Produkte > STARPOWER SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers STARPOWER SEMICONDUCTOR (34) > Seite 1 nach 1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X06T1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.46 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG120X07T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.02 EUR
7+10.65 EUR
8+10.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X06T1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.13 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+3.43 EUR
24+3.09 EUR
27+2.73 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG15X12T2 DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.43 EUR
24+3.09 EUR
27+2.73 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.4 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.67 EUR
38+1.92 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 348W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.82 EUR
17+4.32 EUR
19+3.82 EUR
30+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 348W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.82 EUR
17+4.32 EUR
19+3.82 EUR
30+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG30X07T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
8+8.94 EUR
20+3.58 EUR
30+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG40X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.23 EUR
13+5.62 EUR
15+4.96 EUR
30+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG40X12T2 DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG40X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.23 EUR
13+5.62 EUR
15+4.96 EUR
30+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50Q12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.87 EUR
8+9.78 EUR
25+8.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50Q12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.87 EUR
8+9.78 EUR
25+8.64 EUR
100+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.62 EUR
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
30+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.62 EUR
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
30+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X12T2 DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.75 EUR
9+8.78 EUR
10+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X12T2 DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.75 EUR
9+8.78 EUR
10+7.76 EUR
30+6.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75H12T2 DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.23 EUR
8+10.1 EUR
10+8.92 EUR
30+8.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75H12T2 DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.23 EUR
8+10.1 EUR
10+8.92 EUR
30+8.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X07T2L THT IGBT transistors
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.04 EUR
12+6.02 EUR
13+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75X12T2 DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.76 EUR
7+11.48 EUR
10+10.14 EUR
30+9.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75X12T2 DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.76 EUR
7+11.48 EUR
10+10.14 EUR
30+9.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJX65F1S IGBT modules
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+43.33 EUR
3+29.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD15PJY120L2S IGBT modules
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+46.19 EUR
3+31.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2400SGX170C4S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x3
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Case: C4 140mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 2.4kA
Pulsed collector current: 4.8kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2400SGY120C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; Urmax: 1200V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 2.4kA
Pulsed collector current: 4.8kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2400SGY120C4S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT x3
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Case: C4 140mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 2.4kA
Pulsed collector current: 4.8kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD35PJY120L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD35PJY120L3S IGBT modules
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.93 EUR
2+49.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD40PIY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD40PIY120C5S IGBT modules
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+100.24 EUR
2+67.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD900HFY120P1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MD200HFR120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR MD200HFR120C2S.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 200A; C2 62mm; Idm: 822A; SiC
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 822A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: C2 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X06T1
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG10X06T1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X12T2 DG10X12T2.pdf
DG10X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X12T2 DG10X12T2.pdf
DG10X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 10A
Power dissipation: 96W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.46 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG120X07T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG120X07T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
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Anzahl Preis
5+16.02 EUR
7+10.65 EUR
8+10.08 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG15X06T1
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG15X06T1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 110 Stücke:
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34+2.13 EUR
51+1.42 EUR
54+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG15X12T2 DG15X12T2.pdf
DG15X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.43 EUR
24+3.09 EUR
27+2.73 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG15X12T2 DG15X12T2.pdf
DG15X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 15A; 138W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 138W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 103ns
Turn-off time: 484ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.43 EUR
24+3.09 EUR
27+2.73 EUR
30+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T1
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG20X06T1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
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Anzahl Preis
30+2.4 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG20X06T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 90 Stücke:
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Anzahl Preis
27+2.67 EUR
38+1.92 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 348W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.82 EUR
17+4.32 EUR
19+3.82 EUR
30+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 348W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.82 EUR
17+4.32 EUR
19+3.82 EUR
30+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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DG30X07T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG30X07T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 1 Stücke:
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Anzahl Preis
1+71.5 EUR
8+8.94 EUR
20+3.58 EUR
30+2.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG40X12T2 DG40X12T2.pdf
DG40X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.23 EUR
13+5.62 EUR
15+4.96 EUR
30+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG40X12T2 DG40X12T2.pdf
DG40X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 40A; 468W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 468W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 198ns
Turn-off time: 668ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.23 EUR
13+5.62 EUR
15+4.96 EUR
30+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50Q12T2 DG50Q12T2.pdf
DG50Q12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.87 EUR
8+9.78 EUR
25+8.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50Q12T2 DG50Q12T2.pdf
DG50Q12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.87 EUR
8+9.78 EUR
25+8.64 EUR
100+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X07T2 DG50X07T2.pdf
DG50X07T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.62 EUR
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
30+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X07T2 DG50X07T2.pdf
DG50X07T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.62 EUR
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
30+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X12T2 DG50X12T2.pdf
DG50X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.75 EUR
9+8.78 EUR
10+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X12T2 DG50X12T2.pdf
DG50X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.75 EUR
9+8.78 EUR
10+7.76 EUR
30+6.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75H12T2
DG75H12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.23 EUR
8+10.1 EUR
10+8.92 EUR
30+8.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75H12T2
DG75H12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.23 EUR
8+10.1 EUR
10+8.92 EUR
30+8.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75X07T2L
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75X07T2L THT IGBT transistors
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.04 EUR
12+6.02 EUR
13+5.69 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75X12T2 DG75X12T2.pdf
DG75X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.76 EUR
7+11.48 EUR
10+10.14 EUR
30+9.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75X12T2 DG75X12T2.pdf
DG75X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 75A; 852W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 852W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 0.49µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 163ns
Turn-off time: 559ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.76 EUR
7+11.48 EUR
10+10.14 EUR
30+9.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJX65F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65F1S IGBT modules
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+43.33 EUR
3+29.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120L2S IGBT modules
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+46.19 EUR
3+31.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2400SGX170C4S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x3
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Case: C4 140mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 2.4kA
Pulsed collector current: 4.8kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2400SGY120C3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; Urmax: 1200V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 2.4kA
Pulsed collector current: 4.8kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2400SGY120C4S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x3; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT x3
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Case: C4 140mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 2.4kA
Pulsed collector current: 4.8kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD35PJY120L3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD35PJY120L3S IGBT modules
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.93 EUR
2+49.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD40PIY120C5S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD40PIY120C5S IGBT modules
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+100.24 EUR
2+67.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD900HFY120P1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MD200HFR120C2S MD200HFR120C2S.pdf
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 200A; C2 62mm; Idm: 822A; SiC
Topology: MOSFET half-bridge
Mechanical mounting: screw
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 822A
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: C2 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Technology: SiC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH