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DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
auf Bestellung 107500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
7500+0.31 EUR
12500+0.30 EUR
17500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
auf Bestellung 112069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.44 EUR
20+0.90 EUR
100+0.59 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Incorporated DIODS21602_1-2512497.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K
auf Bestellung 2646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.42 EUR
10+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.40 EUR
2500+0.31 EUR
10000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 DIODES INC. DIODS21602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 DIODES INC. DIODS21602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DIODES INCORPORATED DMC3021LSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+0.64 EUR
127+0.57 EUR
160+0.45 EUR
253+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DIODES INCORPORATED DMC3021LSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
127+0.57 EUR
160+0.45 EUR
253+0.29 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DIODES/ZETEX ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Incorporated ds32152.pdf MOSFETs MOSFET COMP PAIR
auf Bestellung 8921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.25 EUR
10+0.82 EUR
100+0.54 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
2500+0.28 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Incorporated ds32152.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.32 EUR
5000+0.31 EUR
7500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Incorporated ds32152.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 53113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.37 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Zetex ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009865585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009865585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Incorporated DMC3021LSDQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 332500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.40 EUR
5000+0.36 EUR
7500+0.35 EUR
12500+0.33 EUR
17500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Incorporated DMC3021LSDQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 30V Comp Pair
auf Bestellung 40632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.81 EUR
100+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.40 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Incorporated DMC3021LSDQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 333913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.58 EUR
18+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004145098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DIODES/ZETEX ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13
Produktcode: 88668
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ds32152.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 DIODES INCORPORATED DMC3021LK4-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 Diodes Zetex dmc3021lk4.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Zetex ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13 Diodes Zetex ds32152.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ-13 Diodes Zetex dmc3021lsdq.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13 DIODES INCORPORATED DMC3021LK4-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf
DMC3021LK4-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
auf Bestellung 107500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
7500+0.31 EUR
12500+0.30 EUR
17500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4_Rev6-3_May2021.pdf
DMC3021LK4-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
auf Bestellung 112069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.44 EUR
20+0.90 EUR
100+0.59 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 DIODS21602_1-2512497.pdf
DMC3021LK4-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K
auf Bestellung 2646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.42 EUR
10+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.40 EUR
2500+0.31 EUR
10000+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 DIODS21602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LK4-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 DIODS21602-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LK4-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13.pdf
DMC3021LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
127+0.57 EUR
160+0.45 EUR
253+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-13.pdf
DMC3021LSD-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
127+0.57 EUR
160+0.45 EUR
253+0.29 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
Hersteller: DIODES/ZETEX
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET COMP PAIR
auf Bestellung 8921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.25 EUR
10+0.82 EUR
100+0.54 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
2500+0.28 EUR
10000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.32 EUR
5000+0.31 EUR
7500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 53113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.37 EUR
21+0.85 EUR
100+0.55 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DIOD-S-A0009865585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 DIOD-S-A0009865585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LSD-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 612 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ.pdf
DMC3021LSDQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 332500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.40 EUR
5000+0.36 EUR
7500+0.35 EUR
12500+0.33 EUR
17500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ.pdf
DMC3021LSDQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS 30V Comp Pair
auf Bestellung 40632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.94 EUR
10+0.81 EUR
100+0.55 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.40 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13 DMC3021LSDQ.pdf
DMC3021LSDQ-13
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 333913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.58 EUR
18+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13 DIOD-S-A0004145098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LSDQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13 DIOD-S-A0004145098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC3021LSDQ-13
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
Hersteller: DIODES/ZETEX
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13
Produktcode: 88668
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ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13.pdf
DMC3021LK4-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 dmc3021lk4.pdf
DMC3021LK4-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13 ds32152.pdf
DMC3021LSD-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13 dmc3021lsdq.pdf
DMC3021LSDQ-13
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13 DMC3021LK4-13.pdf
DMC3021LK4-13
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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