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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X06T1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
39+1.86 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.46 EUR
22+3.25 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG120X07T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.02 EUR
7+10.68 EUR
8+10.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X06T1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.13 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.82 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+2.4 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG20X06T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.67 EUR
38+1.92 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+4.82 EUR
17+4.32 EUR
19+3.82 EUR
30+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG25X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.82 EUR
17+4.32 EUR
19+3.82 EUR
30+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG30X07T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.52 EUR
30+2.52 EUR
31+2.35 EUR
33+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG40X12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.94 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50Q12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.87 EUR
8+9.78 EUR
25+8.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50Q12T2 DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50Q12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.87 EUR
8+9.78 EUR
25+8.64 EUR
100+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+4.62 EUR
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
30+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X07T2 DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
16+4.62 EUR
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
30+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X12T2 DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.75 EUR
9+8.78 EUR
10+7.76 EUR
30+6.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X12T2 DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X12T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.75 EUR
9+8.78 EUR
10+7.76 EUR
30+6.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75H12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.47 EUR
9+8.17 EUR
10+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X07T2L THT IGBT transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.04 EUR
12+6.03 EUR
13+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.17 EUR
8+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJX65F1S IGBT modules
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+43.33 EUR
3+29.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD15PJY120L2S IGBT modules
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+46.19 EUR
3+31.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD35PJY120L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD35PJY120L3S IGBT modules
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.93 EUR
2+49.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD40PIY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD40PIY120C5S IGBT modules
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+100.24 EUR
2+67.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD900HFY120P1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X06T1
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG10X06T1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+1.86 EUR
58+1.24 EUR
61+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG10X12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.46 EUR
22+3.25 EUR
30+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG120X07T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG120X07T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.02 EUR
7+10.68 EUR
8+10.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG15X06T1
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG15X06T1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 114 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
51+1.42 EUR
54+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG15X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG15X12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.82 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T1
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG20X06T1 THT IGBT transistors
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.4 EUR
45+1.62 EUR
47+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG20X06T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
38+1.92 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.82 EUR
17+4.32 EUR
19+3.82 EUR
30+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG25X12T2 DG25X12T2.pdf
DG25X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.19µC
Turn-off time: 362ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Power dissipation: 348W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.82 EUR
17+4.32 EUR
19+3.82 EUR
30+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG30X07T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG30X07T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
21+3.52 EUR
30+2.52 EUR
31+2.35 EUR
33+2.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG40X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG40X12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.94 EUR
16+4.65 EUR
17+4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50Q12T2 DG50Q12T2.pdf
DG50Q12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.87 EUR
8+9.78 EUR
25+8.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50Q12T2 DG50Q12T2.pdf
DG50Q12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 672W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 672W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 172ns
Turn-off time: 338ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.87 EUR
8+9.78 EUR
25+8.64 EUR
100+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X07T2 DG50X07T2.pdf
DG50X07T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.62 EUR
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
30+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X07T2 DG50X07T2.pdf
DG50X07T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 714W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 714W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.62 EUR
18+4.16 EUR
20+3.68 EUR
30+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X12T2 DG50X12T2.pdf
DG50X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.75 EUR
9+8.78 EUR
10+7.76 EUR
30+6.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X12T2 DG50X12T2.pdf
DG50X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 592W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.35µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.75 EUR
9+8.78 EUR
10+7.76 EUR
30+6.98 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75H12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75H12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.47 EUR
9+8.17 EUR
10+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75X07T2L
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75X07T2L THT IGBT transistors
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.04 EUR
12+6.03 EUR
13+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75X12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.17 EUR
8+8.95 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJX65F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65F1S IGBT modules
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+43.33 EUR
3+29.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120L2S IGBT modules
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+46.19 EUR
3+31.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD35PJY120L3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD35PJY120L3S IGBT modules
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.93 EUR
2+49.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD40PIY120C5S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD40PIY120C5S IGBT modules
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+100.24 EUR
2+67.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD900HFY120P1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: P1.0
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
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