Suchergebnisse für "IRFP4668PBF" : 18
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC Produktcode: 32680
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Lieblingsprodukt
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Infineon (IRF) |
![]() Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 200 V Idd,A: 130 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161 JHGF: THT |
auf Bestellung 209 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP4668PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 9.7mΩ Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 161nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 520W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFP4668PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4668PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4668PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4668PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4668PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IRFP4668PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2344 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4668PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 9.7mΩ Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 161nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 520W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFP4668PBF | Infineon Technologies |
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IRFP4668PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFP4668PBF Lestungs-Transistor N-MOSFET 130A 200V 520W 0.0097Ω TO247AC Produktcode: 32680
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Infineon (IRF)
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
JHGF: THT
auf Bestellung 209 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 6.79 EUR |
IRFP4668PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP4668PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP4668PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP4668PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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325+ | 3.57 EUR |
IRFP4668PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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28+ | 5.19 EUR |
IRFP4668PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP4668PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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12+ | 12.19 EUR |
25+ | 11.21 EUR |
50+ | 10.36 EUR |
100+ | 9.61 EUR |
250+ | 8.94 EUR |
IRFP4668PBFXKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 7.88 EUR |
10+ | 4.7 EUR |
100+ | 4.01 EUR |
400+ | 3.22 EUR |
IRFP4668PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
auf Bestellung 2344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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27+ | 5.42 EUR |
40+ | 3.52 EUR |
100+ | 3.01 EUR |
400+ | 2.4 EUR |
IRFP4668PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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21+ | 7.01 EUR |
25+ | 5.59 EUR |
50+ | 5.31 EUR |
IRFP4668PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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400+ | 2.83 EUR |
IRFP4668PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
27+ | 5.44 EUR |
40+ | 3.53 EUR |
100+ | 3.02 EUR |
400+ | 2.4 EUR |
IRFP4668PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
400+ | 2.83 EUR |
IRFP4668PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
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IRFP4668PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
MOSFETs MOSFT 200V 130A 9.7mOhm 161nC Qg
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP4668PBFXKMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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