Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,78 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 46/240

Hersteller: China
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,78 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 Вт
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 46/110

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,78 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 46/110
Zolltarifnummer: 8541 29 00 90

Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 45A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/110ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 800V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 200 W

Hersteller: International Rectifier
1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package Транзистори

Hersteller: Infineon
1200V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package Транзистори