Produkte > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Alle Produkte des Herstellers TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25055) > Seite 46 nach 418
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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ES2DV M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA |
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ES2DVHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA |
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ES2F M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA |
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ES2FA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC |
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ES2FAHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC |
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ES2FHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA |
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ES2G M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA |
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ES2GA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC |
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ES2GAHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC |
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ES2GHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA |
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ES3DB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA |
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ES3DBHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 |
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ES3FB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA |
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ES3FBHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA |
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ES3GB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA |
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ES3GBHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA |
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ES3JB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA |
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ES3JBHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA |
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HS1K M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC |
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HS1KL M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
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HS1KL MHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
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HS1M M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1A DO214AC |
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HS1ML M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
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HS1ML MHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
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HS2D M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA |
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HS2JA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC |
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HS2K M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA |
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HS2KA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC |
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HS2M M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 2A DO214AA |
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HS2MA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC |
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HS3BB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA |
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HS3DB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA |
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HS3GB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA |
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HS3MB M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 3A DO214AA |
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MUR110S M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA |
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MUR110SHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA |
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MUR115S M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AA |
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MUR115SHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AA |
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MUR120S M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA |
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MUR120SHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA |
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MUR140S M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA |
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MUR140SHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA |
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MUR160S M4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA |
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MUR160SHM4G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA |
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P4SMA10A M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 8.55V 14.5V DO214AC |
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P4SMA10AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: Automotive Current - Peak Pulse (10/1000µs): 29A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.55V Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 9.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V Power - Peak Pulse: 400W Power Line Protection: No |
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P4SMA12A M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AC |
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P4SMA12AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AC |
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P4SMA130A M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC |
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P4SMA130AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC |
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P4SMA130CA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC |
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P4SMA13A M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO214AC |
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P4SMA13AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO214AC |
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P4SMA13CA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 11.1V 18.2V DO214AC |
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P4SMA13CAHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 11.1V 18.2V DO214AC |
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P4SMA150A M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 128VWM 207VC DO214AC |
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P4SMA150AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 128V 207V DO214AC |
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P4SMA150CA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 128V 207V DO214AC |
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P4SMA150CAHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 128V 207V DO214AC |
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P4SMA160AHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: TVS DIODE 136V 219V DO214AC |
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| ES2DV M4G |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| ES2DVHM4G |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| ES2F M4G |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES2FA M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES2FAHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES2FHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES2G M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES2GA M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES2GAHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES2GHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES3DB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES3DBHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE STANDARD 200V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES3FB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES3FBHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES3GB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES3GBHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES3JB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ES3JBHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| HS1K M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| HS1KL M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| HS1KL MHG |
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Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| HS1M M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 1A DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| HS1ML M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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| HS1ML MHG |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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Stück im Wert von UAH
| HS2D M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| HS2JA M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| HS2K M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| HS2KA M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| HS2M M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 2A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 2A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| HS2MA M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| HS3BB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| HS3DB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| HS3GB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| HS3MB M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 3A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 3A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| MUR110S M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| MUR110SHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| MUR115S M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| MUR115SHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| MUR120S M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| MUR120SHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| MUR140S M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| MUR140SHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MUR160S M4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| MUR160SHM4G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
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Stück im Wert von UAH
| P4SMA10A M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 8.55V 14.5V DO214AC
Description: TVS DIODE 8.55V 14.5V DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| P4SMA10AHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 29A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.55V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 29A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.55V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.5V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
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Stück im Wert von UAH
| P4SMA12A M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AC
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| P4SMA12AHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AC
Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| P4SMA130A M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC
Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4SMA130AHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC
Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4SMA130CA M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC
Description: TVS DIODE 111VWM 179VC DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4SMA13A M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO214AC
Description: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| P4SMA13AHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO214AC
Description: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| P4SMA13CA M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 11.1V 18.2V DO214AC
Description: TVS DIODE 11.1V 18.2V DO214AC
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Stück im Wert von UAH
| P4SMA13CAHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 11.1V 18.2V DO214AC
Description: TVS DIODE 11.1V 18.2V DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| P4SMA150A M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 128VWM 207VC DO214AC
Description: TVS DIODE 128VWM 207VC DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| P4SMA150AHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 128V 207V DO214AC
Description: TVS DIODE 128V 207V DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4SMA150CA M2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 128V 207V DO214AC
Description: TVS DIODE 128V 207V DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P4SMA150CAHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 128V 207V DO214AC
Description: TVS DIODE 128V 207V DO214AC
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| P4SMA160AHM2G |
|
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TVS DIODE 136V 219V DO214AC
Description: TVS DIODE 136V 219V DO214AC
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Stück im Wert von UAH