Suchergebnisse für "ptc8" : > 60
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]
Art der Ansicht :
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PT-C8.. | WELLER |
![]() tariffCode: 85159080 productTraceability: No rohsCompliant: NA Breite der Spitze/Düse: 3.2mm euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA Spitze/Düse: Meißelförmig Zur Verwendung mit: Lötkolben TCPS, TCP 12, TCP 24 usEccn: EAR99 Produktpalette: PT |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
|
PTC8 | Apex Tool Group |
![]() Packaging: Bulk For Use With/Related Products: TC201, TCP Length: 0.625" (15.88mm) Temperature Range: 800°F (427°C) Width: 0.125" (3.18mm) Height: 0.027" (0.69mm) Tip Shape: Screwdriver Tip Type: Soldering Part Status: Active |
auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
|
PTC8 | Weller |
![]() |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
![]() |
PTC8 | Apex Tool Group |
![]() |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
PTC8211SOP8 |
auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
![]() |
4PTC8-1 | WELLER |
Category: Soldering tips Description: Tip; chisel; 3.2x0.8mm; 425°C; for soldering iron Type of tip: for sold. irons with heating element Tip shape: chisel Tip dimensions: 3.2x0.8mm Tip temperature: 425°C Applications of soldering equipment: for soldering iron Related items: WEL.TCP; WEL.TCP-S |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
PTH60G31AR8R2MT2-D5-PTC8.2R | MURATA |
auf Bestellung 7350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
TMPTC8085AP | TC | 95+ |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
B59970C0120A070 | EPCOS |
![]() Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
B59980C0080A070 | EPCOS |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
B59980C0120A070 | EPCOS |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
B59990C0120A070 | EPCOS |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||
FRG800-16F | Fuzetec Technology Co., Ltd. |
![]() |
auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
KLS5-JK250-080U | Ningbo KLS electronic co.,ltd | PolySwitch PTC 80 мА 240 В(AC/DC) -40..+85, PBF аналог LVR008S, FRV008-240F, RLVR240-008 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
PTH60G31AR8R2MT2-D | MURATA | 5-PTC8.2R |
auf Bestellung 7350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
|
PTC-8BL1306R | Metcal | Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 6.35MM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
|
PTC-8BL1316R | Metcal | Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 15.75MM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
|
PTC-8BL1321R | Metcal | Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 20.6MM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
|
PTC-8BL1328R | Metcal | Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 20.6MM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
PTC-8CH1713A | Metcal | Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 1.27MM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
PTC-8CH1720A | Metcal | Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 20.6MM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
PTC-8CN1404A | Metcal | Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BENT 30 DEG, 0.4MM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
PTC-8CN2304A | Metcal | Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, CONICAL, 0.4MM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
|
PTC-8FB1235R | Metcal | Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BENT 30 DEG, 3.2MM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
![]() |
PTC8 | Weller |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
APTC80A10SCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 800V; 32A; SP4; Idm: 168A; 416W; screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Drain current: 32A Drain-source voltage: 800V Semiconductor structure: SiC diode/transistor Case: SP4 Type of module: MOSFET transistor Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor On-state resistance: 0.1Ω Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 416W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80A10SCTG | Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP4 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 416W Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6761pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Supplier Device Package: SP4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80A10SCTG | Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80A15SCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 800V; 21A; SP4; Idm: 112A; 277W; screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Drain current: 21A Drain-source voltage: 800V Semiconductor structure: SiC diode/transistor Case: SP4 Type of module: MOSFET transistor Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 277W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80A15SCTG | Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP4 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 277W Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Supplier Device Package: SP4 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
![]() |
APTC80A15SCTG | Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
APTC80AM75SCG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 800V; 43A; SP6C; Idm: 232A; 568W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Drain current: 43A Drain-source voltage: 800V Semiconductor structure: SiC diode/transistor Case: SP6C Type of module: MOSFET transistor Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET half-bridge On-state resistance: 75mΩ Pulsed drain current: 232A Power dissipation: 568W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80AM75SCG | Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 568W Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9015pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 28A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 364nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 4mA Supplier Device Package: SP6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80AM75SCG | Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80DDA15T3G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; diode/transistor; 800V; 21A; SP3; Press-in PCB; Idm: 110A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Drain current: 21A Drain-source voltage: 800V Semiconductor structure: diode/transistor Case: SP3 Type of module: MOSFET transistor Technology: SJ-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Topology: boost chopper x2; NTC thermistor On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 277W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80DDA15T3G | Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 277W Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Supplier Device Package: SP3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80DDA15T3G | Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80DDA29T3G | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 156W Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: SP3 Part Status: Obsolete |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80DSK15T3G | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 277W Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Supplier Device Package: SP3 Part Status: Obsolete |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80H15T1G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 800V; 21A; SP1; Press-in PCB; 277W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Drain current: 21A Drain-source voltage: 800V Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP1 Type of module: MOSFET transistor Technology: CoolMOS™; SJ-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Topology: H-bridge; NTC thermistor On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 277W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80H15T1G | Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP1 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 277W Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Supplier Device Package: SP1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80H15T1G | Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80H15T3G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 800V; 21A; SP3; Press-in PCB; 277W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Drain current: 21A Drain-source voltage: 800V Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP3 Type of module: MOSFET transistor Technology: SJ-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Topology: H-bridge; NTC thermistor On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 277W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80H15T3G | Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80H29SCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 800V; 11A; SP4; Idm: 60A; 156W; screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Drain current: 11A Drain-source voltage: 800V Semiconductor structure: SiC diode/transistor Case: SP4 Type of module: MOSFET transistor Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Topology: H-bridge; NTC thermistor On-state resistance: 0.29Ω Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 156W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80H29SCTG | Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80H29T3G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 800V; 11A; SP3; Press-in PCB; 156W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Drain current: 11A Drain-source voltage: 800V Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP3 Type of module: MOSFET transistor Technology: SJ-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Topology: H-bridge; NTC thermistor On-state resistance: 0.29Ω Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 156W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80H29T3G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 800V; 11A; SP3; Press-in PCB; 156W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Drain current: 11A Drain-source voltage: 800V Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP3 Type of module: MOSFET transistor Technology: SJ-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Topology: H-bridge; NTC thermistor On-state resistance: 0.29Ω Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 156W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80H29T3G | Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 156W Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: SP3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80H29T3G | Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80TA15PG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 800V; 21A; SP6P; Press-in PCB; 277W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Drain current: 21A Drain-source voltage: 800V Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP6P Type of module: MOSFET transistor Technology: CoolMOS™ Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET x3 half-bridge On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 277W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
![]() |
APTC80TA15PG | Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 277W Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Supplier Device Package: SP6-P |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
APTC80TA15PG | Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
APTC80TDU15PG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 800V; 21A; SP6P; Press-in PCB; 277W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Drain current: 21A Drain-source voltage: 800V Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SP6P Type of module: MOSFET transistor Technology: CoolMOS™; SJ-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Topology: MOSFET x3 half-bridge On-state resistance: 0.15Ω Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 277W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
![]() |
APTC80TDU15PG | Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 277W Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA Supplier Device Package: SP6-P |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
APTC80TDU15PG | Microchip Technology |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
|
KPTC8-14-19SDMA | ITT Cannon |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
|
KPTC8-8-4SDMA | ITT Cannon |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
KPTC80-16C-D | ITT Cannon | Circular MIL Spec Connector |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
KPTC81-10C-C | ITT Cannon | Circular MIL Spec Connector |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
PT-C8.. |
![]() |
Hersteller: WELLER
Description: WELLER - PT-C8.. - Lötspitze, meißelförmig, 3.2mm
tariffCode: 85159080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Breite der Spitze/Düse: 3.2mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
Spitze/Düse: Meißelförmig
Zur Verwendung mit: Lötkolben TCPS, TCP 12, TCP 24
usEccn: EAR99
Produktpalette: PT
Description: WELLER - PT-C8.. - Lötspitze, meißelförmig, 3.2mm
tariffCode: 85159080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Breite der Spitze/Düse: 3.2mm
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
Spitze/Düse: Meißelförmig
Zur Verwendung mit: Lötkolben TCPS, TCP 12, TCP 24
usEccn: EAR99
Produktpalette: PT
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PTC8 |
![]() |
Hersteller: Apex Tool Group
Description: TIP REPLACEMENT .125" 800 DEG
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: TC201, TCP
Length: 0.625" (15.88mm)
Temperature Range: 800°F (427°C)
Width: 0.125" (3.18mm)
Height: 0.027" (0.69mm)
Tip Shape: Screwdriver
Tip Type: Soldering
Part Status: Active
Description: TIP REPLACEMENT .125" 800 DEG
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: TC201, TCP
Length: 0.625" (15.88mm)
Temperature Range: 800°F (427°C)
Width: 0.125" (3.18mm)
Height: 0.027" (0.69mm)
Tip Shape: Screwdriver
Tip Type: Soldering
Part Status: Active
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 8.10 EUR |
PTC8 |
![]() |
Hersteller: Weller
Soldering Irons Weller Scrwdrvr Tip For TC201 .125"x800
Soldering Irons Weller Scrwdrvr Tip For TC201 .125"x800
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 8.20 EUR |
PTC8 |
![]() |
Hersteller: Apex Tool Group
Tools and Accessories, .125In X .62In PT Series Screwdriver Tip For TC201 Series Iron
Tools and Accessories, .125In X .62In PT Series Screwdriver Tip For TC201 Series Iron
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 20.25 EUR |
12+ | 18.56 EUR |
27+ | 11.91 EUR |
51+ | 10.58 EUR |
PTC8211SOP8 |
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
4PTC8-1 |
Hersteller: WELLER
Category: Soldering tips
Description: Tip; chisel; 3.2x0.8mm; 425°C; for soldering iron
Type of tip: for sold. irons with heating element
Tip shape: chisel
Tip dimensions: 3.2x0.8mm
Tip temperature: 425°C
Applications of soldering equipment: for soldering iron
Related items: WEL.TCP; WEL.TCP-S
Category: Soldering tips
Description: Tip; chisel; 3.2x0.8mm; 425°C; for soldering iron
Type of tip: for sold. irons with heating element
Tip shape: chisel
Tip dimensions: 3.2x0.8mm
Tip temperature: 425°C
Applications of soldering equipment: for soldering iron
Related items: WEL.TCP; WEL.TCP-S
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.11 EUR |
PTH60G31AR8R2MT2-D5-PTC8.2R |
Hersteller: MURATA
auf Bestellung 7350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TMPTC8085AP |
Hersteller: TC
95+
95+
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
B59970C0120A070 |
![]() |
Hersteller: EPCOS
Thermistor PTC; 80V; 9.4R; 25%; 0.15A; dimensions: 9x3.5mm; r=5mm; operating temperature: -40°C~125°C B59970C0120A070 Epcos Thermistor TE B59970C0120A070
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
Thermistor PTC; 80V; 9.4R; 25%; 0.15A; dimensions: 9x3.5mm; r=5mm; operating temperature: -40°C~125°C B59970C0120A070 Epcos Thermistor TE B59970C0120A070
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
40+ | 1.29 EUR |
B59980C0080A070 |
![]() |
Hersteller: EPCOS
Thermistor PTC; 80V; 25R; 25%; 1A; dimensions: 6.5x3.5mm; r=5mm; operating temperature: -40°C~125°C B59980C0080A070 Epcos Thermistor TE B59980C0080A070
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Thermistor PTC; 80V; 25R; 25%; 1A; dimensions: 6.5x3.5mm; r=5mm; operating temperature: -40°C~125°C B59980C0080A070 Epcos Thermistor TE B59980C0080A070
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 1.09 EUR |
B59980C0120A070 |
![]() |
Hersteller: EPCOS
Thermistor PTC; 80V; 25R; 25%; 0.7A; dimensions: 6,5x3.5mm; r=5mm; operating temperature: -40°C~125°C B59980C0120A070 Epcos Thermistor TE B59980C0120A070
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Thermistor PTC; 80V; 25R; 25%; 0.7A; dimensions: 6,5x3.5mm; r=5mm; operating temperature: -40°C~125°C B59980C0120A070 Epcos Thermistor TE B59980C0120A070
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.91 EUR |
B59990C0120A070 |
![]() |
Hersteller: EPCOS
Thermistor PTC; 80V; 55R; 25%; 0.7A; dimensions: 4x3.5mm; r=5mm; operating temperature: -40°C~125°C B59990C0120A070 Epcos Thermistor TE B59990C0120A070
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Thermistor PTC; 80V; 55R; 25%; 0.7A; dimensions: 4x3.5mm; r=5mm; operating temperature: -40°C~125°C B59990C0120A070 Epcos Thermistor TE B59990C0120A070
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
50+ | 0.83 EUR |
FRG800-16F |
![]() |
Hersteller: Fuzetec Technology Co., Ltd.
PolySwitch PTC 8 А 16 В -40..+85С, PBF аналог RGE800
PolySwitch PTC 8 А 16 В -40..+85С, PBF аналог RGE800
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
KLS5-JK250-080U |
Hersteller: Ningbo KLS electronic co.,ltd
PolySwitch PTC 80 мА 240 В(AC/DC) -40..+85, PBF аналог LVR008S, FRV008-240F, RLVR240-008
PolySwitch PTC 80 мА 240 В(AC/DC) -40..+85, PBF аналог LVR008S, FRV008-240F, RLVR240-008
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PTH60G31AR8R2MT2-D |
Hersteller: MURATA
5-PTC8.2R
5-PTC8.2R
auf Bestellung 7350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PTC-8BL1306R |
Hersteller: Metcal
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 6.35MM
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 6.35MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PTC-8BL1316R |
Hersteller: Metcal
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 15.75MM
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 15.75MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PTC-8BL1321R |
Hersteller: Metcal
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 20.6MM
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 20.6MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PTC-8BL1328R |
Hersteller: Metcal
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 20.6MM
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 20.6MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PTC-8CH1713A |
Hersteller: Metcal
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 1.27MM
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 1.27MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PTC-8CH1720A |
Hersteller: Metcal
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 20.6MM
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BLADE, 20.6MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PTC-8CN1404A |
Hersteller: Metcal
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BENT 30 DEG, 0.4MM
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BENT 30 DEG, 0.4MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PTC-8CN2304A |
Hersteller: Metcal
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, CONICAL, 0.4MM
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, CONICAL, 0.4MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PTC-8FB1235R |
Hersteller: Metcal
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BENT 30 DEG, 3.2MM
Soldering Irons TWEEZER CARTRIDGE, BENT 30 DEG, 3.2MM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
PTC8 |
![]() |
Hersteller: Weller
Tools and Accessories, .125In X .62In PT Series Screwdriver Tip For TC201 Series Iron
Tools and Accessories, .125In X .62In PT Series Screwdriver Tip For TC201 Series Iron
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80A10SCTG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 800V; 32A; SP4; Idm: 168A; 416W; screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Case: SP4
Type of module: MOSFET transistor
Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 416W
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 800V; 32A; SP4; Idm: 168A; 416W; screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Case: SP4
Type of module: MOSFET transistor
Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 416W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80A10SCTG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
Packaging: Bulk
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 416W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6761pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: SP4
Description: MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
Packaging: Bulk
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 416W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6761pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
Supplier Device Package: SP4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80A10SCTG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80A15SCTG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 800V; 21A; SP4; Idm: 112A; 277W; screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Case: SP4
Type of module: MOSFET transistor
Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 277W
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 800V; 21A; SP4; Idm: 112A; 277W; screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Case: SP4
Type of module: MOSFET transistor
Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 277W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80A15SCTG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4
Packaging: Bulk
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 277W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: SP4
Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4
Packaging: Bulk
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 277W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: SP4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80A15SCTG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80AM75SCG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 800V; 43A; SP6C; Idm: 232A; 568W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Drain current: 43A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Case: SP6C
Type of module: MOSFET transistor
Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET half-bridge
On-state resistance: 75mΩ
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 568W
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 800V; 43A; SP6C; Idm: 232A; 568W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Drain current: 43A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Case: SP6C
Type of module: MOSFET transistor
Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET half-bridge
On-state resistance: 75mΩ
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 568W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80AM75SCG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 568W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9015pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 28A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 364nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 4mA
Supplier Device Package: SP6
Description: MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 568W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9015pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 28A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 364nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 4mA
Supplier Device Package: SP6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80AM75SCG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP6C
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP6C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80DDA15T3G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 800V; 21A; SP3; Press-in PCB; Idm: 110A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SP3
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: boost chopper x2; NTC thermistor
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 277W
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 800V; 21A; SP3; Press-in PCB; Idm: 110A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: SP3
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: boost chopper x2; NTC thermistor
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 277W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80DDA15T3G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 277W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: SP3
Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 277W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: SP3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80DDA15T3G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80DDA29T3G |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: SP3
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: SP3
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80DSK15T3G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 277W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: SP3
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 277W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: SP3
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80H15T1G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 800V; 21A; SP1; Press-in PCB; 277W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP1
Type of module: MOSFET transistor
Technology: CoolMOS™; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 277W
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 800V; 21A; SP1; Press-in PCB; 277W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP1
Type of module: MOSFET transistor
Technology: CoolMOS™; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 277W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80H15T1G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 277W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: SP1
Description: MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
Packaging: Bulk
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 277W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: SP1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80H15T1G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP1
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80H15T3G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 800V; 21A; SP3; Press-in PCB; 277W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP3
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 277W
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 800V; 21A; SP3; Press-in PCB; 277W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP3
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 277W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80H15T3G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80H29SCTG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 800V; 11A; SP4; Idm: 60A; 156W; screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Case: SP4
Type of module: MOSFET transistor
Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
On-state resistance: 0.29Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 156W
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 800V; 11A; SP4; Idm: 60A; 156W; screw
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Case: SP4
Type of module: MOSFET transistor
Technology: CoolMOS™; SiC; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
On-state resistance: 0.29Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 156W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80H29SCTG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4
Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80H29T3G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 800V; 11A; SP3; Press-in PCB; 156W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP3
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
On-state resistance: 0.29Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 156W
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 800V; 11A; SP3; Press-in PCB; 156W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP3
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
On-state resistance: 0.29Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 156W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80H29T3G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 800V; 11A; SP3; Press-in PCB; 156W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP3
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
On-state resistance: 0.29Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 156W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 800V; 11A; SP3; Press-in PCB; 156W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP3
Type of module: MOSFET transistor
Technology: SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: H-bridge; NTC thermistor
On-state resistance: 0.29Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 156W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80H29T3G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: SP3
Description: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: SP3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80H29T3G |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80TA15PG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 800V; 21A; SP6P; Press-in PCB; 277W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP6P
Type of module: MOSFET transistor
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET x3 half-bridge
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 277W
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 800V; 21A; SP6P; Press-in PCB; 277W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP6P
Type of module: MOSFET transistor
Technology: CoolMOS™
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET x3 half-bridge
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 277W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80TA15PG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 277W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: SP6-P
Description: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 277W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: SP6-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80TA15PG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP6P
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP6P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80TDU15PG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 800V; 21A; SP6P; Press-in PCB; 277W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP6P
Type of module: MOSFET transistor
Technology: CoolMOS™; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET x3 half-bridge
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 277W
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 800V; 21A; SP6P; Press-in PCB; 277W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Drain current: 21A
Drain-source voltage: 800V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SP6P
Type of module: MOSFET transistor
Technology: CoolMOS™; SJ-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Topology: MOSFET x3 half-bridge
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 277W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80TDU15PG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 277W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: SP6-P
Description: MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6-P
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 277W
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Supplier Device Package: SP6-P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC80TDU15PG |
![]() |
Hersteller: Microchip Technology
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP6P
MOSFET Modules PM-MOSFET-COOLMOS-SP6P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
KPTC8-14-19SDMA |
![]() |
Hersteller: ITT Cannon
Circular MIL Spec Connector KPTC 19C 19#20 SKT PLUG
Circular MIL Spec Connector KPTC 19C 19#20 SKT PLUG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
KPTC8-8-4SDMA |
![]() |
Hersteller: ITT Cannon
Circular MIL Spec Connector KPTC 4C 4#20 SKT PLUG
Circular MIL Spec Connector KPTC 4C 4#20 SKT PLUG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
KPTC80-16C-D |
Hersteller: ITT Cannon
Circular MIL Spec Connector
Circular MIL Spec Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
KPTC81-10C-C |
Hersteller: ITT Cannon
Circular MIL Spec Connector
Circular MIL Spec Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
Wählen Sie Seite:
1
2
[ Nächste Seite >> ]