Suchergebnisse für "MJE15032G" : 15

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MJE15032G MJE15032G ONSEMI MJE15033.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+1.86 EUR
56+1.29 EUR
73+0.99 EUR
76+0.94 EUR
100+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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MJE15032G MJE15032G onsemi mje15032-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
auf Bestellung 13318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.19 EUR
10+1.54 EUR
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MJE15032G MJE15032G ON Semiconductor mje15032d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+2.98 EUR
97+1.37 EUR
108+1.18 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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MJE15032G MJE15032G ON Semiconductor mje15032d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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84+1.71 EUR
250+1.39 EUR
500+1.11 EUR
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MJE15032G MJE15032G ONSEMI ONSM-S-A0014421682-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9582 Stücke:
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MJE15032GMJE15033G
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1+3.61 EUR
10+1.88 EUR
100+1.51 EUR
500+1.21 EUR
700+1.11 EUR
2800+1 EUR
5600+0.99 EUR
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MJE15033G MJE15033G onsemi mje15032-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A, 250W, Complementary Silicon Plastic Power Transistors
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1+3.19 EUR
10+1.54 EUR
100+1.38 EUR
500+1.1 EUR
700+0.97 EUR
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MJE15032G (Bipolartransistor NPN) MJE15032G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 28060
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ON MJE15032,15033.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250
Ucbo,V: 250
Ic,A: 8
h21: 70
ZCODE: THT
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1+0.88 EUR
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MJE15032G MJE15032G ON Semiconductor mje15032d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15032G MJE15032G ON Semiconductor mje15032d.pdf Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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MJE15032G ON Semiconductor mje15032.pdf Транзистор NPN, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц =30, hFE = 10 @ 2A, 5В, VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мA, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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MJE15032G On Semiconductor MJE15032-D.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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MJE15032G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 121 Stücke:
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Anzahl Preis
39+1.86 EUR
56+1.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 39
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MJE15032G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN
auf Bestellung 13318 Stücke:
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Anzahl Preis
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10+1.54 EUR
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MJE15032G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+2.98 EUR
97+1.37 EUR
108+1.18 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 48
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MJE15032G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Anzahl Preis
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MJE15032G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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MJE15031G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP
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Anzahl Preis
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10+1.88 EUR
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700+1.11 EUR
2800+1 EUR
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MJE15033G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A, 250W, Complementary Silicon Plastic Power Transistors
auf Bestellung 24700 Stücke:
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Anzahl Preis
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MJE15032G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 28060
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MJE15032G (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 30 MHz
Uceo,V: 250
Ucbo,V: 250
Ic,A: 8
h21: 70
ZCODE: THT
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MJE15032G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц =30, hFE = 10 @ 2A, 5В, VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мA, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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MJE15032G MJE15032-D.pdf
Hersteller: On Semiconductor
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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