Suchergebnisse für "irfp4110" : 24
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFP4110PBF Produktcode: 40699
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 100 Idd,A: 120 Rds(on), Ohm: 3.7mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150 JHGF: THT |
auf Bestellung 72 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBF | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V |
auf Bestellung 886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP4110PBFXKMA1 | INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 178000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110XKMA1 | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AUIRFP4110 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 14894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRFP4110 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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Транзистор польовий IRFP4110PBF 120А 100V N-ch TO-247 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
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IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRFP4110PBF Produktcode: 40699
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100
Idd,A: 120
Rds(on), Ohm: 3.7mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100
Idd,A: 120
Rds(on), Ohm: 3.7mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
auf Bestellung 72 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.32 EUR |
10+ | 2.10 EUR |
IRFP4110PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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13+ | 5.56 EUR |
23+ | 3.12 EUR |
25+ | 2.95 EUR |
IRFP4110PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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13+ | 5.56 EUR |
23+ | 3.12 EUR |
25+ | 2.95 EUR |
400+ | 2.85 EUR |
IRFP4110PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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153+ | 2.27 EUR |
IRFP4110PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP4110PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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203+ | 2.98 EUR |
500+ | 2.74 EUR |
IRFP4110PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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44+ | 3.68 EUR |
53+ | 2.95 EUR |
200+ | 2.71 EUR |
800+ | 2.36 EUR |
1600+ | 2.17 EUR |
IRFP4110PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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24+ | 6.86 EUR |
50+ | 5.68 EUR |
100+ | 5.15 EUR |
250+ | 4.90 EUR |
IRFP4110PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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203+ | 2.98 EUR |
500+ | 2.74 EUR |
1000+ | 2.49 EUR |
IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFP4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 6.74 EUR |
25+ | 3.81 EUR |
100+ | 3.65 EUR |
500+ | 2.83 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IRFP4110PBFXKMA1
IRFP4110PBFXKMA1
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
30+ | 5.42 EUR |
50+ | 3.50 EUR |
100+ | 2.92 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IRFP4110PBFXKMA1
IRFP4110PBFXKMA1
auf Bestellung 178000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
400+ | 2.44 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IRFP4110PBFXKMA1
IRFP4110PBFXKMA1
auf Bestellung 3609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 3.26 EUR |
63+ | 2.48 EUR |
100+ | 2.17 EUR |
400+ | 1.79 EUR |
2800+ | 1.71 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IRFP4110PBFXKMA1
IRFP4110PBFXKMA1
auf Bestellung 3605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
51+ | 3.22 EUR |
64+ | 2.45 EUR |
100+ | 2.14 EUR |
400+ | 1.77 EUR |
2800+ | 1.69 EUR |
IRFP4110XKMA1 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 7.43 EUR |
AUIRFP4110 |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
70+ | 7.33 EUR |
AUIRFP4110 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 10.12 EUR |
25+ | 6.34 EUR |
Транзистор польовий IRFP4110PBF 120А 100V N-ch TO-247 |
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IRFP4110PBFXKMA1
IRFP4110PBFXKMA1
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