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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
ES1D M2G ES1D M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_O2112.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1DHM2G ES1DHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1DL M2G ES1DL M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1DV M2G ES1DV M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1DV_C2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1G M2G ES1G M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_M15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1GHM2G ES1GHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_M15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1GL M2G ES1GL M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1GL MHG ES1GL MHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_K15.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1J M2G ES1J M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_O2112.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1JHM2G ES1JHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_O2112.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1JL M2G ES1JL M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1JL MHG ES1JL MHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1JLHM2G ES1JLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1JLHMHG ES1JLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2B M4G ES2B M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20-%20ES2J.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2BA M2G ES2BA M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2BAHM2G ES2BAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2BHM4G ES2BHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20-%20ES2J.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2C M4G ES2C M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20-%20ES2J.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2CA M2G ES2CA M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2CAHM2G ES2CAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2CHM4G ES2CHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20-%20ES2J.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2D M4G ES2D M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2DA M2G ES2DA M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2DAHM2G ES2DAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2DHM4G ES2DHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2DV M4G ES2DV M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2DV_C2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2DVHM4G ES2DVHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2DV_C2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2F M4G ES2F M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2FA M2G ES2FA M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2FAHM2G ES2FAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_L15.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2FHM4G ES2FHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2G M4G ES2G M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2GA M2G ES2GA M2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2GAHM2G ES2GAHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES2AA%20SERIES_M2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2GHM4G ES2GHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES2A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3DB M4G ES3DB M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES3AB%20SERIES_C2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3DBHM4G ES3DBHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES3AB%20SERIES_C2102.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3FB M4G ES3FB M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES3AB%20SERIES_B1706.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3FBHM4G ES3FBHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES3AB%20SERIES_B1706.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3GB M4G ES3GB M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES3AB%20SERIES_B1706.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3GBHM4G ES3GBHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES3AB%20SERIES_B1706.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3JB M4G ES3JB M4G Taiwan Semiconductor Corporation ES3AB%20SERIES_C2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3JBHM4G ES3JBHM4G Taiwan Semiconductor Corporation ES3AB%20SERIES_C2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS1K M2G HS1K M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS1KL M2G HS1KL M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS1KL MHG HS1KL MHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS1M M2G HS1M M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1A%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS1ML M2G HS1ML M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS1ML MHG HS1ML MHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1AL%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS2D M4G HS2D M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS2JA M2G HS2JA M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_H14.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS2K M4G HS2K M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS2KA M2G HS2KA M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_H14.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS2M M4G HS2M M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS2MA M2G HS2MA M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA%20SERIES_H14.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS3BB M4G HS3BB M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS3DB M4G HS3DB M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS3GB M4G HS3GB M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_K1701.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
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HS3MB M4G HS3MB M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS3AB%20SERIES_L2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 3A DO214AA
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ES1D M2G ES1A%20SERIES_O2112.pdf
ES1D M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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ES1DHM2G ES1A%20SERIES_N2102.pdf
ES1DHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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ES1DL M2G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1DL M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1DV M2G ES1DV_C2102.pdf
ES1DV M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
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ES1G M2G ES1A%20SERIES_M15.pdf
ES1G M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
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ES1GHM2G ES1A%20SERIES_M15.pdf
ES1GHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
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ES1GL M2G ES1AL%20SERIES_K15.pdf
ES1GL M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
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ES1GL MHG ES1AL%20SERIES_K15.pdf
ES1GL MHG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA
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ES1J M2G ES1A%20SERIES_O2112.pdf
ES1J M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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ES1JHM2G ES1A%20SERIES_O2112.pdf
ES1JHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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ES1JL M2G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1JL M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
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ES1JL MHG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1JL MHG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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ES1JLHM2G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1JLHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1JLHMHG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1JLHMHG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
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ES2B M4G ES2A%20-%20ES2J.pdf
ES2B M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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ES2BA M2G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2BA M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2BAHM2G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2BAHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2BHM4G ES2A%20-%20ES2J.pdf
ES2BHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2C M4G ES2A%20-%20ES2J.pdf
ES2C M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2CA M2G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2CA M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2CAHM2G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2CAHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2CHM4G ES2A%20-%20ES2J.pdf
ES2CHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2D M4G ES2A%20SERIES_L2102.pdf
ES2D M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2DA M2G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2DA M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2DAHM2G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2DAHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2DHM4G ES2A%20SERIES_L2102.pdf
ES2DHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2DV M4G ES2DV_C2102.pdf
ES2DV M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2DVHM4G ES2DV_C2102.pdf
ES2DVHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2F M4G ES2A%20SERIES_K1701.pdf
ES2F M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2FA M2G ES2AA%20SERIES_L15.pdf
ES2FA M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2FAHM2G ES2AA%20SERIES_L15.pdf
ES2FAHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2FHM4G ES2A%20SERIES_K1701.pdf
ES2FHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2G M4G ES2A%20SERIES_L2102.pdf
ES2G M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2GA M2G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2GA M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2GAHM2G ES2AA%20SERIES_M2102.pdf
ES2GAHM2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES2GHM4G ES2A%20SERIES_L2102.pdf
ES2GHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3DB M4G ES3AB%20SERIES_C2102.pdf
ES3DB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3DBHM4G ES3AB%20SERIES_C2102.pdf
ES3DBHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3FB M4G ES3AB%20SERIES_B1706.pdf
ES3FB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3FBHM4G ES3AB%20SERIES_B1706.pdf
ES3FBHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3GB M4G ES3AB%20SERIES_B1706.pdf
ES3GB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3GBHM4G ES3AB%20SERIES_B1706.pdf
ES3GBHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3JB M4G ES3AB%20SERIES_C2102.pdf
ES3JB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES3JBHM4G ES3AB%20SERIES_C2102.pdf
ES3JBHM4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS1K M2G HS1A%20SERIES_L2102.pdf
HS1K M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS1KL M2G HS1AL SERIES_C2103.pdf
HS1KL M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS1KL MHG HS1AL SERIES_C2103.pdf
HS1KL MHG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS1M M2G HS1A%20SERIES_L2102.pdf
HS1M M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS1ML M2G HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS1ML MHG HS1AL%20SERIES_C2103.pdf
HS1ML MHG
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS2D M4G HS2A%20SERIES_K1701.pdf
HS2D M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS2JA M2G HS2AA%20SERIES_H14.pdf
HS2JA M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS2K M4G HS2A%20SERIES_K1701.pdf
HS2K M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS2KA M2G HS2AA%20SERIES_H14.pdf
HS2KA M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS2M M4G HS2A%20SERIES_K1701.pdf
HS2M M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS2MA M2G HS2AA%20SERIES_H14.pdf
HS2MA M2G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS3BB M4G HS3AB%20SERIES_K1701.pdf
HS3BB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS3DB M4G HS3AB%20SERIES_K1701.pdf
HS3DB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS3GB M4G HS3AB%20SERIES_K1701.pdf
HS3GB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HS3MB M4G HS3AB%20SERIES_L2102.pdf
HS3MB M4G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 3A DO214AA
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