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IRLL024NPBF IRLL024NPBF
Produktcode: 114736
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IR irll024npbf-datasheet.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/10,4
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 430 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLL024NTR Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 100mOhm; 4,4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL024N smd TIRLL024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024n.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 7395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.31 EUR
96+0.89 EUR
134+0.63 EUR
155+0.55 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.3 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLL024N_DS_v01_02_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
auf Bestellung 10991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHLL024NTRPBF
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Транзистор польовий IRLL024N 3.1A 55V N-ch SOT-223
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IRLL024N IRLL024N
Produktcode: 48944
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IR irll024n.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
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IRLL024NTRPBF
Produktcode: 92254
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irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 description Transistoren > MOSFET N-CH
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Транзистор польовий IRLL024NTRPBF Infineon Транзистор польовий IRLL024NTRPBF Infineon Infineon Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4 Транзистори польові
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AUIRLL024NTR Infineon AUIRLL024N.pdf MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-224 Діоди та діодні збірки
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IRLL024N International Rectifier/Infineon IRLL024N_IR.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 510 @ 25, Qg, нКл = 15,6 @ 5 В, Rds = 65 мОм @ 3,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 80 Stücke
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IRLL024NPBF International Rectifier irll024npbf.pdf description SOT-223 Транзистори
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IRLL024NTRPBF International Rectifier irll024npbf.pdf description SOT223 Транзистори
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IRLL024NPBF
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IRLL024NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/10,4
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
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IRLL024NTR
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 100mOhm; 4,4A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL024N smd TIRLL024
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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IRLL024NTRPBF description irll024n.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRLL024NTRPBF description Infineon_IRLL024N_DS_v01_02_EN.pdf
IRLL024NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
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AnzahlPrivatkunde
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10+1.32 EUR
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500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.51 EUR
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SIHLL024NTRPBF
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Транзистор польовий IRLL024N 3.1A 55V N-ch SOT-223
auf Bestellung 50 Stücke:
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IRLL024N
Produktcode: 48944
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IRLL024N
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
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IRLL024NTRPBF
Produktcode: 92254
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Транзистор польовий IRLL024NTRPBF Infineon
Транзистор польовий IRLL024NTRPBF Infineon
Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ MOSFETs MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl SOT-223-4 Транзистори польові
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Hersteller: Infineon
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-224 Діоди та діодні збірки
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IRLL024N IRLL024N_IR.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 510 @ 25, Qg, нКл = 15,6 @ 5 В, Rds = 65 мОм @ 3,1 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 80 Stücke
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IRLL024NPBF description irll024npbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
SOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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Hersteller: International Rectifier
SOT223 Транзистори
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