXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+8.87 EUR
25+5.13 EUR
100+4.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+9.43 EUR
21+7.59 EUR
50+6.71 EUR
100+6.18 EUR
200+5.68 EUR
400+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
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Anzahl Preis
400+2.89 EUR
1200+2.76 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
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28+5.61 EUR
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250+2.25 EUR
400+2.13 EUR
1200+2.02 EUR
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IRFP4668PBFXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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