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STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3CC432815C469&compId=STP12NM50.pdf?ci_sign=7ea05d606751d0a7b7c031673f265440c1ca7743 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+5.49 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3CC432815C469&compId=STP12NM50.pdf?ci_sign=7ea05d606751d0a7b7c031673f265440c1ca7743 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.49 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
300+1.66 EUR
750+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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STP12NM50 ST en.CD00002079.pdf description N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.CD00002079.pdf description MOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.09 EUR
10+4.05 EUR
100+4.01 EUR
1000+3.29 EUR
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STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.CD00002079.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.83 EUR
50+3.9 EUR
100+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.cd00002079.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+5.75 EUR
40+3.39 EUR
100+3.12 EUR
500+2.67 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.cd00002079.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.cd00002079.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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STP12NM50 STP12NM50 STMicroelectronics en.cd00002079.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.48 EUR
50+4.11 EUR
100+3.92 EUR
500+3.3 EUR
1000+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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STP12NM50 STP12NM50 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0011303553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3CEF5EA65C469&compId=STP12NM50FP.pdf?ci_sign=2f00f1f2830ba1642cafb978941634b1105909cc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.2 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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STP12NM50FP ST en.CD00002079.pdf N-MOSFET 12A 500V 35W STP12NM50FP TSTP12NM50FP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3CEF5EA65C469&compId=STP12NM50FP.pdf?ci_sign=2f00f1f2830ba1642cafb978941634b1105909cc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics en.CD00002079.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.88 EUR
50+4.01 EUR
100+3.95 EUR
500+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics en.CD00002079.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.13 EUR
10+4.19 EUR
100+4.14 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.1 EUR
42+3.34 EUR
100+3.16 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 22998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+5.44 EUR
41+3.38 EUR
100+3.19 EUR
500+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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STP12NM50FP STP12NM50FP STMICROELECTRONICS 2308628.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+5.1 EUR
42+3.34 EUR
100+3.16 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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STP12NM50FP STP12NM50FP STMicroelectronics en.cd00002079.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.45 EUR
22+6.51 EUR
33+4.08 EUR
100+3.83 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.83 EUR
5000+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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STP12NM50FD en.CD00002913.pdf
auf Bestellung 25000 Stücke:
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STP12NM50FDFP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP12NM50N ST en.CD00056230.pdf
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP12NM50ZFP
auf Bestellung 3585 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP12NM50 STP12NM50
Produktcode: 32729
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en.CD00002079.pdf description Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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STP12NM50FP STP12NM50FP
Produktcode: 116311
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en.CD00002079.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50FD STP12NM50FD STMicroelectronics en.CD00002913.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50N STP12NM50N STMicroelectronics en.CD00056230.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3CC432815C469&compId=STP12NM50.pdf?ci_sign=7ea05d606751d0a7b7c031673f265440c1ca7743
STP12NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.49 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA3CC432815C469&compId=STP12NM50.pdf?ci_sign=7ea05d606751d0a7b7c031673f265440c1ca7743
STP12NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.49 EUR
40+1.82 EUR
42+1.72 EUR
300+1.66 EUR
750+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50 description en.CD00002079.pdf
Hersteller: ST
N-MOSFET 12A 500V 160W 0.35Ω STP12NM50 TSTP12NM50
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50 description en.CD00002079.pdf
STP12NM50
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.09 EUR
10+4.05 EUR
100+4.01 EUR
1000+3.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50 description en.CD00002079.pdf
STP12NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.83 EUR
50+3.9 EUR
100+3.85 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50 description en.cd00002079.pdf
STP12NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 11094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+5.75 EUR
40+3.39 EUR
100+3.12 EUR
500+2.67 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50 description en.cd00002079.pdf
STP12NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50 description en.cd00002079.pdf
STP12NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 17436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP12NM50 description en.cd00002079.pdf
STP12NM50
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP12NM50 description SGST-S-A0011303553-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP12NM50
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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STP12NM50FP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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18+4.2 EUR
35+2.09 EUR
37+1.97 EUR
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Hersteller: ST
N-MOSFET 12A 500V 35W STP12NM50FP TSTP12NM50FP
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STP12NM50FP
Hersteller: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 7.5A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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35+2.09 EUR
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STP12NM50FP
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
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100+3.95 EUR
500+3.28 EUR
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STP12NM50FP
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 12 Amp
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10+4.19 EUR
100+4.14 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.41 EUR
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STP12NM50FP
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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28+5.1 EUR
42+3.34 EUR
100+3.16 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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STP12NM50FP
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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41+3.38 EUR
100+3.19 EUR
500+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 27
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STP12NM50FP
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP12NM50FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 360 Stücke:
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STP12NM50FP en.cd00002079.pdf
STP12NM50FP
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 3387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+5.1 EUR
42+3.34 EUR
100+3.16 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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STP12NM50FP en.cd00002079.pdf
STP12NM50FP
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 23000 Stücke:
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Anzahl Preis
20+7.45 EUR
22+6.51 EUR
33+4.08 EUR
100+3.83 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.83 EUR
5000+2.66 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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STP12NM50FD en.CD00002913.pdf
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STP12NM50FDFP
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STP12NM50N en.CD00056230.pdf
Hersteller: ST
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STP12NM50ZFP
auf Bestellung 3585 Stücke:
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STP12NM50
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STP12NM50
Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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STP12NM50FP
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Transistoren > MOSFET N-CH
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STP12NM50FD
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
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STP12NM50N
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH