Suchergebnisse für "STGB10NB37LZ" : 13

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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4
Produktcode: 34446
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cd00002226-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: D PAK
Vces: 410
Vce: 01.02.2015
Ic 25: 20
Ic 100: 10
verfügbar: 130 Stück
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6F13541CE0F00D6&compId=STGB10NB37LZT4.pdf?ci_sign=c2187b0ac3a1ad725a23ec2e1e458be9727b8ce5 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
auf Bestellung 1483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.46 EUR
30+2.45 EUR
49+1.49 EUR
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Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1483 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics en.CD00002226.pdf IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
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10+2.62 EUR
100+2.09 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.47 EUR
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STGB10NB37LZ; IGBT N-chanal; 20A 18V 125W; Корпус: D2PAK (TO-263); STM
auf Bestellung 48 Stücke:
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Транзистор IGBT STGB10NB37LZT4 20A 440V D2PAK
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STGB10NB37LZ STGB10NB37LZ STMicroelectronics en.CD00002226.pdf description IGBTs 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT
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STGB10NB37LZT4 STGB10NB37LZT4 STMicroelectronics cd0000222.pdf Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Gehäuse: D PAK
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STGB10NB37LZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
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STGB10NB37LZT4
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 440V; 20A; 125W; D2PAK; ignition systems; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 440V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: internally clamped; logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
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Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs 10 A - 410 V Int Clamped IGBT
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auf Bestellung 48 Stücke:
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STGB10NB37LZ
Hersteller: STMicroelectronics
IGBTs 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT
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Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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