Produkte > TAIWAN SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers TAIWAN SEMICONDUCTOR (50033) > Seite 798 nach 834
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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TQM050NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM300NB06DCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM150NB04DCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 4283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM300NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM033NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm |
auf Bestellung 2247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM070NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm |
auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM150NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM033NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
auf Bestellung 1275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM025NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm |
auf Bestellung 2482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM110NB04LCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 4974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM150NB04DCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 4283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM300NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 56W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM110NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM150NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 56W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM033NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
auf Bestellung 1275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM050NB06CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM250NB06DCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 58W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 58W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM033NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 107W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm |
auf Bestellung 2247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM025NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm |
auf Bestellung 2482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TSM110NB04LCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
auf Bestellung 4974 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM250NB06DCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 58W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 58W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM070NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm |
auf Bestellung 4950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM110NB04CR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: PDFN56U Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TQM300NB06DCR RLG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 48W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PDFN56U Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 48W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 2394 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMCJ5.0CA | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ5.0CA - TVS-Diode, SMCJ Series, Bidirektional, 5 V, 9.6 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 6.4V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 7.3V isCanonical: Y Sperrspannung: 5V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMCJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 9.6V |
auf Bestellung 1087 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMBJ100CA | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ100CA - TVS-Diode, SMBJ, Bidirektional, 100 V, 162 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 111V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 123V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 100V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMBJ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 162V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 3771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMBJ100CA | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ100CA - TVS-Diode, SMBJ, Bidirektional, 100 V, 162 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 111V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 123V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 100V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMBJ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 162V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 3771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAT54A RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54A RFG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 500 mV, 600 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 600mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 500mV Sperrverzögerungszeit: 5ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT5x Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAT54A RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54A RFG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 500 mV, 600 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 600mA euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 500mV Sperrverzögerungszeit: 5ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT5x Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1N5406G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5406G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GBPC3502W | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - GBPC3502W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 400A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: Modul usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBPC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBR20H100CT | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20H100CT - Schottky-Gleichrichterdiode, für hohe Temperaturen, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame KathodetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 150A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 950mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBR20 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBR20150CT | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20150CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.23V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBR20H100CT C0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20H100CT C0G - Schottky-Gleichrichterdiode, wärmebeständig, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220ABtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBR20HxxxCT Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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1N5391G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5391G - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1.5 A, Einfach, 1.1 V, 50 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AC Durchlassstoßstrom: 50A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 9870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GBU806 | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - GBU806 - Brückengleichrichter, glaspassiviert, Eine Phase, 800 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 200A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SIP Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: GBU80x Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 931 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S1JMH | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - S1JMH - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 780 ns, 20 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MicroSMA Durchlassstoßstrom: 20A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 780ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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S1JMH | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - S1JMH - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 780 ns, 20 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MicroSMA Durchlassstoßstrom: 20A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 780ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BAT42WS RRG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42WS RRG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F Durchlassstoßstrom: 4A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 5ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAT42WS RRG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42WS RRG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F Durchlassstoßstrom: 4A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 5ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAT42W RHG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42W RHG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 4A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 5ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAT4xW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 4048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAT42W RHG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42W RHG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: 4A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 5ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BAT4xW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 4048 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TS79M05CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS79M05CP ROG - Linearer Festspannungsregler, -35V bis -10Vin, -5V/500mAout, TO-252-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500 Nominelle feste Ausgangsspannung: -5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Betriebstemperatur, min.: 0 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: -10 Bauform - Linearregler: TO-252 (DPAK) euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: -35 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: -5V 500mA Negative Linear Voltage Regulators productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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TS79M05CP ROG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS79M05CP ROG - Linearer Festspannungsregler, -35V bis -10Vin, -5V/500mAout, TO-252-3tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SMAJ18CA. | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMAJ18CA. - TVS-Diode, SMAJ, Bidirektional, 18 V, 29.2 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 20 Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 22.1 usEccn: EAR99 Sperrspannung: 18 euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 400 TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: SMAJ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150 Klemmspannung, max.: 29.2 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBR15100CT | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR15100CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 15 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 920mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMBJ60A | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ60A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 60 V, 96.8 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 66.7V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 73.7V isCanonical: Y Sperrspannung: 60V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMBJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 96.8V |
auf Bestellung 3522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMBJ60A | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ60A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 60 V, 96.8 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 66.7V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 73.7V isCanonical: N Sperrspannung: 60V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMBJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 96.8V |
auf Bestellung 3522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUR820 | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MUR820 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 100A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MUR8x Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 507 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TS4148 RXG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS4148 RXG - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 1206 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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MBR2545CT | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR2545CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 25 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 820 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 200A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 820mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 45V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MBRF1060CT | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBRF1060CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, ITO-220AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: ITO-220AB Durchlassstoßstrom: 120A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 900mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MBRF10xCT Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 60V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMCJ48CA | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ48CA - TVS-Diode, SMCJ Series, Bidirektional, 48 V, 77.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 53.3V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 58.9V isCanonical: Y Sperrspannung: 48V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMCJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 77.4V |
auf Bestellung 1357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMCJ90A | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ90A - TVS-Diode, SMCJ, Unidirektional, 90 V, 146 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 100V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 111V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 90V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMCJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 146V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMCJ90A | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ90A - TVS-Diode, SMCJ, Unidirektional, 90 V, 146 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 100V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 111V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 90V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMCJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 146V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMBJ90A | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ90A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 90 V, 146 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 100V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 111V isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 90V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMBJ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 146V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMBJ90A | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ90A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 90 V, 146 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 100V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 111V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 90V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMBJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 146V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMBJ26A | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ26A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 28.9V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 31.9V isCanonical: Y Sperrspannung: 26V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMBJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 42.1V |
auf Bestellung 9685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SMBJ26A | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ26A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 28.9V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 31.9V isCanonical: N Sperrspannung: 26V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMBJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 42.1V |
auf Bestellung 9685 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ES1AL | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1AL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Sub-SMA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 7823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TQM050NB06CR RLG |
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.77 EUR |
| 500+ | 3.69 EUR |
| 1000+ | 3.62 EUR |
| TQM300NB06DCR RLG |
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.22 EUR |
| 59+ | 3.95 EUR |
| 100+ | 2.76 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 1000+ | 2.13 EUR |
| TQM150NB04DCR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.27 EUR |
| 36+ | 6.52 EUR |
| 100+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 3.24 EUR |
| 1000+ | 3.02 EUR |
| TQM300NB06CR RLG |
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Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 167+ | 1.5 EUR |
| 172+ | 1.34 EUR |
| 178+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| TSM033NB04CR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 2247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 39+ | 6.47 EUR |
| 57+ | 4.11 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| 500+ | 2.2 EUR |
| 1000+ | 2.05 EUR |
| TQM070NB04CR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 83+ | 3.02 EUR |
| TQM150NB04CR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 125+ | 2.01 EUR |
| TQM033NB04CR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.17 EUR |
| 500+ | 2.65 EUR |
| 1000+ | 2.44 EUR |
| TQM025NB04CR RLG |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 2482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 6.38 EUR |
| 500+ | 5.49 EUR |
| 1000+ | 5.38 EUR |
| TSM110NB04LCR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 4974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 5.43 EUR |
| 72+ | 3.25 EUR |
| 116+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
| TQM150NB04DCR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 4283 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.15 EUR |
| 500+ | 3.24 EUR |
| 1000+ | 3.02 EUR |
| TQM300NB06CR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 167+ | 1.5 EUR |
| 172+ | 1.34 EUR |
| 178+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| TQM110NB04CR RLG |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 108+ | 2.32 EUR |
| 134+ | 1.74 EUR |
| 147+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| TQM150NB04CR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 125+ | 2.01 EUR |
| TQM033NB04CR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 7.12 EUR |
| 52+ | 4.52 EUR |
| 100+ | 3.17 EUR |
| 500+ | 2.65 EUR |
| 1000+ | 2.44 EUR |
| TQM050NB06CR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM050NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 104 A, 4300 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 4.55 EUR |
| 56+ | 4.15 EUR |
| 100+ | 3.77 EUR |
| 500+ | 3.69 EUR |
| 1000+ | 3.62 EUR |
| TQM250NB06DCR RLG |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 109+ | 2.13 EUR |
| 110+ | 1.96 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| TSM033NB04CR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 2247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.89 EUR |
| 500+ | 2.2 EUR |
| 1000+ | 2.05 EUR |
| TQM025NB04CR RLG |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM025NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 157 A, 1800 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
auf Bestellung 2482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 14.45 EUR |
| 25+ | 9.45 EUR |
| 100+ | 6.38 EUR |
| 500+ | 5.49 EUR |
| 1000+ | 5.38 EUR |
| TSM110NB04LCR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM110NB04LCR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 8000 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 4974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.25 EUR |
| 116+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
| TQM250NB06DCR RLG |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 109+ | 2.13 EUR |
| 110+ | 1.96 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| TQM070NB04CR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM070NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0045 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.02 EUR |
| TQM110NB04CR RLG |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM110NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 54 A, 7200 µohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 108+ | 2.32 EUR |
| 134+ | 1.74 EUR |
| 147+ | 1.46 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.18 EUR |
| TQM300NB06DCR RLG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.76 EUR |
| 500+ | 2.31 EUR |
| 1000+ | 2.13 EUR |
| SMCJ5.0CA |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ5.0CA - TVS-Diode, SMCJ Series, Bidirektional, 5 V, 9.6 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 7.3V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 5V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMCJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.6V
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ5.0CA - TVS-Diode, SMCJ Series, Bidirektional, 5 V, 9.6 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6.4V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 7.3V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 5V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMCJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.6V
auf Bestellung 1087 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 117+ | 2.15 EUR |
| 193+ | 1.2 EUR |
| 295+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
| SMBJ100CA |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ100CA - TVS-Diode, SMBJ, Bidirektional, 100 V, 162 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 111V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 123V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 100V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 162V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ100CA - TVS-Diode, SMBJ, Bidirektional, 100 V, 162 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 111V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 123V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 100V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 162V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 232+ | 1.08 EUR |
| 269+ | 0.87 EUR |
| 447+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| SMBJ100CA |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ100CA - TVS-Diode, SMBJ, Bidirektional, 100 V, 162 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 111V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 123V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 100V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 162V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ100CA - TVS-Diode, SMBJ, Bidirektional, 100 V, 162 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 111V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 123V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 100V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 162V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 232+ | 1.08 EUR |
| 269+ | 0.87 EUR |
| 447+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| BAT54A RFG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54A RFG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 500 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT5x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54A RFG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 500 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT5x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 547+ | 0.45 EUR |
| 918+ | 0.25 EUR |
| 1458+ | 0.14 EUR |
| BAT54A RFG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54A RFG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 500 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT5x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT54A RFG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 500 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT5x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 547+ | 0.45 EUR |
| 918+ | 0.25 EUR |
| 1458+ | 0.14 EUR |
| 1N5406G |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5406G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5406G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 125A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 222+ | 1.13 EUR |
| 354+ | 0.65 EUR |
| 547+ | 0.39 EUR |
| 752+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| GBPC3502W |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - GBPC3502W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - GBPC3502W - Brückengleichrichter, Eine Phase, 200 V, 35 A, Modul, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 400A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: Modul
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 35A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBPC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.72 EUR |
| 28+ | 8.5 EUR |
| 100+ | 4.47 EUR |
| MBR20H100CT |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20H100CT - Schottky-Gleichrichterdiode, für hohe Temperaturen, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBR20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20H100CT - Schottky-Gleichrichterdiode, für hohe Temperaturen, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBR20
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 4.7 EUR |
| 92+ | 2.53 EUR |
| 129+ | 1.67 EUR |
| MBR20150CT |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20150CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.23V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20150CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.23V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 134+ | 1.87 EUR |
| 190+ | 1.23 EUR |
| 191+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| MBR20H100CT C0G |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20H100CT C0G - Schottky-Gleichrichterdiode, wärmebeständig, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBR20HxxxCT Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR20H100CT C0G - Schottky-Gleichrichterdiode, wärmebeständig, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBR20HxxxCT Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5391G |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5391G - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1.5 A, Einfach, 1.1 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5391G - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1.5 A, Einfach, 1.1 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AC
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 259+ | 0.96 EUR |
| 337+ | 0.69 EUR |
| 550+ | 0.39 EUR |
| 827+ | 0.26 EUR |
| 1039+ | 0.2 EUR |
| GBU806 |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - GBU806 - Brückengleichrichter, glaspassiviert, Eine Phase, 800 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU80x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - GBU806 - Brückengleichrichter, glaspassiviert, Eine Phase, 800 V, 8 A, SIP, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SIP
Montage des Brückengleichrichters: Durchsteckmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: GBU80x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 931 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 5.18 EUR |
| 75+ | 3.11 EUR |
| 121+ | 1.77 EUR |
| 500+ | 1.49 EUR |
| S1JMH |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - S1JMH - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 780 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 20A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 780ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - S1JMH - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 780 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 20A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 780ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| S1JMH |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - S1JMH - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 780 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 20A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 780ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - S1JMH - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 780 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: MicroSMA
Durchlassstoßstrom: 20A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 780ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BAT42WS RRG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42WS RRG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42WS RRG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 439+ | 0.57 EUR |
| 715+ | 0.32 EUR |
| 1151+ | 0.19 EUR |
| 1561+ | 0.14 EUR |
| 1783+ | 0.12 EUR |
| BAT42WS RRG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42WS RRG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42WS RRG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.57 EUR |
| 715+ | 0.32 EUR |
| 1151+ | 0.19 EUR |
| 1561+ | 0.14 EUR |
| 1783+ | 0.12 EUR |
| BAT42W RHG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42W RHG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT4xW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42W RHG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT4xW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 637+ | 0.39 EUR |
| 1058+ | 0.21 EUR |
| 1693+ | 0.13 EUR |
| 2353+ | 0.09 EUR |
| 2674+ | 0.08 EUR |
| BAT42W RHG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42W RHG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT4xW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BAT42W RHG - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: 4A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT4xW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4048 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 637+ | 0.39 EUR |
| 1058+ | 0.21 EUR |
| 1693+ | 0.13 EUR |
| 2353+ | 0.09 EUR |
| 2674+ | 0.08 EUR |
| TS79M05CP ROG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS79M05CP ROG - Linearer Festspannungsregler, -35V bis -10Vin, -5V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500
Nominelle feste Ausgangsspannung: -5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: -10
Bauform - Linearregler: TO-252 (DPAK)
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -35
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -5V 500mA Negative Linear Voltage Regulators
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS79M05CP ROG - Linearer Festspannungsregler, -35V bis -10Vin, -5V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500
Nominelle feste Ausgangsspannung: -5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: -10
Bauform - Linearregler: TO-252 (DPAK)
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: -35
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -5V 500mA Negative Linear Voltage Regulators
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| TS79M05CP ROG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS79M05CP ROG - Linearer Festspannungsregler, -35V bis -10Vin, -5V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS79M05CP ROG - Linearer Festspannungsregler, -35V bis -10Vin, -5V/500mAout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SMAJ18CA. |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMAJ18CA. - TVS-Diode, SMAJ, Bidirektional, 18 V, 29.2 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 20
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 22.1
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SMAJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150
Klemmspannung, max.: 29.2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMAJ18CA. - TVS-Diode, SMAJ, Bidirektional, 18 V, 29.2 V, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 20
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 22.1
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SMAJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150
Klemmspannung, max.: 29.2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MBR15100CT |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR15100CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 15 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 920mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR15100CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 15 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 920mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 70+ | 3.59 EUR |
| 95+ | 2.46 EUR |
| 132+ | 1.63 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
| SMBJ60A |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ60A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 60 V, 96.8 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 66.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 73.7V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 96.8V
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ60A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 60 V, 96.8 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 66.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 73.7V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 96.8V
auf Bestellung 3522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 91+ | 2.75 EUR |
| 189+ | 1.23 EUR |
| 268+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| SMBJ60A |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ60A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 60 V, 96.8 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 66.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 73.7V
isCanonical: N
Sperrspannung: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 96.8V
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ60A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 60 V, 96.8 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 66.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 73.7V
isCanonical: N
Sperrspannung: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 96.8V
auf Bestellung 3522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.75 EUR |
| 189+ | 1.23 EUR |
| 268+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| MUR820 |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MUR820 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR8x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MUR820 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 8 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR8x Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 5.27 EUR |
| 99+ | 2.37 EUR |
| 133+ | 1.62 EUR |
| 500+ | 1.27 EUR |
| TS4148 RXG |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS4148 RXG - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 1206
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TS4148 RXG - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 1206
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 75V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MBR2545CT |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR2545CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 25 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 820 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 820mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBR2545CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 25 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 820 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 200A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 820mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 5.75 EUR |
| 64+ | 3.67 EUR |
| 100+ | 2.46 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
| MBRF1060CT |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBRF1060CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, ITO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: ITO-220AB
Durchlassstoßstrom: 120A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 900mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRF10xCT Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - MBRF1060CT - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, ITO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: ITO-220AB
Durchlassstoßstrom: 120A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 900mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MBRF10xCT Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 68+ | 3.7 EUR |
| 169+ | 1.38 EUR |
| 191+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| SMCJ48CA |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ48CA - TVS-Diode, SMCJ Series, Bidirektional, 48 V, 77.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 53.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 58.9V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 48V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMCJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 77.4V
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ48CA - TVS-Diode, SMCJ Series, Bidirektional, 48 V, 77.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 53.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 58.9V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 48V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMCJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 77.4V
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 117+ | 2.15 EUR |
| 241+ | 0.96 EUR |
| 290+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| SMCJ90A |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ90A - TVS-Diode, SMCJ, Unidirektional, 90 V, 146 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 100V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 111V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 90V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 146V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ90A - TVS-Diode, SMCJ, Unidirektional, 90 V, 146 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 100V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 111V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 90V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 146V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 164+ | 1.54 EUR |
| 250+ | 0.93 EUR |
| SMCJ90A |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ90A - TVS-Diode, SMCJ, Unidirektional, 90 V, 146 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 100V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 111V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 90V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 146V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ90A - TVS-Diode, SMCJ, Unidirektional, 90 V, 146 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 100V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 111V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 90V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 146V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 164+ | 1.54 EUR |
| 250+ | 0.93 EUR |
| SMBJ90A |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ90A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 90 V, 146 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 100V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 111V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 90V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 146V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ90A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 90 V, 146 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 100V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 111V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 90V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 146V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 284+ | 0.88 EUR |
| 428+ | 0.55 EUR |
| 725+ | 0.3 EUR |
| 782+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| SMBJ90A |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ90A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 90 V, 146 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 100V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 111V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 90V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 146V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ90A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 90 V, 146 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 100V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 111V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 90V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 146V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 284+ | 0.88 EUR |
| 428+ | 0.55 EUR |
| 725+ | 0.3 EUR |
| 782+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| SMBJ26A |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ26A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 28.9V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 31.9V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 26V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 42.1V
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ26A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 28.9V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 31.9V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 26V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 42.1V
auf Bestellung 9685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 310+ | 0.81 EUR |
| 402+ | 0.58 EUR |
| 585+ | 0.37 EUR |
| 776+ | 0.27 EUR |
| SMBJ26A |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ26A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 28.9V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 31.9V
isCanonical: N
Sperrspannung: 26V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 42.1V
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ26A - TVS-Diode, SMBJ, Unidirektional, 26 V, 42.1 V, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 28.9V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 31.9V
isCanonical: N
Sperrspannung: 26V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMBJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 42.1V
auf Bestellung 9685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 310+ | 0.81 EUR |
| 402+ | 0.58 EUR |
| 585+ | 0.37 EUR |
| 776+ | 0.27 EUR |
| ES1AL |
![]() |
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1AL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Sub-SMA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1AL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Sub-SMA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 7823 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 124+ | 2.02 EUR |
| 199+ | 1.17 EUR |
| 253+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.67 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| 5000+ | 0.54 EUR |



















