Produkte > STARPOWER SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers STARPOWER SEMICONDUCTOR (216) > Seite 1 nach 4

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DG10X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG10X06T1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
Case: TO247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.00 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X12T2 DG10X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
24+3.00 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 893W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 0.86µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+15.22 EUR
7+10.68 EUR
8+10.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG120X07T2 DG120X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 893W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 0.86µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+15.22 EUR
7+10.68 EUR
8+10.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG15X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X06T1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG15X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG15X12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
19+3.82 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T1 DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T1 DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.65 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T2 DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T2 DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 348W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.08 EUR
16+4.56 EUR
20+3.58 EUR
22+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG25X12T2 DG25X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 348W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.08 EUR
16+4.56 EUR
20+3.58 EUR
22+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG30X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG30X07T2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG40X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG40X12T2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50Q12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50Q12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.07 EUR
9+8.05 EUR
10+7.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X07T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.13 EUR
21+3.42 EUR
23+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.84 EUR
10+7.22 EUR
11+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75H12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75H12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.30 EUR
6+11.91 EUR
30+8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75X07T2L STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X07T2L THT IGBT transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.04 EUR
12+6.03 EUR
13+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR DG75X12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+14.17 EUR
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1000HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD1000HFX170P2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100FFX170C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100FFX170C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100FFX65C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100FFX65C5S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100FFY120C5S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100FFY120C5S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100FFY120C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100HFU120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HFU120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100HFU120C8S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HFX170C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100HFX170C1S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HFX65C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100HFX65C1S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 16 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100PIX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100PIX65C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100PIY120C6SN STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100PIY120C6SN IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100SGY120D6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD100SGY120D6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJX65F1S GD10PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+29.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJX65L2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJY120F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJY120F1S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJY120F4S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJY120F4S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD10PJY120L2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1200HFY120C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1200HFY120C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1200SGX170C3SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1200SGX170C3SN STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
Anzahl je Verpackung: 8 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1400HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.7kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1400HFX170P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 8 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1400HFY120P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1400HFY120P2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 8 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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GD150FFX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150FFX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD150HFU120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFX170C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFX170C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 12 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X06T1
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG10X06T1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f
DG10X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
Case: TO247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.00 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG10X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C646A0547600D4&compId=DG10X12T2.pdf?ci_sign=ecd5c06c4b9ccf4014b899a48a55efbdce6a038f
DG10X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 10A; 96W; TO247
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 493ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 96W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 80nC
Mounting: THT
Case: TO247
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+3.00 EUR
25+2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG120X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2
DG120X07T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 893W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 0.86µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.22 EUR
7+10.68 EUR
8+10.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG120X07T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C64524979DA0D4&compId=DG120X07T2.pdf?ci_sign=88e3bac2f6a70efad72a5d89b63c0abcb48a06c2
DG120X07T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 893W
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 360A
Mounting: THT
Gate charge: 0.86µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 282ns
Turn-off time: 334ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+15.22 EUR
7+10.68 EUR
8+10.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG15X06T1
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG15X06T1 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG15X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG15X12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.82 EUR
28+2.56 EUR
30+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10
DG20X06T1
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C5FE2A345780D4&compId=DG20X06T1.pdf?ci_sign=1df36b345d12f89ec180eb3c430fe51bc200ac10
DG20X06T1
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.65 EUR
29+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87
DG20X06T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG20X06T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63DC60A6680D4&compId=DG20X06T2.pdf?ci_sign=38f8d52c3dd1cd8105ebebead0ea4a7fcd54aa87
DG20X06T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG25X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270
DG25X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 348W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.08 EUR
16+4.56 EUR
20+3.58 EUR
22+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG25X12T2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB2C63B98B30BE0D4&compId=DG25X12T2.pdf?ci_sign=098cf3c95acc80f0e6870264e6d93ea9eef58270
DG25X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 348W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 362ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+5.08 EUR
16+4.56 EUR
20+3.58 EUR
22+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG30X07T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG30X07T2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG40X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG40X12T2 THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50Q12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG50Q12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.07 EUR
9+8.05 EUR
10+7.61 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X07T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG50X07T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.13 EUR
21+3.42 EUR
23+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG50X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG50X12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.84 EUR
10+7.22 EUR
11+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75H12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75H12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.30 EUR
6+11.91 EUR
30+8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75X07T2L
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75X07T2L THT IGBT transistors
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.04 EUR
12+6.03 EUR
13+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DG75X12T2
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
DG75X12T2 THT IGBT transistors
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+14.17 EUR
8+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1000HFX170P2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD1000HFX170P2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100FFX170C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100FFX170C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100FFX65C5S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100FFX65C5S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100FFY120C5S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100FFY120C5S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100FFY120C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100FFY120C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HFU120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFU120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HFU120C8S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFU120C8S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HFX170C1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFX170C1S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HFX65C1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100HFX65C1S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HFY120C1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HFY120C1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HHU120C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100HHU120C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw
Case: C6 62mm
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: H-bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100MLX65L3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100MLX65L3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 100A; L3.1; screw
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: L3.1
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 16 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100PIX65C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100PIX65C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100PIY120C6SN
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100PIY120C6SN IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD100SGY120D6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100SGY120D6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJX65F1S
GD10PJX65F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJX65F1S
GD10PJX65F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A
Case: F1.1
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+29.20 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJX65L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65L2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJY120F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F1S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJY120F4S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F4S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD10PJY120L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120L2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1200HFY120C3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1200HFY120C3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1200SGX170C3SN
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1200SGX170C3SN
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT x2; Urmax: 1700V; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.2kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 2.4kA
Anzahl je Verpackung: 8 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1400HFX170P2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.7kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1400HFX170P2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 8 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1400HFY120P2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1400HFY120P2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 1400A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.4kA
Pulsed collector current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: P2.0
Max. off-state voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 8 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150FFX65C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150FFX65C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 650V
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150FFY120C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150FFY120C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 300A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFU120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150HFU120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFX170C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFX170C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 150A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 12 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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