Suchergebnisse für "IRLU024N" : 19

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLU024N IRLU024N
Produktcode: 32876
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IR IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 4934 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.44 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF(Transistor)
Produktcode: 73061
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IR Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 190 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N International Rectifier IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N International Rectifier IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
75+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1.00 EUR
91+0.79 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d description Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 3337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.09 EUR
75+0.91 EUR
150+0.81 EUR
525+0.67 EUR
1050+0.61 EUR
2025+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN-3363536.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
auf Bestellung 29016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+0.86 EUR
100+0.73 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.53 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2963+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2963
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF International Rectifier Corporation irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d description TO-251
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLU024NPBF /IR IR 08+;
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Транзистор IRLU024N /IR/
auf Bestellung 2043 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N IRLU024N Infineon Technologies IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1.00 EUR
91+0.79 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
9000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024 IRLU024 Vishay Siliconix sihlr024.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N
Produktcode: 32876
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description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
IRLU024N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 4934 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.44 EUR
10+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF(Transistor)
Produktcode: 73061
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 190 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
Hersteller: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 110mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLU024N; IRLU 024 N; IRLU024N; IRLU024N TIRLU024n
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
75+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 75
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1.00 EUR
91+0.79 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
auf Bestellung 3337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.09 EUR
75+0.91 EUR
150+0.81 EUR
525+0.67 EUR
1050+0.61 EUR
2025+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN-3363536.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
auf Bestellung 29016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.69 EUR
10+0.86 EUR
100+0.73 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.53 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
214+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 214
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2963+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2963
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 2963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356694f7f265d
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF /IR
Hersteller: IR
08+;
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Транзистор IRLU024N /IR/
auf Bestellung 2043 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024N description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
IRLU024N
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1.00 EUR
91+0.79 EUR
166+0.43 EUR
175+0.41 EUR
9000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU024 sihlr024.pdf
IRLU024
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH