Die Produkte vishay general semiconductor - diodes division

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1N5402/54 1N5402/54 1N5400-1N5408.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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MBR1645 MBR1645 MBR16.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AC
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
Current - Average Rectified (Io): 16A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Diode Type: Schottky
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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auf Bestellung 28335 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
HFA15TB60 HFA15TB60 HFA15TB60,-1.pdf техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Current - Average Rectified (Io): 15A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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auf Bestellung 44 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5401/54 1N5401/54 1N5400-1N5408.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
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GF1B/17A GF1B/17A gf1.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
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MBR1060/45 MBR1060/45 MBR1035%20-%20MBR1060.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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MBR1045/45 MBR1045/45 MBR1035%20-%20MBR1060.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220AC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
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SB550/54 SB550/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 5A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500µA @ 50V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: SB550
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HFA08TB60S HFA08TB60S HFA08TB60S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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auf Bestellung 14 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
HFA08TB120 HFA08TB120 HFA08TB120.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 8 A
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auf Bestellung 4700 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
HFA04TB60S HFA04TB60S HFA04TB60S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 4A
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
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auf Bestellung 15 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10BQ015 10BQ015 VS-10BQ015PbF.pdf техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 15V 1A SMB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 15 V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 60 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10BQ015TR 10BQ015TR VS-10BQ015PbF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 15V 1A SMB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 15 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
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auf Bestellung 26268 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10BQ040 10BQ040 10BQ040PbF.pdf техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
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auf Bestellung 5965 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10BQ040TR 10BQ040TR 10BQ040PbF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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auf Bestellung 97652 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10BQ060 10BQ060 10BQ060Pbf.pdf техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1A
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auf Bestellung 602140 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10BQ060TR 10BQ060TR 10BQ060Pbf.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
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auf Bestellung 528585 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10BQ100TR 10BQ100TR 10BQ100PBF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB
Diode Type: Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 41904 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10ETF02S 10ETF02S 10ETF,S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 145ns
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Base Part Number: 10ETF02
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10ETF04S 10ETF04S 10ETF,S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK
Base Part Number: 10ETF04
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 145ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10ETF06 10ETF06 10ETF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
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auf Bestellung 6524 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10ETF06S 10ETF06S 10ETF,S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 10A D2PAK
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
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10ETS08 10ETS08 10ETS,S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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10ETS08S 10ETS08S 10ETS,S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10MQ040N 10MQ040N 10MQ040NPbF.pdf техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2.1A SMA
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 1 A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
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auf Bestellung 14944 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10MQ060N 10MQ060N 10MQ060NPBF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2.1A SMA
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Diode Type: Schottky
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10MQ060NTR 10MQ060NTR 10MQ060NPBF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2.1A SMA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
10MQ100N 10MQ100N 10MQ100NPBF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.1A SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
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10MQ100NTR 10MQ100NTR 10MQ100NPBF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.1A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
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auf Bestellung 2840 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
15MQ040N 15MQ040N 15MQ040NPbF.pdf техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
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auf Bestellung 80932 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
15MQ040NTR 15MQ040NTR 15MQ040NPbF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 205760 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
19TQ015S 19TQ015S 19TQ015S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 15V 19A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 15 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 19 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 19A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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auf Bestellung 3 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
19TQ015STRL 19TQ015STRL 19TQ015S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 15V 19A D2PAK
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 15 V
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 19 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 19A
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20ETF02S 20ETF02S 20ETF%20..S%20Soft%20Recovery%20Series.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Base Part Number: 20ETF02
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20ETS08 20ETS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
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20ETS08S 20ETS08S 20ETS.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 20A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20ETS12 20ETS12 SCHOT%20TO-220AC%20%5Einput%5E.jpg техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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auf Bestellung 10000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20ETS12S 20ETS12S 20ETS.pdf техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
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auf Bestellung 9200 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20TQ045 20TQ045 20TQ035,40,45.pdf техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
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auf Bestellung 6211 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30BQ015 30BQ015 30BQ015PBF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 15V 3A SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 15V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Part Number: 30BQ015
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350mV @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15V
Diode Type: Schottky
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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auf Bestellung 5180 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30BQ015TR 30BQ015TR 30BQ015PBF.pdf техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 15V 3A SMC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 15V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350mV @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15V
Diode Type: Schottky
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: 30BQ015
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
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auf Bestellung 131592 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30BQ040 30BQ040 30BQ040PBF.pdf техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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auf Bestellung 66113 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30BQ040TR 30BQ040TR 30BQ040PBF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
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auf Bestellung 73214 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30BQ060 30BQ060 30BQ060PBF.pdf техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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auf Bestellung 15790 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30BQ060TR 30BQ060TR 30BQ060PBF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
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auf Bestellung 35870 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30CPF02 30CPF02 30EPF_30CPF0x.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AC
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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30WQ03FN 30WQ03FN 30WQ03FN.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3.5A DPAK
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 30V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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auf Bestellung 60139 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
40EPS08 40EPS08 40EPSxx.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 40A TO247AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Current - Average Rectified (Io): 40A
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
40EPS12 40EPS12 40EPSxx.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Current - Average Rectified (Io): 40A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
50WQ03FN 50WQ03FN 50WQ03FN.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Current - Average Rectified (Io): 5.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 5A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 30V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: D-Pak
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
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auf Bestellung 69868 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
50WQ04FN 50WQ04FN 50WQ04FN.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 40 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 5.5A
Capacitance @ Vr, F: 405pF @ 5V, 1MHz
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auf Bestellung 20200 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
50WQ04FNTR 50WQ04FNTR 50WQ04FN.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io): 5.5A
Capacitance @ Vr, F: 405pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
50WQ06FN 50WQ06FN 50WQ06FN.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 5.5A
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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auf Bestellung 212025 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
50WQ06FNTRR 50WQ06FNTRR 50WQ06FN.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 5V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 5A
Current - Average Rectified (Io): 5.5A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 6000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
50WQ10FN 50WQ10FN 50WQ10FN.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 5.5A
Capacitance @ Vr, F: 183pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 345 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
60EPS08 60EPS08 60EPS.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 60A TO247AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
70EPF04 70EPF04 70EPF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 70A POWIRTAB
Supplier Device Package: PowIRtab™
Package / Case: PowerTab™, PowIRtab™
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33V @ 70A
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
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85EPF04 85EPF04 85EPF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 85A POWIRTAB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 85 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowIRtab™
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io): 85A
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: PowerTab™, PowIRtab™
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
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8EWF02S 8EWF02S 8EWF..S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK
Reverse Recovery Time (trr): 140ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A
Current - Average Rectified (Io): 8A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 200V
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auf Bestellung 19200 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8EWF04S 8EWF04S 8EWF..S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 8A DPAK
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 8A
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8EWF06S 8EWF06S 8EWF..S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
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8EWF06STRL 8EWF06STRL 8EWF..S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
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auf Bestellung 3000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8EWS08S 8EWS08S 8EWSxxS.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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auf Bestellung 25096 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8EWS12S 8EWS12S 8EWSxxS.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-Pak
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A
Current - Average Rectified (Io): 8A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
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auf Bestellung 15000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8TQ080 8TQ080 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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auf Bestellung 855 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8TQ080S 8TQ080S 8TQ.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A D2PAK
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8TQ100S 8TQ100S 8TQ.pdf техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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auf Bestellung 14000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8TQ100STRR 8TQ100STRR 8TQ.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 1577 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
HFA06PB120 HFA06PB120 HFA06PB120.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO247AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Packaging: Tube
Current - Average Rectified (Io): 6A
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
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HFA08PB60 HFA08PB60 HFA08PB60.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO247AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Current - Average Rectified (Io): 8A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
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HFA08TB60STRL HFA08TB60STRL HFA08TB60S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
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MBR1635 MBR1635 MBR16.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220AC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V
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MBR735 MBR735 mbr7x5.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
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auf Bestellung 32997 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20ETS08STRL 20ETS08STRL 20ETS.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 20A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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20ETF04S 20ETF04S 20ETF%20..S%20Soft%20Recovery%20Series.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 20A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF04
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20ETF10S 20ETF10S 20ETF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1000V
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20ETF06S 20ETF06S 20ETF%20..S%20Soft%20Recovery%20Series.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 20A D2PAK
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 600V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF06
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20ETF08S 20ETF08S 20ETF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 20A D2PAK
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 800V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF08
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
20ETF12S 20ETF12S 20ETF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1200V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF12
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auf Bestellung 4200 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8EWF10S 8EWF10S 8EWF..S,%201000%20to%201200V.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 15000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8EWF12S 8EWF12S 8EWF..S,%201000%20to%201200V.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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auf Bestellung 53639 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10ETF10 10ETF10 10ETF_Series.pdf техническая информация Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
10ETF12 10ETF12 10ETF_Series.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 20 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10ETS12 10ETS12 10ETS,S.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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20ETF02 20ETF02 20ETF0x.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 200V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF02
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20ETF04 20ETF04 20ETF0x.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF04
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20ETF06 20ETF06 20ETF0x.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 600V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF06
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
20ETF08 20ETF08 20ETF(08,10,12).pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 800V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF08
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20ETF10 20ETF10 20ETF(08,10,12).pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1000V
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
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auf Bestellung 3017 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20ETF12 20ETF12 20ETF(08,10,12).pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1200V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF12
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10ETS08FP 10ETSxxFP.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 10A TO220FP
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC Full Pack
Current - Average Rectified (Io): 10A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
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10ETS12FP 10ETSxxFP.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC Full Pack
Current - Average Rectified (Io): 10A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
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20ETS08FP 20ETS.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC Full Pack
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
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20ETS12FP 20ETS.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC Full Pack
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Packaging: Tube
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30CPF04 30CPF04 30EPF_30CPF0x.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41V @ 30A
Current - Average Rectified (Io): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
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30CPF06 30CPF06 30EPF_30CPF0x.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41V @ 30A
Current - Average Rectified (Io): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: 30CPF06
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 600V
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30CPF10 30CPF10 30EPF_30CPF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AC
Current - Average Rectified (Io): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Base Part Number: 30CPF10
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1000V
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Reverse Recovery Time (trr): 450ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41V @ 30A
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auf Bestellung 2000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30CPF12 30CPF12 30EPF_30CPF.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC
Base Part Number: 30CPF12
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1200V
Reverse Recovery Time (trr): 450ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41V @ 30A
Current - Average Rectified (Io): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
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auf Bestellung 500 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30EPF02 30EPF02 30EPF_30CPF0x.pdf Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Current - Average Rectified (Io): 30A
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
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1N5402/54 1N5400-1N5408.pdf
1N5402/54
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
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MBR1645 MBR16.pdf
MBR1645
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AC
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
Current - Average Rectified (Io): 16A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Diode Type: Schottky
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
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auf Bestellung 28335 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
HFA15TB60 техническая информация HFA15TB60,-1.pdf
HFA15TB60
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Current - Average Rectified (Io): 15A
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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auf Bestellung 44 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5401/54 1N5400-1N5408.pdf
1N5401/54
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-201AD
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
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GF1B/17A gf1.pdf
GF1B/17A
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Current - Average Rectified (Io): 1A
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
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MBR1060/45 MBR1035%20-%20MBR1060.pdf
MBR1060/45
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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MBR1045/45 MBR1035%20-%20MBR1060.pdf
MBR1045/45
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220AC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 45 V
Packaging: Tube
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
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SB550/54
SB550/54
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 5A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500µA @ 50V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: SB550
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HFA08TB60S HFA08TB60S.pdf
HFA08TB60S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 14 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
HFA08TB120 HFA08TB120.pdf
HFA08TB120
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 8 A
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auf Bestellung 4700 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
HFA04TB60S HFA04TB60S.pdf
HFA04TB60S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 4A
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
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auf Bestellung 15 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10BQ015 техническая информация VS-10BQ015PbF.pdf
10BQ015
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 1A SMB
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 15 V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 60 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10BQ015TR VS-10BQ015PbF.pdf
10BQ015TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 1A SMB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 15 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 26268 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10BQ040 техническая информация 10BQ040PbF.pdf
10BQ040
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 5965 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10BQ040TR 10BQ040PbF.pdf
10BQ040TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 97652 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10BQ060 техническая информация 10BQ060Pbf.pdf
10BQ060
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 602140 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10BQ060TR 10BQ060Pbf.pdf
10BQ060TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 62pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 528585 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10BQ100TR 10BQ100PBF.pdf
10BQ100TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB
Diode Type: Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 41904 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
10ETF02S 10ETF,S.pdf
10ETF02S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 145ns
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Base Part Number: 10ETF02
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak)
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10ETF04S 10ETF,S.pdf
10ETF04S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK
Base Part Number: 10ETF04
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 145ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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10ETF06 10ETF.pdf
10ETF06
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
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10ETF06S 10ETF,S.pdf
10ETF06S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A D2PAK
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
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10ETS08 10ETS,S.pdf
10ETS08
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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10ETS08S 10ETS,S.pdf
10ETS08S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 10A
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10MQ040N техническая информация 10MQ040NPbF.pdf
10MQ040N
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2.1A SMA
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 1 A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
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10MQ060N 10MQ060NPBF.pdf
10MQ060N
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2.1A SMA
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Diode Type: Schottky
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10MQ060NTR 10MQ060NPBF.pdf
10MQ060NTR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2.1A SMA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
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10MQ100N 10MQ100NPBF.pdf
10MQ100N
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.1A SMA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 1 A
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Bulk
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
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10MQ100NTR 10MQ100NPBF.pdf
10MQ100NTR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2.1A SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 2.1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
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15MQ040N техническая информация 15MQ040NPbF.pdf
15MQ040N
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
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auf Bestellung 80932 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
15MQ040NTR 15MQ040NPbF.pdf
15MQ040NTR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 205760 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
19TQ015S 19TQ015S.pdf
19TQ015S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 19A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 15 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 19 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 19A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
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auf Bestellung 3 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
19TQ015STRL 19TQ015S.pdf
19TQ015STRL
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 19A D2PAK
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 15 V
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 19 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 19A
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20ETF02S 20ETF%20..S%20Soft%20Recovery%20Series.pdf
20ETF02S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 20A D2PAK
Supplier Device Package: D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 200V
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Base Part Number: 20ETF02
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20ETS08
20ETS08
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
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20ETS08S 20ETS.pdf
20ETS08S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20ETS12 техническая информация SCHOT%20TO-220AC%20%5Einput%5E.jpg
20ETS12
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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auf Bestellung 10000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20ETS12S техническая информация 20ETS.pdf
20ETS12S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
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auf Bestellung 9200 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20TQ045 техническая информация 20TQ035,40,45.pdf
20TQ045
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 20A TO220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 mA @ 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 1400pF @ 5V, 1MHz
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auf Bestellung 6211 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30BQ015 30BQ015PBF.pdf
30BQ015
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 3A SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 15V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Part Number: 30BQ015
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350mV @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15V
Diode Type: Schottky
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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auf Bestellung 5180 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30BQ015TR техническая информация 30BQ015PBF.pdf
30BQ015TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 15V 3A SMC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4mA @ 15V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350mV @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 15V
Diode Type: Schottky
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: 30BQ015
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
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auf Bestellung 131592 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30BQ040 техническая информация 30BQ040PBF.pdf
30BQ040
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 66113 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30BQ040TR 30BQ040PBF.pdf
30BQ040TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
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auf Bestellung 73214 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30BQ060 техническая информация 30BQ060PBF.pdf
30BQ060
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
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auf Bestellung 15790 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30BQ060TR 30BQ060PBF.pdf
30BQ060TR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
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auf Bestellung 35870 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30CPF02 30EPF_30CPF0x.pdf
30CPF02
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AC
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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30WQ03FN 30WQ03FN.pdf
30WQ03FN
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3.5A DPAK
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2mA @ 30V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A
Current - Average Rectified (Io): 3.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Diode Type: Schottky
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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auf Bestellung 60139 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
40EPS08 40EPSxx.pdf
40EPS08
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 40A TO247AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Current - Average Rectified (Io): 40A
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
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40EPS12 40EPSxx.pdf
40EPS12
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Current - Average Rectified (Io): 40A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
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50WQ03FN 50WQ03FN.pdf
50WQ03FN
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30V
Current - Average Rectified (Io): 5.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 5A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 30V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package: D-Pak
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
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auf Bestellung 69868 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
50WQ04FN 50WQ04FN.pdf
50WQ04FN
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 40 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 5.5A
Capacitance @ Vr, F: 405pF @ 5V, 1MHz
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auf Bestellung 20200 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
50WQ04FNTR 50WQ04FN.pdf
50WQ04FNTR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io): 5.5A
Capacitance @ Vr, F: 405pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
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50WQ06FN 50WQ06FN.pdf
50WQ06FN
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 5.5A
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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auf Bestellung 212025 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
50WQ06FNTRR 50WQ06FN.pdf
50WQ06FNTRR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 5V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3mA @ 60V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 5A
Current - Average Rectified (Io): 5.5A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60V
Diode Type: Schottky
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 6000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
50WQ10FN 50WQ10FN.pdf
50WQ10FN
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 5.5A
Capacitance @ Vr, F: 183pF @ 5V, 1MHz
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky
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auf Bestellung 345 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
60EPS08 60EPS.pdf
60EPS08
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 60A TO247AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 60A
Current - Average Rectified (Io): 60A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
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70EPF04 70EPF.pdf
70EPF04
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 70A POWIRTAB
Supplier Device Package: PowIRtab™
Package / Case: PowerTab™, PowIRtab™
Mounting Type: Chassis Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Packaging: Bulk
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33V @ 70A
Current - Average Rectified (Io): 70A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
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85EPF04 85EPF.pdf
85EPF04
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 85A POWIRTAB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 85 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowIRtab™
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io): 85A
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: PowerTab™, PowIRtab™
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 400 V
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8EWF02S 8EWF..S.pdf
8EWF02S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK
Reverse Recovery Time (trr): 140ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A
Current - Average Rectified (Io): 8A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 200V
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auf Bestellung 19200 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8EWF04S 8EWF..S.pdf
8EWF04S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 8A DPAK
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 8A
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8EWF06S 8EWF..S.pdf
8EWF06S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
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8EWF06STRL 8EWF..S.pdf
8EWF06STRL
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
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auf Bestellung 3000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8EWS08S 8EWSxxS.pdf
8EWS08S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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auf Bestellung 25096 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8EWS12S 8EWSxxS.pdf
8EWS12S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-Pak
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50µA @ 1200V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A
Current - Average Rectified (Io): 8A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
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auf Bestellung 15000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8TQ080
8TQ080
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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auf Bestellung 855 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8TQ080S 8TQ.pdf
8TQ080S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 80V 8A D2PAK
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8TQ100S техническая информация 8TQ.pdf
8TQ100S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 14000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
8TQ100STRR 8TQ.pdf
8TQ100STRR
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 1577 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
HFA06PB120 HFA06PB120.pdf
HFA06PB120
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO247AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Packaging: Tube
Current - Average Rectified (Io): 6A
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
HFA08PB60 HFA08PB60.pdf
HFA08PB60
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO247AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Current - Average Rectified (Io): 8A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
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HFA08TB60STRL HFA08TB60S.pdf
HFA08TB60STRL
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
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MBR1635 MBR16.pdf
MBR1635
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220AC
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 16A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Schottky
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 35 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MBR735 mbr7x5.pdf
MBR735
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 35V
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 15A
Current - Average Rectified (Io): 7.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35V
Diode Type: Schottky
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 32997 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20ETS08STRL 20ETS.pdf
20ETS08STRL
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
20ETF04S 20ETF%20..S%20Soft%20Recovery%20Series.pdf
20ETF04S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 20A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF04
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20ETF10S 20ETF.pdf
20ETF10S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 20A D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1000V
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
20ETF06S 20ETF%20..S%20Soft%20Recovery%20Series.pdf
20ETF06S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A D2PAK
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 600V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF06
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20ETF08S 20ETF.pdf
20ETF08S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A D2PAK
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 800V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF08
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20ETF12S 20ETF.pdf
20ETF12S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1200V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF12
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8EWF10S 8EWF..S,%201000%20to%201200V.pdf
8EWF10S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
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8EWF12S 8EWF..S,%201000%20to%201200V.pdf
8EWF12S
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
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10ETF10 техническая информация 10ETF_Series.pdf
10ETF10
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
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10ETF12 10ETF_Series.pdf
10ETF12
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
Reverse Recovery Time (trr): 310 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 10 A
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
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10ETS12 10ETS,S.pdf
10ETS12
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
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20ETF02 20ETF0x.pdf
20ETF02
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 200V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF02
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20ETF04 20ETF0x.pdf
20ETF04
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF04
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20ETF06 20ETF0x.pdf
20ETF06
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 600V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF06
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20ETF08 20ETF(08,10,12).pdf
20ETF08
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 800V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF08
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20ETF10 20ETF(08,10,12).pdf
20ETF10
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1000V
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
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20ETF12 20ETF(08,10,12).pdf
20ETF12
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 20A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31V @ 20A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1200V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Base Part Number: 20ETF12
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10ETS08FP 10ETSxxFP.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 10A TO220FP
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC Full Pack
Current - Average Rectified (Io): 10A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Part Status: Obsolete
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
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10ETS12FP 10ETSxxFP.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC Full Pack
Current - Average Rectified (Io): 10A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
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20ETS08FP 20ETS.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC Full Pack
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
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20ETS12FP 20ETS.pdf
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220AC Full Pack
Current - Average Rectified (Io): 20A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Packaging: Tube
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30CPF04 30EPF_30CPF0x.pdf
30CPF04
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 30A TO247AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 400V
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41V @ 30A
Current - Average Rectified (Io): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
30CPF06 30EPF_30CPF0x.pdf
30CPF06
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC
Reverse Recovery Time (trr): 160ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41V @ 30A
Current - Average Rectified (Io): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Base Part Number: 30CPF06
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 600V
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auf Bestellung 8000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30CPF10 30EPF_30CPF.pdf
30CPF10
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AC
Current - Average Rectified (Io): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V
Diode Type: Standard
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Base Part Number: 30CPF10
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1000V
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Reverse Recovery Time (trr): 450ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41V @ 30A
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auf Bestellung 2000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30CPF12 30EPF_30CPF.pdf
30CPF12
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC
Base Part Number: 30CPF12
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100µA @ 1200V
Reverse Recovery Time (trr): 450ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Manufacturer: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41V @ 30A
Current - Average Rectified (Io): 30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V
Diode Type: Standard
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 500 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
30EPF02 30EPF_30CPF0x.pdf
30EPF02
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Current - Average Rectified (Io): 30A
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
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