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GA200HS60S IR 200A/600V/IGBT/2U
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GA200HS60S1 IR 200A/600V/IGBT/2U
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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GA200HS60S1PBF IR 200A/600V/IGBT/2U
auf Bestellung 66 Stücke:
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GA200HS60U IR 07+;
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GA200HS60S1 IGBT Module
Produktcode: 45670
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GA200HS60S1PBF
Produktcode: 66976
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VS-GA200HS60S1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: IGBT MODULE 600V 480A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32.5 nF @ 30 V
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VS-GA200HS60S1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: IGBT MODULE 600V 480A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32.5 nF @ 30 V
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VS-GA200HS60S1PBF GA200HS60S1PBF ga200hs.pdf Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт
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GA200HS60S
Hersteller: IR
200A/600V/IGBT/2U
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GA200HS60S1
Hersteller: IR
200A/600V/IGBT/2U
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GA200HS60S1PBF
Hersteller: IR
200A/600V/IGBT/2U
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GA200HS60U
Hersteller: IR
07+;
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GA200HS60S1 IGBT Module
Produktcode: 45670
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GA200HS60S1PBF
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VS-GA200HS60S1
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MODULE 600V 480A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32.5 nF @ 30 V
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VS-GA200HS60S1PBF
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MODULE 600V 480A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32.5 nF @ 30 V
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VS-GA200HS60S1PBF GA200HS60S1PBF ga200hs.pdf
Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт
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