Produkte > STARPOWER SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers STARPOWER SEMICONDUCTOR (228) > Seite 3 nach 4
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| GD25PJY120F2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0 Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: F2.0 Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 50A Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge |
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| GD25PJY120F2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0 Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: F2.0 Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 50A Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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| GD25PJY120F5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1 Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: F5.1 Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 50A Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge |
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| GD25PJY120F5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1 Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: F5.1 Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 50A Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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| GD25PJY120L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: L3.0 Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 50A Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge |
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| GD25PJY120L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: L3.0 Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 25A Pulsed collector current: 50A Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| GD300HFU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD300HFU120C2S IGBT modules |
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| GD300HFX170C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD300HFX170C2S IGBT modules |
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| GD300HFX170C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD300HFX170C6S IGBT modules |
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| GD300HFX65C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD300HFX65C2S IGBT modules |
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| GD300HFX65C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD300HFX65C6S IGBT modules |
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| GD300HFX65C8SN | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD300HFX65C8SN IGBT modules |
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| GD300HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD300HFY120C2S IGBT modules |
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| GD300HFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD300HFY120C6S IGBT modules |
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| GD300HTY120C7S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD300HTY120C7S IGBT modules |
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| GD300SGY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD300SGY120C2S IGBT modules |
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| GD30PJX65F1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A Case: F1.1 Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 60A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge |
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| GD30PJX65F1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A Case: F1.1 Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 60A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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| GD30PJX65L2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A Case: L2.2 Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 60A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge |
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| GD30PJX65L2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A Case: L2.2 Type of semiconductor module: IGBT Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 60A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| GD35PJY120F2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD35PJY120F2S IGBT modules |
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| GD35PJY120F5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD35PJY120F5S IGBT modules |
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GD35PJY120L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 35A Case: L3.0 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 70A Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD35PJY120L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 35A Case: L3.0 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 70A Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| GD3600SGX170C4S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Case: C4 140mm Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 3.6kA Pulsed collector current: 7.2kA Topology: IGBT x3 |
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| GD3600SGX170C4S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.7kV Case: C4 140mm Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 3.6kA Pulsed collector current: 7.2kA Topology: IGBT x3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| GD3600SGY120C4S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C4 140mm Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 3.6kA Pulsed collector current: 7.2kA Topology: IGBT x3 |
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| GD3600SGY120C4S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C4 140mm Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 3.6kA Pulsed collector current: 7.2kA Topology: IGBT x3 Anzahl je Verpackung: 8 Stücke |
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| GD400CLY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400CLY120C2S IGBT modules |
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| GD400CUY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400CUY120C2S IGBT modules |
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| GD400HFU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400HFU120C2S IGBT modules |
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| GD400HFX170C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400HFX170C2S IGBT modules |
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| GD400HFX65C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400HFX65C2S IGBT modules |
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| GD400HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400HFY120C2S IGBT modules |
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| GD400SGU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400SGU120C2S IGBT modules |
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| GD400SGX170C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400SGX170C2S IGBT modules |
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| GD400SGY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400SGY120C2S IGBT modules |
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GD40PIY120C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 80A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: C5 45mm |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GD40PIY120C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 80A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: C5 45mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| GD450HFX170C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD450HFX170C6S IGBT modules |
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| GD450HFX65C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD450HFX65C6S IGBT modules |
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| GD450HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD450HFY120C2S IGBT modules |
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| GD450HFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD450HFY120C6S IGBT modules |
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| GD450HTX170C7S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD450HTX170C7S IGBT modules |
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| GD450HTY120C7S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD450HTY120C7S IGBT modules |
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| GD50FFX65C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD50FFX65C5S IGBT modules |
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| GD50FFY120C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD50FFY120C5S IGBT modules |
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| GD50FSX65L2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD50FSX65L2S IGBT modules |
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| GD50FSY120L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: L3.2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT |
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| GD50FSY120L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2 Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: L3.2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 16 Stücke |
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| GD50HFU120C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD50HFU120C1S IGBT modules |
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| GD50HFX170C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD50HFX170C1S IGBT modules |
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| GD50HFX65C1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD50HFX65C1S IGBT modules |
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| GD50HHU120C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw Case: C5 45mm Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: NPT Ultra Fast IGBT Topology: H-bridge Semiconductor structure: transistor/transistor Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 50A |
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| GD50HHU120C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw Case: C5 45mm Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: NPT Ultra Fast IGBT Topology: H-bridge Semiconductor structure: transistor/transistor Type of semiconductor module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 50A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| GD50PIX65C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD50PIX65C5S IGBT modules |
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| GD50PIY120C5SN | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD50PIY120C5SN IGBT modules |
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| GD50PIY120C6SN | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD50PIY120C6SN IGBT modules |
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| GD50PJX65L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Case: L3.0 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT |
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| GD50PJX65L3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: diode/transistor Case: L3.0 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Technology: Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| GD25PJY120F2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: F2.0
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: F2.0
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| GD25PJY120F2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: F2.0
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: F2.0
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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| GD25PJY120F5S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: F5.1
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: F5.1
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD25PJY120F5S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: F5.1
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F5.1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: F5.1
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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| GD25PJY120L3S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: L3.0
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: L3.0
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| GD25PJY120L3S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: L3.0
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: L3.0
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 50A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD300HFU120C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFU120C2S IGBT modules
GD300HFU120C2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD300HFX170C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFX170C2S IGBT modules
GD300HFX170C2S IGBT modules
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Stück im Wert von UAH
| GD300HFX170C6S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFX170C6S IGBT modules
GD300HFX170C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD300HFX65C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFX65C2S IGBT modules
GD300HFX65C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD300HFX65C6S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFX65C6S IGBT modules
GD300HFX65C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD300HFX65C8SN |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFX65C8SN IGBT modules
GD300HFX65C8SN IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD300HFY120C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFY120C2S IGBT modules
GD300HFY120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD300HFY120C6S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFY120C6S IGBT modules
GD300HFY120C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
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| GD300HTY120C7S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HTY120C7S IGBT modules
GD300HTY120C7S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
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| GD300SGY120C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300SGY120C2S IGBT modules
GD300SGY120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD30PJX65F1S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD30PJX65F1S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD30PJX65L2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD30PJX65L2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD35PJY120F2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD35PJY120F2S IGBT modules
GD35PJY120F2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD35PJY120F5S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD35PJY120F5S IGBT modules
GD35PJY120F5S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD35PJY120L3S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: L3.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: L3.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 48.49 EUR |
| GD35PJY120L3S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: L3.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: L3.0
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 48.49 EUR |
| GD3600SGX170C4S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: C4 140mm
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3.6kA
Pulsed collector current: 7.2kA
Topology: IGBT x3
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: C4 140mm
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3.6kA
Pulsed collector current: 7.2kA
Topology: IGBT x3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD3600SGX170C4S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: C4 140mm
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3.6kA
Pulsed collector current: 7.2kA
Topology: IGBT x3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: C4 140mm
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3.6kA
Pulsed collector current: 7.2kA
Topology: IGBT x3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD3600SGY120C4S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C4 140mm
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3.6kA
Pulsed collector current: 7.2kA
Topology: IGBT x3
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C4 140mm
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3.6kA
Pulsed collector current: 7.2kA
Topology: IGBT x3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD3600SGY120C4S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C4 140mm
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3.6kA
Pulsed collector current: 7.2kA
Topology: IGBT x3
Anzahl je Verpackung: 8 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C4 140mm
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 3.6kA
Pulsed collector current: 7.2kA
Topology: IGBT x3
Anzahl je Verpackung: 8 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD400CLY120C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD400CLY120C2S IGBT modules
GD400CLY120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD400CUY120C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD400CUY120C2S IGBT modules
GD400CUY120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD400HFU120C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD400HFU120C2S IGBT modules
GD400HFU120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD400HFX170C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD400HFX170C2S IGBT modules
GD400HFX170C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD400HFX65C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD400HFX65C2S IGBT modules
GD400HFX65C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD400HFY120C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD400HFY120C2S IGBT modules
GD400HFY120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD400SGU120C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD400SGU120C2S IGBT modules
GD400SGU120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD400SGX170C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD400SGX170C2S IGBT modules
GD400SGX170C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD400SGY120C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD400SGY120C2S IGBT modules
GD400SGY120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD40PIY120C5S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: C5 45mm
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: C5 45mm
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 67.52 EUR |
| GD40PIY120C5S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: C5 45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: C5 45mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 67.52 EUR |
| GD450HFX170C6S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD450HFX170C6S IGBT modules
GD450HFX170C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD450HFX65C6S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD450HFX65C6S IGBT modules
GD450HFX65C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD450HFY120C2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD450HFY120C2S IGBT modules
GD450HFY120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD450HFY120C6S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD450HFY120C6S IGBT modules
GD450HFY120C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD450HTX170C7S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD450HTX170C7S IGBT modules
GD450HTX170C7S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD450HTY120C7S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD450HTY120C7S IGBT modules
GD450HTY120C7S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD50FFX65C5S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50FFX65C5S IGBT modules
GD50FFX65C5S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD50FFY120C5S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50FFY120C5S IGBT modules
GD50FFY120C5S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD50FSX65L2S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50FSX65L2S IGBT modules
GD50FSX65L2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD50FSY120L3S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3.2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3.2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD50FSY120L3S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3.2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 16 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3.2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 16 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GD50HFU120C1S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50HFU120C1S IGBT modules
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| GD50HFX170C1S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50HFX170C1S IGBT modules
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| GD50HFX65C1S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50HFX65C1S IGBT modules
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| GD50HHU120C5S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C5 45mm
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C5 45mm
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
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| GD50HHU120C5S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C5 45mm
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C5 45mm
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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| GD50PIX65C5S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50PIX65C5S IGBT modules
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| GD50PIY120C5SN |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50PIY120C5SN IGBT modules
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| GD50PIY120C6SN |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD50PIY120C6SN IGBT modules
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| GD50PJX65L3S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.0
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.0
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
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| GD50PJX65L3S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.0
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.0
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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