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IRLL024NPBF

IRLL024NPBF

irll024npbf-datasheet.pdf
Produktcode: 114736
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 55 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/10,4
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Technische Details IRLL024NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 4.4A, SOT-223
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:3.1A
  • On State Resistance:0.065ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Case Style:SOT-223
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:120`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:2.1W
  • Power Dissipation Pd:2.1W
  • Pulse Current Idm:12A
  • SMD Marking:LL024N
  • Transistor Case Style:SOT-223

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRLL024NPBF International Rectifier irll024npbf.pdf description SOT-223 Транзистори
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IRLL024NPBF IRLL024NPBF Infineon Technologies irll024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664451725d3 description Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
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IRLL024NPBF IRLL024NPBF Infineon Technologies Infineon_IRLL024N_DS_v01_02_EN-1228447.pdf description MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10.4nC
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IRLL024NPBF description irll024npbf.pdf
Hersteller: International Rectifier
SOT-223 Транзистори
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Description: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
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Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
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IRLL024NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10.4nC
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Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
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Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
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Strom, V: 2,0...5,5V
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Austauschbar: 8-Bit
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Робоча температура, °С: -40…+85°C
ZCODE: 8542399000
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AnzahlPreis
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