Suchergebnisse für "irfp4110" : 23
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFP4110PBF Produktcode: 40699
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Lieblingsprodukt
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IR |
![]() Gehäuse: TO-247AC Uds,V: 100 Idd,A: 120 Rds(on), Ohm: 3.7mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150 JHGF: THT |
auf Bestellung 20 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFP4110-CN | CHIPNOBO |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 210A; 235W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; SP001556724; SP005732688; IRFP4110-CN CHIPNOBO TIRFP4110 CNB Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 4.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 150nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 370W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110XKMA1 | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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AUIRFP4110 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10348 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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AUIRFP4110 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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Транзистор польовий IRFP4110PBF 120А 100V N-ch TO-247 |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP4110 | Infineon / IR |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
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IRFP4110PBF | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
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AUIRFP4110 | Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
IRFP4110PBF Produktcode: 40699
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100
Idd,A: 120
Rds(on), Ohm: 3.7mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 100
Idd,A: 120
Rds(on), Ohm: 3.7mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
JHGF: THT
auf Bestellung 20 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 2.32 EUR |
10+ | 2.1 EUR |
IRFP4110-CN |
Hersteller: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 210A; 235W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; SP001556724; SP005732688; IRFP4110-CN CHIPNOBO TIRFP4110 CNB
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 210A; 235W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; SP001556724; SP005732688; IRFP4110-CN CHIPNOBO TIRFP4110 CNB
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 3.77 EUR |
IRFP4110PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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24+ | 6.17 EUR |
25+ | 5.69 EUR |
50+ | 5.27 EUR |
100+ | 4.9 EUR |
250+ | 4.56 EUR |
IRFP4110PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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28+ | 5.18 EUR |
50+ | 4.23 EUR |
100+ | 3.98 EUR |
200+ | 3.35 EUR |
400+ | 3.01 EUR |
800+ | 2.86 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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16+ | 4.55 EUR |
37+ | 1.97 EUR |
39+ | 1.86 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 6 EUR |
25+ | 3.4 EUR |
100+ | 2.78 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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400+ | 2.07 EUR |
1200+ | 1.92 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
400+ | 2.07 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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26+ | 5.61 EUR |
44+ | 3.18 EUR |
100+ | 2.48 EUR |
400+ | 1.84 EUR |
1200+ | 1.73 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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26+ | 5.7 EUR |
50+ | 4.64 EUR |
100+ | 2.88 EUR |
IRFP4110PBFXKMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 2952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
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26+ | 5.54 EUR |
44+ | 3.13 EUR |
100+ | 2.45 EUR |
400+ | 1.82 EUR |
1200+ | 1.71 EUR |
IRFP4110XKMA1 |
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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10+ | 4.66 EUR |
AUIRFP4110 |
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Hersteller: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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73+ | 6.18 EUR |
AUIRFP4110 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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2+ | 12.48 EUR |
25+ | 7.47 EUR |
Транзистор польовий IRFP4110PBF 120А 100V N-ch TO-247 |
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFP4110 |
![]() |
Hersteller: Infineon / IR
MOSFETs
MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
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IRFP4110PBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4110PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4110PBFXKMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
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AUIRFP4110 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
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