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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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GD150HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD150HFU120C2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFX170C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD150HFX170C2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFX65C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD150HFX65C1S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFY120C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD150HFY120C2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFY120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD150HFY120C8S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HHU120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD150HHU120C6S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150MLX65L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD150MLX65L3S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150PIY120C6SN STARPOWER SEMICONDUCTOR GD150PIY120C6SN IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD15PJY120F1S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120F2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD15PJY120F2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120F4S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD15PJY120F4S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120F5S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD15PJY120F5S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120L2S GD15PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+31.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120L2S GD15PJY120L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+31.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1600SGX170C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Pulsed collector current: 3.2kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1600SGX170C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Pulsed collector current: 3.2kA
Anzahl je Verpackung: 8 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200FFX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD200FFX65C6S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200FFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD200FFY120C6S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD200HFU120C2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200HFX170C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD200HFX170C2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200HFX65C1S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD200HFX65C1S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200HFX65C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD200HFX65C2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200HFX65C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD200HFX65C8S IGBT modules
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GD200HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD200HFY120C2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200HFY120C8S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD200HFY120C8S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200TLQ120L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; L3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200TLQ120L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; L3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 16 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD225HFX170C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD225HFX170C6S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD225HFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD225HFY120C6S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2400SGX170C4S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD2400SGX170C4S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2400SGY120C3S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD2400SGY120C3S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2400SGY120C4S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD2400SGY120C4S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25PJY120F2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD25PJY120F2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25PJY120F5S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD25PJY120F5S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25PJY120L3S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD25PJY120L3S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFU120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD300HFU120C2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX170C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD300HFX170C2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX170C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD300HFX170C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX65C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD300HFX65C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX65C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD300HFX65C6S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX65C8SN STARPOWER SEMICONDUCTOR GD300HFX65C8SN IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD300HFY120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFY120C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD300HFY120C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HTY120C7S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD300HTY120C7S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300SGY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD300SGY120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30PJX65F1S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30PJX65L2S STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD35PJY120F2S STARPOWER SEMICONDUCTOR GD35PJY120F2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFU120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150HFU120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFX170C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150HFX170C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFX65C1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150HFX65C1S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFY120C1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFY120C1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 150A
Case: C1 34mm
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 24 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFY120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150HFY120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HFY120C8S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150HFY120C8S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150HHU120C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150HHU120C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150MLX65L3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150MLX65L3S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD150PIY120C6SN
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD150PIY120C6SN IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJX65F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJX65F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJX65L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJX65L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F1S IGBT modules
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GD15PJY120F2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120F4S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F4S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120F5S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F5S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120L2S
GD15PJY120L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3+31.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD15PJY120L2S
GD15PJY120L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: L2.2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+31.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1600SGX170C3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Pulsed collector current: 3.2kA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD1600SGX170C3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Case: C3 130mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.6kA
Pulsed collector current: 3.2kA
Anzahl je Verpackung: 8 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200FFX65C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200FFX65C6S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200FFY120C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200FFY120C6S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200HFU120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200HFU120C2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200HFX170C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200HFX170C2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200HFX65C1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200HFX65C1S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200HFX65C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200HFX65C2S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200HFX65C8S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200HFX65C8S IGBT modules
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200HFY120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200HFY120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200HFY120C8S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200HFY120C8S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200TLQ120L3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; L3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD200TLQ120L3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; 3-level inverter TNPC; L3
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: L3
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Advanced Trench FS Fast IGBT
Topology: 3-level inverter TNPC; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Anzahl je Verpackung: 16 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20PJX65F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20PJX65F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20PJX65L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD20PJX65L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 40A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD225HFX170C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD225HFX170C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD225HFY120C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD225HFY120C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2400SGX170C4S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD2400SGX170C4S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2400SGY120C3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD2400SGY120C3S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD2400SGY120C4S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD2400SGY120C4S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25PJY120F2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD25PJY120F2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25PJY120F5S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD25PJY120F5S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD25PJY120L3S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD25PJY120L3S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFU120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFU120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX170C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFX170C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX170C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFX170C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX65C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFX65C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX65C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFX65C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFX65C8SN
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFX65C8SN IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFY120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFY120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HFY120C6S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HFY120C6S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300HTY120C7S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300HTY120C7S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD300SGY120C2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD300SGY120C2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30PJX65F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30PJX65F1S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: F1.1
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30PJX65L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD30PJX65L2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 30A
Case: L2.2
Type of semiconductor module: IGBT
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: Trench FS IGBT
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GD35PJY120F2S
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD35PJY120F2S IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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