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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL540NPBF IRL540NPBF
Produktcode: 25626
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IR irl540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fc2a62567 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/74
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
verfügbar: 45 St.
  • 5 St. - stock Köln
  • 40 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10 St.
    1+2.19 EUR
    10+1.98 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRL540PBF IRL540PBF
    Produktcode: 42050
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    		Vishay irl620.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
    Drain-Strom Idd, A: 28 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2200/64
    Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
    Montage: THT
    verfügbar: 6 St.
      1+1.09 EUR
      10+1 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540-VB VBsemi Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
      Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
      auf Bestellung 26 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      20+2.76 EUR
      Mindestbestellmenge: 20 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540-VB VBsemi Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
      Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
      auf Bestellung 4 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      10+3.36 EUR
      Mindestbestellmenge: 4 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540A IRL540A Fairchild Semiconductor FAIRS02247-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 14A, 5V
      Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220-3
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
      auf Bestellung 3058 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      293+1.87 EUR
      Mindestbestellmenge: 293 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540A FAIRCHILD FAIRS02247-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRL540A.pdf IRL540A
      auf Bestellung 2000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      367+1.8 EUR
      500+1.59 EUR
      1000+1.44 EUR
      Mindestbestellmenge: 367 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540A FAIRCHILD FAIRS02247-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRL540A.pdf IRL540A
      auf Bestellung 1000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      367+1.8 EUR
      500+1.59 EUR
      1000+1.44 EUR
      Mindestbestellmenge: 367 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540N International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRL540N; IRL540N TIRL540
      Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
      auf Bestellung 780 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      25+2 EUR
      Mindestbestellmenge: 25 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540N UMW Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRL540; IRL540N; SP001576440; IRL540N UMW TIRL540 UMW
      Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
      auf Bestellung 125 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      25+1.52 EUR
      Mindestbestellmenge: 25 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540N-CN CHIPNOBO Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 28A; 80W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRL540; IRL540N; SP001576440; IRL540N-CN CHIPNOBO TIRL540 CNB
      Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
      auf Bestellung 75 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      50+0.93 EUR
      Mindestbestellmenge: 50 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540n.pdf Category: THT N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
      Type of transistor: N-MOSFET
      Technology: HEXFET®
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 100V
      Drain current: 36A
      Power dissipation: 140W
      Case: TO220AB
      Mounting: THT
      Kind of package: tube
      Kind of channel: enhancement
      Features of semiconductor devices: logic level
      On-state resistance: 44mΩ
      Gate charge: 49.3nC
      Gate-source voltage: ±16V
      auf Bestellung 3970 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      40+2.13 EUR
      60+1.43 EUR
      68+1.26 EUR
      75+1.14 EUR
      100+1.05 EUR
      250+0.93 EUR
      500+0.84 EUR
      1000+0.77 EUR
      2000+0.71 EUR
      Mindestbestellmenge: 40 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies Infineon_IRL540N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
      auf Bestellung 20895 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      1+3.53 EUR
      10+2.31 EUR
      100+1.82 EUR
      500+1.44 EUR
      1000+1.27 EUR
      2000+1.17 EUR
      5000+1.12 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies irl540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fc2a62567 Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
      Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220AB
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
      Vgs (Max): ±16V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
      auf Bestellung 118253 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      5+4.38 EUR
      50+2.13 EUR
      100+1.9 EUR
      500+1.52 EUR
      1000+1.39 EUR
      2000+1.29 EUR
      5000+1.25 EUR
      Mindestbestellmenge: 5 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON INFN-S-A0012813896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Durchsteckmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 36A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: -
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
      Verlustleistung: 140W
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-220AB
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: -
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
      auf Bestellung 15368 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      68+3.7 EUR
      126+1.84 EUR
      141+1.52 EUR
      500+1.2 EUR
      1000+1.09 EUR
      5000+1.01 EUR
      Mindestbestellmenge: 68 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies infineonirl540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 2014 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      75+2.34 EUR
      100+2.08 EUR
      500+1.63 EUR
      1000+1.46 EUR
      2000+1.33 EUR
      Mindestbestellmenge: 75 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies infineonirl540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 20000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      1000+1.51 EUR
      2000+1.34 EUR
      5000+1.29 EUR
      Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies infineonirl540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 2014 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      75+2.34 EUR
      100+2.03 EUR
      500+1.57 EUR
      1000+1.39 EUR
      2000+1.24 EUR
      Mindestbestellmenge: 75 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies infineonirl540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 49248 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      180+0.99 EUR
      Mindestbestellmenge: 180 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies infineonirl540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 49249 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      37+4.78 EUR
      76+2.25 EUR
      100+1.94 EUR
      500+1.5 EUR
      1000+1.32 EUR
      2000+1.18 EUR
      5000+1.12 EUR
      Mindestbestellmenge: 37 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies infineonirl540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      auf Bestellung 20000 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      1000+1.51 EUR
      2000+1.38 EUR
      5000+1.33 EUR
      Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NSTRL International Rectifier irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
      Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
      auf Bestellung 10 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      10+4.45 EUR
      Mindestbestellmenge: 10 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
      Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
      Type of transistor: N-MOSFET
      Technology: HEXFET®
      Polarisation: unipolar
      Drain-source voltage: 100V
      Drain current: 36A
      Power dissipation: 3.8W
      Case: D2PAK
      Mounting: SMD
      Kind of package: reel
      Kind of channel: enhancement
      Features of semiconductor devices: logic level
      auf Bestellung 1889 Stücke:
      Lieferzeit 14-21 Tag (e)
      27+3.25 EUR
      48+1.78 EUR
      57+1.5 EUR
      100+1.39 EUR
      250+1.27 EUR
      500+1.19 EUR
      800+1.14 EUR
      1600+1.07 EUR
      Mindestbestellmenge: 27 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRL540NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
      auf Bestellung 2105 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      1+4.99 EUR
      10+3.09 EUR
      100+2.28 EUR
      500+1.77 EUR
      800+1.62 EUR
      2400+1.57 EUR
      4800+1.48 EUR
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
      Packaging: Cut Tape (CT)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
      Vgs (Max): ±16V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
      auf Bestellung 19749 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      5+4.32 EUR
      10+2.76 EUR
      100+1.88 EUR
      Mindestbestellmenge: 5 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
      Vgs (Max): ±16V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
      auf Bestellung 19200 Stücke:
      Lieferzeit 10-14 Tag (e)
      800+1.42 EUR
      1600+1.3 EUR
      2400+1.25 EUR
      4000+1.19 EUR
      5600+1.15 EUR
      8000+1.12 EUR
      Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
      auf Bestellung 58 Stücke:
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      IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 36A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: Y
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
      Verlustleistung: 140W
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: HEXFET
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
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      IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
      tariffCode: 85412900
      Transistormontage: Oberflächenmontage
      euEccn: NLR
      Drain-Source-Spannung Vds: 100V
      rohsCompliant: YES
      Dauer-Drainstrom Id: 36A
      hazardous: false
      rohsPhthalatesCompliant: YES
      Qualifikation: -
      isCanonical: N
      MSL: MSL 1 - unbegrenzt
      Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
      Verlustleistung: 140W
      SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
      Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
      Anzahl der Pins: 3Pin(s)
      Produktpalette: HEXFET
      productTraceability: Yes-Date/Lot Code
      usEccn: EAR99
      Kanaltyp: n-Kanal
      Betriebstemperatur, max.: 175°C
      Rds(on)-Prüfspannung: 10V
      Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
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      IRL540PBF IRL540PBF Vishay irl540.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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      IRL540SPBF IRL540SPBF Vishay Semiconductors sihl540s.pdf MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
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      IRL540SPBF IRL540SPBF Vishay sihl540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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      IRL540SPBF IRL540SPBF Vishay sihl540s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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      IRL540NS International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
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      IRL540NS description IRL540NS Транзисторы HEXFET
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      IRL540NSC IR
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      IRL540NSTRLPBF International Rectifier/Infineon irl540nspbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 36 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 74 @ 5 В, Rds = 44 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 1550 Од. вим
      Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
      verfügbar 576 Stücke:
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      IRL540S IR sihl540s.pdf SOT263 10+
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      IRL540SPBF VISHAY sihl540s.pdf
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      YFW30N10AC YFW30N10AC YFW TIRL540_YFW_x_YFW.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 45mOhm; 30A; 88W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRL540N; IRL 540 N; YFW30N10AC; IRL540N-VB; IRL540N-CN; YFW30N10AC TIRL540 YFW
      Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
      auf Bestellung 197 Stücke:
      Lieferzeit 7-14 Tag (e)
      50+0.96 EUR
      Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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      IRL540NS IRL540NS
      Produktcode: 99527
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      		IR irl540ns.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: D2PAK (TO-263)
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
      Drain-Strom Idd, A: 36 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/74
      Montage: SMD
      Produkt ist nicht verfügbar
      1+0.76 EUR
      10+0.71 EUR
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      IRL540 IRL540 Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
      Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220AB
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
      Vgs (Max): ±10V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540 IRL540 Vishay / Siliconix irl620.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
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      IRL540A IRL540A onsemi IRL540A.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 14A, 5V
      Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220-3
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
      Vgs (Max): ±20V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540L Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO262-3
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
      Mounting Type: Through Hole
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
      Supplier Device Package: TO-262-3
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
      Vgs (Max): ±10V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NL IRL540NL Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-262
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
      Vgs (Max): ±16V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NLPBF IRL540NLPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-262
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
      Vgs (Max): ±16V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NPBF IRL540NPBF Infineon Technologies infineonirl540ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NSPBF IRL540NSPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 description Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK
      Part Status: Discontinued at Digi-Key
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
      Vgs (Max): ±16V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
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      IRL540NSTRR IRL540NSTRR Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK
      Part Status: Obsolete
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
      Vgs (Max): ±16V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      		 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NSTRRPBF IRL540NSTRRPBF Infineon Technologies irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569 Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
      Packaging: Tape & Reel (TR)
      Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
      Mounting Type: Surface Mount
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
      Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
      Supplier Device Package: D2PAK
      Part Status: Discontinued at Digi-Key
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
      Vgs (Max): ±16V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540PBF IRL540PBF Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
      Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220AB
      Part Status: Active
      Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
      Vgs (Max): ±10V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540PBF-BE3 IRL540PBF-BE3 Vishay Siliconix irl540.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
      Packaging: Tube
      Package / Case: TO-220-3
      Mounting Type: Through Hole
      Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
      Technology: MOSFET (Metal Oxide)
      FET Type: N-Channel
      Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
      Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
      Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
      Supplier Device Package: TO-220AB
      Part Status: Active
      Vgs (Max): ±10V
      Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
      Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
      Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
      Produkt ist nicht verfügbar
      Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
      IRL540NPBF
      Produktcode: 25626
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      		irl540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fc2a62567
      IRL540NPBF
      Hersteller: IR
      Transistoren > MOSFET N-CH
      Gehäuse: TO-220
      Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
      Drain-Strom Idd, A: 36 A
      Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
      Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/74
      Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
      Montage: THT
      verfügbar: 45 St.
      • 5 St. - stock Köln
      • 40 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
      erwartet: 10 St.
        AnzahlPrivatkunde
        1+2.19 EUR
        10+1.98 EUR
        Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
        IRL540PBF
        Produktcode: 42050
        zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
        		irl620.pdf
        IRL540PBF
        Hersteller: Vishay
        Transistoren > MOSFET N-CH
        Gehäuse: TO-220
        Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
        Drain-Strom Idd, A: 28 A
        Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
        Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2200/64
        Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
        Montage: THT
        verfügbar: 6 St.
          AnzahlPrivatkunde
          1+1.09 EUR
          10+1 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540-VB
          Hersteller: VBsemi
          Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
          Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
          auf Bestellung 26 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          20+2.76 EUR
          Mindestbestellmenge: 20 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540-VB
          Hersteller: VBsemi
          Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
          Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
          auf Bestellung 4 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          10+3.36 EUR
          Mindestbestellmenge: 4 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540A FAIRS02247-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
          IRL540A
          Hersteller: Fairchild Semiconductor
          Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-220-3
          Mounting Type: Through Hole
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: N-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 14A, 5V
          Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
          Supplier Device Package: TO-220-3
          Part Status: Obsolete
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
          Vgs (Max): ±20V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 5 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
          auf Bestellung 3058 Stücke:
          Lieferzeit 10-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          293+1.87 EUR
          Mindestbestellmenge: 293 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540A FAIRS02247-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRL540A.pdf
          Hersteller: FAIRCHILD
          IRL540A
          auf Bestellung 2000 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          367+1.8 EUR
          500+1.59 EUR
          1000+1.44 EUR
          Mindestbestellmenge: 367 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540A FAIRS02247-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRL540A.pdf
          Hersteller: FAIRCHILD
          IRL540A
          auf Bestellung 1000 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          367+1.8 EUR
          500+1.59 EUR
          1000+1.44 EUR
          Mindestbestellmenge: 367 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540N
          Hersteller: International Rectifier
          Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRL540N; IRL540N TIRL540
          Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
          auf Bestellung 780 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          25+2 EUR
          Mindestbestellmenge: 25 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540N
          Hersteller: UMW
          Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRL540; IRL540N; SP001576440; IRL540N UMW TIRL540 UMW
          Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
          auf Bestellung 125 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          25+1.52 EUR
          Mindestbestellmenge: 25 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540N-CN
          Hersteller: CHIPNOBO
          Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 28A; 80W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRL540; IRL540N; SP001576440; IRL540N-CN CHIPNOBO TIRL540 CNB
          Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
          auf Bestellung 75 Stücke:
          Lieferzeit 7-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          50+0.93 EUR
          Mindestbestellmenge: 50 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NPBF irl540n.pdf
          IRL540NPBF
          Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
          Category: THT N channel transistors
          Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
          Type of transistor: N-MOSFET
          Technology: HEXFET®
          Polarisation: unipolar
          Drain-source voltage: 100V
          Drain current: 36A
          Power dissipation: 140W
          Case: TO220AB
          Mounting: THT
          Kind of package: tube
          Kind of channel: enhancement
          Features of semiconductor devices: logic level
          On-state resistance: 44mΩ
          Gate charge: 49.3nC
          Gate-source voltage: ±16V
          auf Bestellung 3970 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          40+2.13 EUR
          60+1.43 EUR
          68+1.26 EUR
          75+1.14 EUR
          100+1.05 EUR
          250+0.93 EUR
          500+0.84 EUR
          1000+0.77 EUR
          2000+0.71 EUR
          Mindestbestellmenge: 40 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NPBF Infineon_IRL540N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
          IRL540NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          MOSFETs MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
          auf Bestellung 20895 Stücke:
          Lieferzeit 10-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          1+3.53 EUR
          10+2.31 EUR
          100+1.82 EUR
          500+1.44 EUR
          1000+1.27 EUR
          2000+1.17 EUR
          5000+1.12 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NPBF irl540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fc2a62567
          IRL540NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-220-3
          Mounting Type: Through Hole
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: N-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
          Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
          Supplier Device Package: TO-220AB
          Part Status: Active
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
          Vgs (Max): ±16V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
          auf Bestellung 118253 Stücke:
          Lieferzeit 10-14 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          5+4.38 EUR
          50+2.13 EUR
          100+1.9 EUR
          500+1.52 EUR
          1000+1.39 EUR
          2000+1.29 EUR
          5000+1.25 EUR
          Mindestbestellmenge: 5 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NPBF INFN-S-A0012813896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
          IRL540NPBF
          Hersteller: INFINEON
          Description: INFINEON - IRL540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
          tariffCode: 85412900
          Transistormontage: Durchsteckmontage
          euEccn: NLR
          Drain-Source-Spannung Vds: 100V
          rohsCompliant: YES
          Dauer-Drainstrom Id: 36A
          hazardous: false
          rohsPhthalatesCompliant: YES
          Qualifikation: -
          isCanonical: Y
          MSL: -
          Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
          Verlustleistung: 140W
          SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
          Bauform - Transistor: TO-220AB
          Anzahl der Pins: 3Pin(s)
          Produktpalette: -
          productTraceability: Yes-Date/Lot Code
          usEccn: EAR99
          Kanaltyp: n-Kanal
          Betriebstemperatur, max.: 175°C
          Rds(on)-Prüfspannung: 10V
          Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
          auf Bestellung 15368 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          68+3.7 EUR
          126+1.84 EUR
          141+1.52 EUR
          500+1.2 EUR
          1000+1.09 EUR
          5000+1.01 EUR
          Mindestbestellmenge: 68 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NPBF infineonirl540ndatasheetv0101en.pdf
          IRL540NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
          auf Bestellung 2014 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          75+2.34 EUR
          100+2.08 EUR
          500+1.63 EUR
          1000+1.46 EUR
          2000+1.33 EUR
          Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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          Hersteller: International Rectifier
          Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
          Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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          IRL540NSTRLPBF
          Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
          Category: SMD N channel transistors
          Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
          Type of transistor: N-MOSFET
          Technology: HEXFET®
          Polarisation: unipolar
          Drain-source voltage: 100V
          Drain current: 36A
          Power dissipation: 3.8W
          Case: D2PAK
          Mounting: SMD
          Kind of package: reel
          Kind of channel: enhancement
          Features of semiconductor devices: logic level
          auf Bestellung 1889 Stücke:
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          48+1.78 EUR
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          100+1.39 EUR
          250+1.27 EUR
          500+1.19 EUR
          800+1.14 EUR
          1600+1.07 EUR
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          IRL540NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
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          100+2.28 EUR
          500+1.77 EUR
          800+1.62 EUR
          2400+1.57 EUR
          4800+1.48 EUR
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          IRL540NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
          Packaging: Cut Tape (CT)
          Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
          Mounting Type: Surface Mount
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: N-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
          Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
          Supplier Device Package: D2PAK
          Part Status: Active
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
          Vgs (Max): ±16V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
          auf Bestellung 19749 Stücke:
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          5+4.32 EUR
          10+2.76 EUR
          100+1.88 EUR
          Mindestbestellmenge: 5 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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          IRL540NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
          Packaging: Tape & Reel (TR)
          Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
          Mounting Type: Surface Mount
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: N-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
          Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
          Supplier Device Package: D2PAK
          Part Status: Active
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
          Vgs (Max): ±16V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
          auf Bestellung 19200 Stücke:
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          AnzahlPrivatkunde
          800+1.42 EUR
          1600+1.3 EUR
          2400+1.25 EUR
          4000+1.19 EUR
          5600+1.15 EUR
          8000+1.12 EUR
          Mindestbestellmenge: 800 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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          IRL540NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
          auf Bestellung 58 Stücke:
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          AnzahlPrivatkunde
          36+4.95 EUR
          56+3.08 EUR
          Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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          IRL540NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
          auf Bestellung 4660 Stücke:
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          AnzahlPrivatkunde
          45+3.92 EUR
          65+2.63 EUR
          100+1.84 EUR
          800+1.37 EUR
          1600+1.24 EUR
          2400+1.12 EUR
          4000+1.05 EUR
          Mindestbestellmenge: 45 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NSTRLPBF INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
          IRL540NSTRLPBF
          Hersteller: INFINEON
          Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
          tariffCode: 85412900
          Transistormontage: Oberflächenmontage
          euEccn: NLR
          Drain-Source-Spannung Vds: 100V
          rohsCompliant: YES
          Dauer-Drainstrom Id: 36A
          hazardous: false
          rohsPhthalatesCompliant: YES
          Qualifikation: -
          isCanonical: Y
          MSL: MSL 1 - unbegrenzt
          Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
          Verlustleistung: 140W
          SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
          Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
          Anzahl der Pins: 3Pin(s)
          Produktpalette: HEXFET
          productTraceability: Yes-Date/Lot Code
          usEccn: EAR99
          Kanaltyp: n-Kanal
          Betriebstemperatur, max.: 175°C
          Rds(on)-Prüfspannung: 10V
          Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
          auf Bestellung 801 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          45+5.62 EUR
          69+3.37 EUR
          92+2.33 EUR
          109+1.98 EUR
          250+1.94 EUR
          Mindestbestellmenge: 45 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NSTRLPBF irl540nspbf.pdf
          IRL540NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
          auf Bestellung 134400 Stücke:
          Lieferzeit 14-21 Tag (e)
          AnzahlPrivatkunde
          800+1.37 EUR
          1600+1.23 EUR
          2400+1.13 EUR
          4000+1.04 EUR
          5600+0.96 EUR
          8000+0.89 EUR
          Mindestbestellmenge: 800 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NSTRLPBF INFN-S-A0012837948-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
          IRL540NSTRLPBF
          Hersteller: INFINEON
          Description: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
          tariffCode: 85412900
          Transistormontage: Oberflächenmontage
          euEccn: NLR
          Drain-Source-Spannung Vds: 100V
          rohsCompliant: YES
          Dauer-Drainstrom Id: 36A
          hazardous: false
          rohsPhthalatesCompliant: YES
          Qualifikation: -
          isCanonical: N
          MSL: MSL 1 - unbegrenzt
          Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
          Verlustleistung: 140W
          SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
          Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
          Anzahl der Pins: 3Pin(s)
          Produktpalette: HEXFET
          productTraceability: Yes-Date/Lot Code
          usEccn: EAR99
          Kanaltyp: n-Kanal
          Betriebstemperatur, max.: 175°C
          Rds(on)-Prüfspannung: 10V
          Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
          auf Bestellung 801 Stücke:
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          AnzahlPrivatkunde
          100+2.33 EUR
          109+1.98 EUR
          250+1.94 EUR
          Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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          IRL540NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
          auf Bestellung 1600 Stücke:
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          800+1.67 EUR
          1600+1.52 EUR
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          IRL540NSTRLPBF
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          Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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          1600+1.49 EUR
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          Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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          1600+1.55 EUR
          2400+1.45 EUR
          4000+1.36 EUR
          5600+1.3 EUR
          8000+1.25 EUR
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          IRL540NSTRLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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          IRL540PBF
          Hersteller: Vishay
          Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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          IRL540PBF
          Hersteller: Vishay
          Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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          IRL540SPBF
          Hersteller: Vishay Semiconductors
          MOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
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          IRL540SPBF
          Hersteller: Vishay
          Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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          IRL540SPBF
          Hersteller: Vishay
          Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NS description
          Hersteller: International Rectifier
          Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
          auf Bestellung 100 Stücke:
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NS description
          IRL540NS Транзисторы HEXFET
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NSC
          Hersteller: IR
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NSTRLPBF irl540nspbf.pdf
          Hersteller: International Rectifier/Infineon
          N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 36 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 74 @ 5 В, Rds = 44 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 1550 Од. вим
          Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
          verfügbar 576 Stücke:
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540S sihl540s.pdf
          Hersteller: IR
          SOT263 10+
          auf Bestellung 1600 Stücke:
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          Hersteller: VISHAY
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          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          YFW30N10AC TIRL540_YFW_x_YFW.pdf
          YFW30N10AC
          Hersteller: YFW
          Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 45mOhm; 30A; 88W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRL540N; IRL 540 N; YFW30N10AC; IRL540N-VB; IRL540N-CN; YFW30N10AC TIRL540 YFW
          Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
          auf Bestellung 197 Stücke:
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          Mindestbestellmenge: 50 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NS
          Produktcode: 99527
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          		description irl540ns.pdf
          IRL540NS
          Hersteller: IR
          Transistoren > MOSFET N-CH
          Gehäuse: D2PAK (TO-263)
          Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
          Drain-Strom Idd, A: 36 A
          Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
          Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/74
          Montage: SMD
          Produkt ist nicht verfügbar
          AnzahlPrivatkunde
          1+0.76 EUR
          10+0.71 EUR
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540 irl620.pdf
          IRL540
          Hersteller: Vishay Siliconix
          Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-220-3
          Mounting Type: Through Hole
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: N-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
          Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
          Supplier Device Package: TO-220AB
          Part Status: Obsolete
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
          Vgs (Max): ±10V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540 irl620.pdf
          IRL540
          Hersteller: Vishay / Siliconix
          MOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540A IRL540A.pdf
          IRL540A
          Hersteller: onsemi
          Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-220-3
          Mounting Type: Through Hole
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: N-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 14A, 5V
          Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
          Supplier Device Package: TO-220-3
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
          Vgs (Max): ±20V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 5 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540L
          Hersteller: Vishay Siliconix
          Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO262-3
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
          Mounting Type: Through Hole
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: N-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
          Supplier Device Package: TO-262-3
          Part Status: Obsolete
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
          Vgs (Max): ±10V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NL irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569
          IRL540NL
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
          Mounting Type: Through Hole
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: N-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
          Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
          Supplier Device Package: TO-262
          Part Status: Obsolete
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
          Vgs (Max): ±16V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Mindestbestellmenge: 50 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NLPBF irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569
          IRL540NLPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
          Mounting Type: Through Hole
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: N-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
          Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
          Supplier Device Package: TO-262
          Part Status: Obsolete
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
          Vgs (Max): ±16V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Mindestbestellmenge: 600 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NPBF infineonirl540ndatasheetv0101en.pdf
          IRL540NPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
          Produkt ist nicht verfügbar
          Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NSPBF description irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569
          IRL540NSPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
          Mounting Type: Surface Mount
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: N-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
          Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
          Supplier Device Package: D2PAK
          Part Status: Discontinued at Digi-Key
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
          Vgs (Max): ±16V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NSTRR irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569
          IRL540NSTRR
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
          Packaging: Tape & Reel (TR)
          Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
          Mounting Type: Surface Mount
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: N-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
          Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
          Supplier Device Package: D2PAK
          Part Status: Obsolete
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
          Vgs (Max): ±16V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Mindestbestellmenge: 800 Stücke
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540NSTRRPBF irl540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fcbaa2569
          IRL540NSTRRPBF
          Hersteller: Infineon Technologies
          Description: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
          Packaging: Tape & Reel (TR)
          Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
          Mounting Type: Surface Mount
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: N-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
          Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
          Supplier Device Package: D2PAK
          Part Status: Discontinued at Digi-Key
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
          Vgs (Max): ±16V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540PBF irl620.pdf
          IRL540PBF
          Hersteller: Vishay Siliconix
          Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-220-3
          Mounting Type: Through Hole
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: N-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
          Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
          Supplier Device Package: TO-220AB
          Part Status: Active
          Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
          Vgs (Max): ±10V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
          Produkt ist nicht verfügbar
          Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
          IRL540PBF-BE3 irl540.pdf
          IRL540PBF-BE3
          Hersteller: Vishay Siliconix
          Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
          Packaging: Tube
          Package / Case: TO-220-3
          Mounting Type: Through Hole
          Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
          Technology: MOSFET (Metal Oxide)
          FET Type: N-Channel
          Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
          Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
          Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
          Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
          Supplier Device Package: TO-220AB
          Part Status: Active
          Vgs (Max): ±10V
          Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
          Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
          Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
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