Suchergebnisse für "IRLU024N" : 21

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLU024N IRLU024N
Produktcode: 32876
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IR IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 363 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.44 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF(Transistor) IRLU024NPBF(Transistor)
Produktcode: 73061
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IR Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 190 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N International Rectifier IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N International Rectifier IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DACF5C79FF1A303005056AB0C4F&compId=irlr024npbf.pdf?ci_sign=3af2f11bc76fdb545611693e306e0c4c895c7f1f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+0.93 EUR
158+0.45 EUR
171+0.42 EUR
180+0.4 EUR
182+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 7387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.3 EUR
75+0.55 EUR
150+0.5 EUR
525+0.48 EUR
2025+0.45 EUR
5025+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies Infineon-IRLR024N-DataSheet-v01_01-EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
auf Bestellung 11049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.55 EUR
100+0.48 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF International Rectifier HiRel Products infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
870+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 870
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 32704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
270+0.54 EUR
298+0.47 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.36 EUR
9000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 270
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 32731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.2 EUR
270+0.52 EUR
298+0.45 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.34 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2938+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2938
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF International Rectifier Corporation infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf description TO-251
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF /IR IR 08+;
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRLU024N /IR/
auf Bestellung 2043 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N IRLU024N Infineon Technologies IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DACF5C79FF1A303005056AB0C4F&compId=irlr024npbf.pdf?ci_sign=3af2f11bc76fdb545611693e306e0c4c895c7f1f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
158+0.45 EUR
171+0.42 EUR
180+0.4 EUR
182+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024 IRLU024 Vishay Siliconix sihlr024.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N
Produktcode: 32876
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description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
IRLU024N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 363 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.44 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF(Transistor)
Produktcode: 73061
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IRLU024NPBF(Transistor)
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 190 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DACF5C79FF1A303005056AB0C4F&compId=irlr024npbf.pdf?ci_sign=3af2f11bc76fdb545611693e306e0c4c895c7f1f
IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
158+0.45 EUR
171+0.42 EUR
180+0.4 EUR
182+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 7387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.3 EUR
75+0.55 EUR
150+0.5 EUR
525+0.48 EUR
2025+0.45 EUR
5025+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description Infineon-IRLR024N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
auf Bestellung 11049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.29 EUR
10+0.55 EUR
100+0.48 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
870+0.62 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 870
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 32704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
270+0.54 EUR
298+0.47 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.36 EUR
9000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 270
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 32731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
121+1.2 EUR
270+0.52 EUR
298+0.45 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.34 EUR
9000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2938+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2938
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-en.pdf
Hersteller: International Rectifier Corporation
TO-251
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF /IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRLU024N /IR/
auf Bestellung 2043 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
IRLU024N
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DACF5C79FF1A303005056AB0C4F&compId=irlr024npbf.pdf?ci_sign=3af2f11bc76fdb545611693e306e0c4c895c7f1f
IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU024 sihlr024.pdf
IRLU024
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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