| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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1SS301,LXGF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS301,LXGF(T - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 1.6 ns, 2 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 2A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 1.6ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 85V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TC7W08FK(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC7W08FK(TE85L,F) - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 2 Inputs, 8 Pin(s), SSOP-P tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TC7SZ17FE,LJ(CT | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC7SZ17FE,LJ(CT - Schmitt-Puffer-IC, TC7SZ17, 1.65 bis 5.5V Versorgung, SOT-553-5, -40°C bis 125°CtariffCode: 85423990 euEccn: NLR Logik-IC-Sockelnummer: - rohsCompliant: YES Logik-IC-Familie: - Bauform - Logikbaustein: SOT-553 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.65V Logikbaustein: Schmitt-Puffer SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
auf Bestellung 3056 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DF3A5.6FV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF3A5.6FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mW tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-723 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 150mW SVHC: To Be Advised Begrenzungsspannung Vc, max.: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 6714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DF3A5.6FV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF3A5.6FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mW tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-723 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N Verlustleistung Pd: 150mW SVHC: To Be Advised Begrenzungsspannung Vc, max.: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 6714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC6026MFV-Y,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC6026MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 60MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 14965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3J35CT,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 8 ohm, CST, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: CST Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm |
auf Bestellung 9184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN1116MFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K35CT,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: CST Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3J35AMFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm |
auf Bestellung 3339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3J15FV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J15FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm |
auf Bestellung 26908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K35MFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K37CT,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: CST Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm |
auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N16FE,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K35MFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K56MFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SSM3K35MFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
auf Bestellung 4860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K35CTC,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: CST-C Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SSM3K35CT,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: CST Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DF3A6.8FV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF3A6.8FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-723 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 150mW SVHC: To Be Advised Begrenzungsspannung Vc, max.: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 6800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN1116MFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 56000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K35AMFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
auf Bestellung 543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K35AMFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
auf Bestellung 6153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TC75S63TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC75S63TU,LF(T - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3.5 MHz, 1 V/µs, 2.2V bis 5.5V, SOT-353F, 5 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: CMOS, rauscharm, universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Anstiegsrate: 1V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353F Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3.5MHz Eingangsoffsetspannung: 1mV SVHC: To Be Advised Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 2230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TC75S63TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC75S63TU,LF(T - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3.5 MHz, 1 V/µs, 2.2V bis 5.5V, SOT-353F, 5 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: CMOS, rauscharm, universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.2V bis 5.5V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Anstiegsrate: 1V/µs Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353F Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3.5MHz Eingangsoffsetspannung: 1mV SVHC: To Be Advised Eingangsruhestrom: 1pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 2230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN1407,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1407,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 4603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN1407,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1407,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 4603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K35CTC,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 500mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: CST-C Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| XPJ1R504PB,LXHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPJ1R504PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00154 ohm, S-TOGL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 197W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: S-TOGL Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00154ohm |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XPN9R614MC,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPN9R614MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 9600 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 100W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm |
auf Bestellung 4224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XPH2R608QB,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPH2R608QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.00255 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: WFSOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm |
auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XPH3R908QB,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPH3R908QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0039 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 132W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: WFSOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XPH2R608QB,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPH2R608QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.00255 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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XPH3R908QB,L1XHQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPH3R908QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0039 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HN1B04FE-Y,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 100mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 100mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA |
auf Bestellung 3640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HN1C01FE-Y,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1C01FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 100mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA |
auf Bestellung 3534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HN1C01FE-Y,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1C01FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 100mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA |
auf Bestellung 3534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HN1B04FE-Y,LXHF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 100mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 100mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA |
auf Bestellung 3640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6K217FE,LF(A | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 500mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm |
auf Bestellung 2786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6K217FE,LF(A | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm |
auf Bestellung 2786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N44FE,LM(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N44FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.2 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 150mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 13460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N15AFE,LM(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIII Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N36FE,LM(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N37FE,LM(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N37FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N56FE,LM(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.235ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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SSM6N16FE,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N36FE,LM(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N35AFE,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N35AFE,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N35FE,LM(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N35FE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2467 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N37FE,LM(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N37FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6N7002BFE,LM(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N7002BFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.1 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TC4001BF(EL,N,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC4001BF(EL,N,F) - Logik-IC, NOR-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), SOP-PtariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TC4001BF(EL,N,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC4001BF(EL,N,F) - Logik-IC, NOR-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), SOP-PtariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: NOR-Gatter Logik-IC-Familie: TC4001 Anzahl der Elemente: Vier hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Ausgangsstrom: 12mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOP-P Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 18V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TC7S02F,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC7S02F,LF(T - Logik-IC, NOR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SSOPtariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: NOR-Gatter Logik-IC-Familie: TC7S Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 12.5mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SSOP Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: - Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 2602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TC7S02FU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC7S02FU,LF(T - Logik-IC, NOR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SSOPtariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: NOR-Gatter Logik-IC-Familie: TC7S Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 12.5mA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SSOP Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: - Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TC7S02F,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC7S02F,LF(T - Logik-IC, NOR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SSOPtariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: NOR-Gatter Logik-IC-Familie: TC7S Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 12.5mA isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SSOP Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: - Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 2602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TC7S02FU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TC7S02FU,LF(T - Logik-IC, NOR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SSOPtariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Logikfunktion: NOR-Gatter Logik-IC-Familie: TC7S Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 12.5mA isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SSOP Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 2Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: - Betriebstemperatur, max.: 85°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TCR2LN18,LF(SE | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TCR2LN18,LF(SE - LDO-Spannungsregler, fest, 1.5 bis 5.5Vin, 350mV Dropout, 1.8V/0.2Aout, SDFN EP-4, -40 bis 85°CtariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SDFN EP Nennausgangsspannung: 1.8V Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V SVHC: To Be Advised Ausgangsstrom, max.: 200mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.5V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 1.8V 200mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 1.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 200mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 8883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TCR2LN18,LF(SE | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TCR2LN18,LF(SE - LDO-Spannungsregler, fest, 1.5 bis 5.5Vin, 350mV Dropout, 1.8V/0.2Aout, SDFN EP-4, -40 bis 85°CtariffCode: 85423990 Ausgang: Fest euEccn: NLR rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SDFN EP Nennausgangsspannung: 1.8V Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V SVHC: To Be Advised Ausgangsstrom, max.: 200mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.5V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 1.8V 200mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 1.8V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 200mA usEccn: EAR99 Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
auf Bestellung 8883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN1305,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1305,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 1SS301,LXGF(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS301,LXGF(T - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 1.6 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 1.6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: TOSHIBA - 1SS301,LXGF(T - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 1.6 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 1.6ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.83 EUR |
| 715+ | 0.32 EUR |
| 918+ | 0.24 EUR |
| 1161+ | 0.19 EUR |
| 1606+ | 0.13 EUR |
| TC7W08FK(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC7W08FK(TE85L,F) - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 2 Inputs, 8 Pin(s), SSOP-P
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - TC7W08FK(TE85L,F) - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 2 Inputs, 8 Pin(s), SSOP-P
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 375+ | 0.67 EUR |
| 544+ | 0.43 EUR |
| 710+ | 0.3 EUR |
| 814+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| TC7SZ17FE,LJ(CT |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC7SZ17FE,LJ(CT - Schmitt-Puffer-IC, TC7SZ17, 1.65 bis 5.5V Versorgung, SOT-553-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SOT-553
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikbaustein: Schmitt-Puffer
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: TOSHIBA - TC7SZ17FE,LJ(CT - Schmitt-Puffer-IC, TC7SZ17, 1.65 bis 5.5V Versorgung, SOT-553-5, -40°C bis 125°C
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SOT-553
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikbaustein: Schmitt-Puffer
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 3056 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 893+ | 0.29 EUR |
| 1491+ | 0.15 EUR |
| 1938+ | 0.11 EUR |
| 2156+ | 0.1 EUR |
| 2198+ | 0.098 EUR |
| DF3A5.6FV,L3F(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF3A5.6FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: To Be Advised
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - DF3A5.6FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: To Be Advised
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 579+ | 0.43 EUR |
| 953+ | 0.24 EUR |
| 1563+ | 0.14 EUR |
| 2326+ | 0.092 EUR |
| 2995+ | 0.071 EUR |
| 5000+ | 0.065 EUR |
| DF3A5.6FV,L3F(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF3A5.6FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: To Be Advised
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - DF3A5.6FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: To Be Advised
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 579+ | 0.43 EUR |
| 953+ | 0.24 EUR |
| 1563+ | 0.14 EUR |
| 2326+ | 0.092 EUR |
| 2995+ | 0.071 EUR |
| 5000+ | 0.065 EUR |
| 2SC6026MFV-Y,L3F(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC6026MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SC6026MFV-Y,L3F(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 685+ | 0.37 EUR |
| 1141+ | 0.2 EUR |
| 1846+ | 0.12 EUR |
| 2526+ | 0.084 EUR |
| 3226+ | 0.067 EUR |
| 5000+ | 0.06 EUR |
| SSM3J35CT,L3F(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 8 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
Description: TOSHIBA - SSM3J35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 8 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 9184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 415+ | 0.61 EUR |
| 667+ | 0.35 EUR |
| 1067+ | 0.2 EUR |
| 2005+ | 0.11 EUR |
| 5000+ | 0.1 EUR |
| RN1116MFV,L3F(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 725+ | 0.35 EUR |
| 1211+ | 0.19 EUR |
| 1938+ | 0.11 EUR |
| 3425+ | 0.063 EUR |
| 4000+ | 0.061 EUR |
| SSM3K35CT,L3F(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.074 EUR |
| 30000+ | 0.064 EUR |
| SSM3J35AMFV,L3F(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
Description: TOSHIBA - SSM3J35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
auf Bestellung 3339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 553+ | 0.45 EUR |
| 910+ | 0.25 EUR |
| 1454+ | 0.14 EUR |
| 2526+ | 0.084 EUR |
| SSM3J15FV,L3F(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J15FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
Description: TOSHIBA - SSM3J15FV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 mA, 12 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
auf Bestellung 26908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 582+ | 0.43 EUR |
| 944+ | 0.25 EUR |
| 1511+ | 0.14 EUR |
| 2646+ | 0.081 EUR |
| 4000+ | 0.08 EUR |
| SSM3K35MFV,L3F(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8000+ | 0.082 EUR |
| 24000+ | 0.067 EUR |
| SSM3K37CT,L3F(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K37CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 2.2 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 428+ | 0.58 EUR |
| 981+ | 0.24 EUR |
| 1129+ | 0.19 EUR |
| 1537+ | 0.14 EUR |
| SSM6N16FE,L3F(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 364+ | 0.69 EUR |
| 589+ | 0.39 EUR |
| 926+ | 0.23 EUR |
| 1593+ | 0.13 EUR |
| SSM3K35MFV,L3F(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8000+ | 0.082 EUR |
| 24000+ | 0.067 EUR |
| SSM3K56MFV,L3F(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K56MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SSM3K35MFV,L3F(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K35MFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 4860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 466+ | 0.54 EUR |
| 1104+ | 0.21 EUR |
| 1415+ | 0.15 EUR |
| 2106+ | 0.1 EUR |
| 4000+ | 0.087 EUR |
| SSM3K35CTC,L3F(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SSM3K35CT,L3F(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K35CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.074 EUR |
| 30000+ | 0.064 EUR |
| DF3A6.8FV,L3F(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF3A6.8FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: To Be Advised
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - DF3A6.8FV,L3F(T - ESD-Schutzbaustein, SOT-723, 3 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 150mW
SVHC: To Be Advised
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 596+ | 0.42 EUR |
| 1384+ | 0.17 EUR |
| 1710+ | 0.13 EUR |
| 2539+ | 0.084 EUR |
| 4000+ | 0.074 EUR |
| RN1116MFV,L3F(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: TOSHIBA - RN1116MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8000+ | 0.048 EUR |
| 24000+ | 0.039 EUR |
| SSM3K35AMFV,L3F(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.5 EUR |
| SSM3K35AMFV,L3F(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K35AMFV,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
auf Bestellung 6153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 582+ | 0.43 EUR |
| 944+ | 0.25 EUR |
| 1511+ | 0.14 EUR |
| 2075+ | 0.1 EUR |
| 2646+ | 0.081 EUR |
| 5000+ | 0.064 EUR |
| TC75S63TU,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC75S63TU,LF(T - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3.5 MHz, 1 V/µs, 2.2V bis 5.5V, SOT-353F, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: CMOS, rauscharm, universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353F
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3.5MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
SVHC: To Be Advised
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: TOSHIBA - TC75S63TU,LF(T - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3.5 MHz, 1 V/µs, 2.2V bis 5.5V, SOT-353F, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: CMOS, rauscharm, universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353F
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3.5MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
SVHC: To Be Advised
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 402+ | 0.62 EUR |
| 592+ | 0.39 EUR |
| 776+ | 0.27 EUR |
| 885+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| TC75S63TU,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC75S63TU,LF(T - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3.5 MHz, 1 V/µs, 2.2V bis 5.5V, SOT-353F, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: CMOS, rauscharm, universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353F
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3.5MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
SVHC: To Be Advised
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: TOSHIBA - TC75S63TU,LF(T - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3.5 MHz, 1 V/µs, 2.2V bis 5.5V, SOT-353F, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: CMOS, rauscharm, universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anstiegsrate: 1V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353F
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3.5MHz
Eingangsoffsetspannung: 1mV
SVHC: To Be Advised
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 2230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 402+ | 0.62 EUR |
| 592+ | 0.39 EUR |
| 776+ | 0.27 EUR |
| 885+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| RN1407,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1407,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: TOSHIBA - RN1407,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 4603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 646+ | 0.39 EUR |
| 1077+ | 0.21 EUR |
| 1737+ | 0.12 EUR |
| 2156+ | 0.1 EUR |
| 2476+ | 0.087 EUR |
| RN1407,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1407,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: TOSHIBA - RN1407,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 4603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 646+ | 0.39 EUR |
| 1077+ | 0.21 EUR |
| 1737+ | 0.12 EUR |
| 2156+ | 0.1 EUR |
| 2476+ | 0.087 EUR |
| SSM3K35CTC,L3F(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K35CTC,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm, CST-C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST-C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| XPJ1R504PB,LXHQ(O |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPJ1R504PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00154 ohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 197W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00154ohm
Description: TOSHIBA - XPJ1R504PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00154 ohm, S-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 197W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: S-TOGL
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00154ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.7 EUR |
| 38+ | 6.22 EUR |
| 100+ | 3.27 EUR |
| 500+ | 2.49 EUR |
| 1000+ | 2.3 EUR |
| XPN9R614MC,L1XHQ(O |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN9R614MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 9600 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
Description: TOSHIBA - XPN9R614MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 9600 µohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
auf Bestellung 4224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.71 EUR |
| 139+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.17 EUR |
| XPH2R608QB,L1XHQ(O |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPH2R608QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.00255 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WFSOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
Description: TOSHIBA - XPH2R608QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.00255 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WFSOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 11.72 EUR |
| 35+ | 6.69 EUR |
| 100+ | 4.45 EUR |
| 500+ | 3.38 EUR |
| 1000+ | 3.13 EUR |
| XPH3R908QB,L1XHQ(O |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPH3R908QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0039 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 132W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WFSOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
Description: TOSHIBA - XPH3R908QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0039 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 132W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WFSOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 9.07 EUR |
| 45+ | 5.18 EUR |
| 100+ | 3.45 EUR |
| 500+ | 2.62 EUR |
| 1000+ | 2.42 EUR |
| XPH2R608QB,L1XHQ(O |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPH2R608QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.00255 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - XPH2R608QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.00255 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 150+ | 4.45 EUR |
| 500+ | 3.38 EUR |
| 1000+ | 3.13 EUR |
| XPH3R908QB,L1XHQ(O |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPH3R908QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0039 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - XPH3R908QB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0039 ohm, WFSOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 150+ | 3.45 EUR |
| 500+ | 2.62 EUR |
| 1000+ | 2.42 EUR |
| HN1B04FE-Y,LXHF(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 100mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 100mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 153+ | 1.63 EUR |
| 249+ | 0.94 EUR |
| 387+ | 0.56 EUR |
| 553+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| HN1C01FE-Y,LXHF(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1C01FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
Description: TOSHIBA - HN1C01FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 3534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 323+ | 0.77 EUR |
| 532+ | 0.44 EUR |
| 841+ | 0.25 EUR |
| 1240+ | 0.18 EUR |
| 1389+ | 0.15 EUR |
| HN1C01FE-Y,LXHF(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1C01FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
Description: TOSHIBA - HN1C01FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 3534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.77 EUR |
| 532+ | 0.44 EUR |
| 841+ | 0.25 EUR |
| 1240+ | 0.18 EUR |
| 1389+ | 0.15 EUR |
| HN1B04FE-Y,LXHF(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 100mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-Y,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 100mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
auf Bestellung 3640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 153+ | 1.63 EUR |
| 249+ | 0.94 EUR |
| 387+ | 0.56 EUR |
| 553+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| SSM6K217FE,LF(A |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
Description: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
auf Bestellung 2786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 233+ | 1.07 EUR |
| 390+ | 0.6 EUR |
| 599+ | 0.36 EUR |
| 814+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| SSM6K217FE,LF(A |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
Description: TOSHIBA - SSM6K217FE,LF(A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 1.8 A, 0.195 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
auf Bestellung 2786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 233+ | 1.07 EUR |
| 390+ | 0.6 EUR |
| 599+ | 0.36 EUR |
| 814+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| SSM6N44FE,LM(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N44FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N44FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 13460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 292+ | 0.86 EUR |
| 393+ | 0.6 EUR |
| 685+ | 0.31 EUR |
| 1017+ | 0.21 EUR |
| 1201+ | 0.18 EUR |
| 5000+ | 0.15 EUR |
| SSM6N15AFE,LM(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 323+ | 0.77 EUR |
| 488+ | 0.48 EUR |
| 782+ | 0.27 EUR |
| SSM6N36FE,LM(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 291+ | 0.86 EUR |
| 477+ | 0.49 EUR |
| 758+ | 0.29 EUR |
| 1108+ | 0.19 EUR |
| SSM6N37FE,LM(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N37FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N37FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 364+ | 0.69 EUR |
| 589+ | 0.39 EUR |
| 926+ | 0.23 EUR |
| 1352+ | 0.15 EUR |
| SSM6N56FE,LM(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.235ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N56FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.235 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.235ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SSM6N16FE,L3F(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N16FE,L3F(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 364+ | 0.69 EUR |
| 589+ | 0.39 EUR |
| 926+ | 0.23 EUR |
| 1593+ | 0.13 EUR |
| SSM6N36FE,LM(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N36FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 291+ | 0.86 EUR |
| 477+ | 0.49 EUR |
| 758+ | 0.29 EUR |
| 1108+ | 0.19 EUR |
| SSM6N35AFE,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N35AFE,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N35AFE,LF(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 343+ | 0.73 EUR |
| 562+ | 0.42 EUR |
| 893+ | 0.24 EUR |
| 1211+ | 0.18 EUR |
| 1419+ | 0.15 EUR |
| SSM6N35FE,LM(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N35FE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N35FE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 180 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 284+ | 0.88 EUR |
| 468+ | 0.5 EUR |
| 747+ | 0.29 EUR |
| 1003+ | 0.21 EUR |
| 1129+ | 0.19 EUR |
| SSM6N37FE,LM(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N37FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N37FE,LM(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 250 mA, 2.2 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 364+ | 0.69 EUR |
| 589+ | 0.39 EUR |
| 926+ | 0.23 EUR |
| 1352+ | 0.15 EUR |
| SSM6N7002BFE,LM(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N7002BFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N7002BFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 447+ | 0.56 EUR |
| 736+ | 0.32 EUR |
| 1174+ | 0.18 EUR |
| 1593+ | 0.13 EUR |
| 1819+ | 0.12 EUR |
| TC4001BF(EL,N,F) |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC4001BF(EL,N,F) - Logik-IC, NOR-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), SOP-P
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - TC4001BF(EL,N,F) - Logik-IC, NOR-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), SOP-P
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 268+ | 0.94 EUR |
| 272+ | 0.86 EUR |
| 277+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| TC4001BF(EL,N,F) |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC4001BF(EL,N,F) - Logik-IC, NOR-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), SOP-P
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: TC4001
Anzahl der Elemente: Vier
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 12mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-P
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: TOSHIBA - TC4001BF(EL,N,F) - Logik-IC, NOR-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), SOP-P
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: TC4001
Anzahl der Elemente: Vier
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Ausgangsstrom: 12mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-P
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 268+ | 0.94 EUR |
| 272+ | 0.86 EUR |
| 277+ | 0.77 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| TC7S02F,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC7S02F,LF(T - Logik-IC, NOR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: TC7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 12.5mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: TOSHIBA - TC7S02F,LF(T - Logik-IC, NOR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: TC7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 12.5mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 2602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 725+ | 0.35 EUR |
| 1200+ | 0.19 EUR |
| 1401+ | 0.15 EUR |
| 1780+ | 0.12 EUR |
| 1859+ | 0.12 EUR |
| TC7S02FU,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC7S02FU,LF(T - Logik-IC, NOR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: TC7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 12.5mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: TOSHIBA - TC7S02FU,LF(T - Logik-IC, NOR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: TC7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 12.5mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 741+ | 0.33 EUR |
| 1227+ | 0.19 EUR |
| 1278+ | 0.17 EUR |
| 1500+ | 0.15 EUR |
| TC7S02F,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC7S02F,LF(T - Logik-IC, NOR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: TC7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 12.5mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: TOSHIBA - TC7S02F,LF(T - Logik-IC, NOR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: TC7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 12.5mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 2602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 725+ | 0.35 EUR |
| 1200+ | 0.19 EUR |
| 1401+ | 0.15 EUR |
| 1780+ | 0.12 EUR |
| 1859+ | 0.12 EUR |
| TC7S02FU,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TC7S02FU,LF(T - Logik-IC, NOR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: TC7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 12.5mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: TOSHIBA - TC7S02FU,LF(T - Logik-IC, NOR-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SSOP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: TC7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 12.5mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 741+ | 0.33 EUR |
| 1227+ | 0.19 EUR |
| 1278+ | 0.17 EUR |
| 1500+ | 0.15 EUR |
| TCR2LN18,LF(SE |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR2LN18,LF(SE - LDO-Spannungsregler, fest, 1.5 bis 5.5Vin, 350mV Dropout, 1.8V/0.2Aout, SDFN EP-4, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SDFN EP
Nennausgangsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: To Be Advised
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 200mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: TOSHIBA - TCR2LN18,LF(SE - LDO-Spannungsregler, fest, 1.5 bis 5.5Vin, 350mV Dropout, 1.8V/0.2Aout, SDFN EP-4, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SDFN EP
Nennausgangsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: To Be Advised
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 200mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 8883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 646+ | 0.39 EUR |
| 1067+ | 0.21 EUR |
| 1368+ | 0.15 EUR |
| 1662+ | 0.13 EUR |
| 5000+ | 0.12 EUR |
| TCR2LN18,LF(SE |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TCR2LN18,LF(SE - LDO-Spannungsregler, fest, 1.5 bis 5.5Vin, 350mV Dropout, 1.8V/0.2Aout, SDFN EP-4, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SDFN EP
Nennausgangsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: To Be Advised
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 200mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: TOSHIBA - TCR2LN18,LF(SE - LDO-Spannungsregler, fest, 1.5 bis 5.5Vin, 350mV Dropout, 1.8V/0.2Aout, SDFN EP-4, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SDFN EP
Nennausgangsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
SVHC: To Be Advised
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 200mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 8883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 646+ | 0.39 EUR |
| 1067+ | 0.21 EUR |
| 1368+ | 0.15 EUR |
| 1662+ | 0.13 EUR |
| 5000+ | 0.12 EUR |
| RN1305,LF(T |
![]() |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1305,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: TOSHIBA - RN1305,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.095 EUR |
| 9000+ | 0.067 EUR |


















