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ES3FB M4G ES3FB M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES3AB%20SERIES_B1706.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
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ES3FBHM4G ES3FBHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES3AB%20SERIES_B1706.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
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ES3GB M4G ES3GB M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES3AB%20SERIES_B1706.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
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ES3GBHM4G ES3GBHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES3AB%20SERIES_B1706.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
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ES3JB M4G ES3JB M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES3AB%20SERIES_C2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
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ES3JBHM4G ES3JBHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES3AB%20SERIES_C2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
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HS1K M2G HS1K M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
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HS1KL M2G HS1KL M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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HS1KL MHG HS1KL MHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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HS1M M2G HS1M M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1A DO214AC
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HS1ML M2G HS1ML M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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HS1ML MHG HS1ML MHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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HS2D M4G HS2D M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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HS2JA M2G HS2JA M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_H14.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
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HS2K M4G HS2K M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
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HS2KA M2G HS2KA M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_H14.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
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HS2M M4G HS2M M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 2A DO214AA
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HS2MA M2G HS2MA M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_H14.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
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HS3BB M4G HS3BB M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
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HS3DB M4G HS3DB M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
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HS3GB M4G HS3GB M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
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HS3MB M4G HS3MB M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 3A DO214AA
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MUR110S M4G MUR110S M4G Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
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MUR110SHM4G MUR110SHM4G Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
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MUR115S M4G MUR115S M4G Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AA
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MUR115SHM4G MUR115SHM4G Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AA
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MUR120S M4G MUR120S M4G Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
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MUR120SHM4G MUR120SHM4G Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
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MUR140S M4G MUR140S M4G Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
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MUR140SHM4G MUR140SHM4G Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
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MUR160S M4G MUR160S M4G Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
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MUR160SHM4G MUR160SHM4G Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
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P4SMA10A M2G P4SMA10A M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 8.55V 14.5V DO214AC
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P4SMA10AHM2G P4SMA10AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 29A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.55V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
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P4SMA12A M2G P4SMA12A M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AC
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P4SMA12AHM2G P4SMA12AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AC
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P4SMA130A M2G P4SMA130A M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC
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P4SMA130AHM2G P4SMA130AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC
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P4SMA130CA M2G P4SMA130CA M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC
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P4SMA13A M2G P4SMA13A M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO214AC
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P4SMA13AHM2G P4SMA13AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO214AC
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P4SMA13CA M2G P4SMA13CA M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 11.1V 18.2V DO214AC
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P4SMA13CAHM2G P4SMA13CAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 11.1V 18.2V DO214AC
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P4SMA150A M2G P4SMA150A M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_S2102.pdf Description: TVS DIODE 128VWM 207VC DO214AC
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P4SMA150AHM2G P4SMA150AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 128V 207V DO214AC
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P4SMA150CA M2G P4SMA150CA M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 128V 207V DO214AC
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P4SMA150CAHM2G P4SMA150CAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 128V 207V DO214AC
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P4SMA160AHM2G P4SMA160AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 136V 219V DO214AC
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P4SMA16AHM2G P4SMA16AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO214AC
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P4SMA22A M2G P4SMA22A M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
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P4SMA22AHM2G P4SMA22AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
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P4SMA22CA M2G P4SMA22CA M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
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P4SMA24A M2G P4SMA24A M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO214AC
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P4SMA24AHM2G P4SMA24AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO214AC
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P4SMA24CA M2G P4SMA24CA M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO214AC
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P4SMA24CAHM2G P4SMA24CAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO214AC
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P4SMA27A M2G P4SMA27A M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 23.1V 37.5V DO214AC
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P4SMA27AHM2G P4SMA27AHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 23.1V 37.5V DO214AC
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P4SMA27CA M2G P4SMA27CA M2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 23.1V 37.5V DO214AC
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P4SMA27CAHM2G P4SMA27CAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf Description: TVS DIODE 23.1V 37.5V DO214AC
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ES3FB M4G ES3AB%20SERIES_B1706.pdf
ES3FB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
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ES3FBHM4G ES3AB%20SERIES_B1706.pdf
ES3FBHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
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ES3GB M4G ES3AB%20SERIES_B1706.pdf
ES3GB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
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ES3GBHM4G ES3AB%20SERIES_B1706.pdf
ES3GBHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
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ES3JB M4G ES3AB%20SERIES_C2102.pdf
ES3JB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
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ES3JBHM4G ES3AB%20SERIES_C2102.pdf
ES3JBHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
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HS1K M2G HS1A%20SERIES_L2102.pdf
HS1K M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
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HS1KL M2G HS1AL SERIES_C2103.pdf
HS1KL M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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HS1KL MHG HS1AL SERIES_C2103.pdf
HS1KL MHG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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HS1M M2G HS1A%20SERIES_L2102.pdf
HS1M M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
HS1ML M2G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
HS1ML MHG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML MHG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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HS2D M4G HS2A%20SERIES_K1701.pdf
HS2D M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
HS2JA M2G HS2AA%20SERIES_H14.pdf
HS2JA M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
HS2K M4G HS2A%20SERIES_K1701.pdf
HS2K M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
HS2KA M2G HS2AA%20SERIES_H14.pdf
HS2KA M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
HS2M M4G HS2A%20SERIES_K1701.pdf
HS2M M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
HS2MA M2G HS2AA%20SERIES_H14.pdf
HS2MA M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
HS3BB M4G HS3AB%20SERIES_K1701.pdf
HS3BB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
HS3DB M4G HS3AB%20SERIES_K1701.pdf
HS3DB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
HS3GB M4G HS3AB%20SERIES_K1701.pdf
HS3GB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
HS3MB M4G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3MB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
MUR110S M4G MUR105S%20SERIES_L2102.pdf
MUR110S M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
MUR110SHM4G MUR105S%20SERIES_L2102.pdf
MUR110SHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
MUR115S M4G MUR105S%20SERIES_K1701.pdf
MUR115S M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
MUR115SHM4G MUR105S%20SERIES_K1701.pdf
MUR115SHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
MUR120S M4G MUR105S%20SERIES_L2102.pdf
MUR120S M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
MUR120SHM4G MUR105S%20SERIES_L2102.pdf
MUR120SHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
MUR140S M4G MUR105S%20SERIES_K1701.pdf
MUR140S M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
MUR140SHM4G MUR105S%20SERIES_K1701.pdf
MUR140SHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
MUR160S M4G MUR105S%20SERIES_L2102.pdf
MUR160S M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
MUR160SHM4G MUR105S%20SERIES_L2102.pdf
MUR160SHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
P4SMA10A M2G P4SMA%20SERIES_Q1705.pdf
P4SMA10A M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 8.55V 14.5V DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
P4SMA10AHM2G P4SMA%20SERIES_S2102.pdf
P4SMA10AHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 29A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.55V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
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P4SMA12A M2G P4SMA%20SERIES_S2102.pdf
P4SMA12A M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AC
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
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P4SMA130A M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO214AC
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO214AC
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 11.1V 18.2V DO214AC
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 18.8V 30.6V DO214AC
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO214AC
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO214AC
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 23.1V 37.5V DO214AC
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 23.1V 37.5V DO214AC
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
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