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MMUN2111 MMUN2111
Produktcode: 4078
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ON MMUN2111.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
U, V: 50
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 60
Bem.: 10K+10К
auf Bestellung 1563 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.04 EUR
10+0.032 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.028 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ONSEMI DTA114E_MUNx111.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 4607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.14 EUR
725+0.099 EUR
1055+0.068 EUR
1247+0.057 EUR
1553+0.046 EUR
1832+0.039 EUR
2156+0.033 EUR
3000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1G ON-Semiconductor dta114e-d.pdf PNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2111LT1G TMMUN2111lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 12641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.21 EUR
136+0.13 EUR
219+0.08 EUR
500+0.058 EUR
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25211+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 25211
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 34387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25211+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 25211
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MMUN2111LT3G MMUN2111LT3G onsemi dta114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 32001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.2 EUR
23+0.12 EUR
100+0.077 EUR
500+0.055 EUR
1000+0.042 EUR
5000+0.037 EUR
10000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3G MMUN2111LT3G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 6422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.21 EUR
136+0.13 EUR
219+0.08 EUR
500+0.058 EUR
1000+0.051 EUR
2000+0.045 EUR
5000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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MMUN2111LT1 ON MMUN21xxLT1%2C3_Series.pdf 07+;
auf Bestellung 15000 Stücke:
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MMUN2111LT3
auf Bestellung 10000 Stücke:
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MMUN2111R LRC 07+ SOT-23
auf Bestellung 950 Stücke:
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MMUN2111RLT1/A6A LRC 02+ SOT-23
auf Bestellung 800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111T1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMUN2111LT1G SMMUN2111LT1G ONSEMI dta114e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.16 EUR
685+0.1 EUR
1155+0.062 EUR
1429+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMUN2111LT1G SMMUN2111LT1G onsemi dta114e-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR SPCL TR
auf Bestellung 200 Stücke:
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11+0.27 EUR
18+0.16 EUR
100+0.11 EUR
500+0.081 EUR
1000+0.072 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMUN2111LT3G SMMUN2111LT3G onsemi dta114e-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR SPCL TR
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.3 EUR
17+0.17 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.063 EUR
2500+0.06 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
auf Bestellung 618000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMUN2111LT3G dta114e-d.pdf
auf Bestellung 1190000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G
Produktcode: 49208
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dta114e-d.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G onsemi dta114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3G MMUN2111LT3G ONSEMI dta114e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3G MMUN2111LT3G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3G MMUN2111LT3G ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2111LT1G On Semiconductor dta114e-d.pdf TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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MMUN2111T1 On Semiconductor Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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SMMUN2111LT1G SMMUN2111LT1G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMUN2111LT1G SMMUN2111LT1G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMUN2111LT1G-M01 onsemi Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMUN2111LT3G SMMUN2111LT3G ONSEMI dta114e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMUN2111LT3G SMMUN2111LT3G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMUN2111LT3G SMMUN2111LT3G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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MMUN2111
Produktcode: 4078
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MMUN2111.pdf
MMUN2111
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
U, V: 50
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 60
Bem.: 10K+10К
auf Bestellung 1563 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.032 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.028 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1G DTA114E_MUNx111.PDF
MMUN2111LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 4607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
725+0.099 EUR
1055+0.068 EUR
1247+0.057 EUR
1553+0.046 EUR
1832+0.039 EUR
2156+0.033 EUR
3000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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Hersteller: ON-Semiconductor
PNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2111LT1G TMMUN2111lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
MMUN2111LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
MMUN2111LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 12641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.21 EUR
136+0.13 EUR
219+0.08 EUR
500+0.058 EUR
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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MMUN2111LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25211+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 25211
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMUN2111LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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25211+0.021 EUR
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MMUN2111LT3G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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15+0.2 EUR
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500+0.055 EUR
1000+0.042 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMUN2111LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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84+0.21 EUR
136+0.13 EUR
219+0.08 EUR
500+0.058 EUR
1000+0.051 EUR
2000+0.045 EUR
5000+0.038 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON
07+;
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111R
Hersteller: LRC
07+ SOT-23
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MMUN2111RLT1/A6A
Hersteller: LRC
02+ SOT-23
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MMUN2111T1
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SMMUN2111LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
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455+0.16 EUR
685+0.1 EUR
1155+0.062 EUR
1429+0.05 EUR
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SMMUN2111LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR SPCL TR
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11+0.27 EUR
18+0.16 EUR
100+0.11 EUR
500+0.081 EUR
1000+0.072 EUR
3000+0.055 EUR
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SMMUN2111LT3G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR SPCL TR
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10+0.3 EUR
17+0.17 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.063 EUR
2500+0.06 EUR
5000+0.055 EUR
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MMUN2111LT1G
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MMUN2111LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2111LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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MMUN2111LT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
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MMUN2111LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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MMUN2111LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: On Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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MMUN2111T1
Hersteller: On Semiconductor
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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SMMUN2111LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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SMMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
SMMUN2111LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMUN2111LT1G-M01
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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SMMUN2111LT3G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMUN2111LT3G dta114e-d.pdf
SMMUN2111LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
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SMMUN2111LT3G dta114e-d.pdf
SMMUN2111LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
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