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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SFH636-X016 VISHAY sfh636.pdf SFH636-X016 Optocouplers - analog output
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SFH640-3 VISHAY sfh640.pdf SFH640-3 Optocouplers - analog output
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SFH640-3X019T VISHAY sfh640.pdf SFH640-3X019T Optocouplers - analog output
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SFH690ABT VISHAY sfh690ab.pdf SFH690ABT Optocouplers - analog output
auf Bestellung 1667 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
89+0.81 EUR
313+0.23 EUR
334+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 89
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFH690AT VISHAY sfh690ab.pdf SFH690AT Optocouplers - analog output
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SFH690BT SFH690BT VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4B7ED223CC1F6C469&compId=SFH690BT.pdf?ci_sign=989aaf220dbecc754bec257f3c4db271080662f6 Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 70V
Case: SOP4
Collector-emitter voltage: 70V
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 3µs
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 100-300%@5mA
Manufacturer series: SFH690
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2867 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
134+0.53 EUR
191+0.37 EUR
305+0.23 EUR
323+0.22 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFH690CT VISHAY sfh690ab.pdf SFH690CT Optocouplers - analog output
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SFH690DT VISHAY sfh690ab.pdf SFH690DT Optocouplers - analog output
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFH6916 SFH6916 VISHAY sfh6916.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 70V
Case: SOP16
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 300%@5mA
Type of optocoupler: optocoupler
Collector-emitter voltage: 70V
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 4µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4948 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.25 EUR
48+1.50 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SFH691AT VISHAY sfh691at.pdf SFH691AT Optocouplers - analog output
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
64+1.13 EUR
173+0.41 EUR
183+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 64
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG3R2200JR18 SG3R2200JR18 VISHAY VISHAY_sg.pdf Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 220mΩ; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm
Type of resistor: wire-wound
Mounting: THT
Resistance: 0.22Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Max. operating voltage: 100V
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Operating temperature: -55...250°C
Resistor features: non-flammable
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Leads: axial
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG3R6800JR18 VISHAY SG3W-0R68 Power resistors
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
66+1.09 EUR
181+0.40 EUR
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG3W 15R 5% VISHAY SG3W-15R Power resistors
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
61+1.17 EUR
71+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG333R00JR18 SG333R00JR18 VISHAY VISHAY_sg.pdf Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 33Ω; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm; axial
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 33Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Max. operating voltage: 100V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Resistor features: non-flammable
Leads: axial
Operating temperature: -55...250°C
Mounting: THT
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.50 EUR
10+7.15 EUR
50+1.43 EUR
66+1.09 EUR
179+0.40 EUR
250+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG347R00JR18 SG347R00JR18 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A7FE08366DD9A11C&compId=VISHAY_sg.pdf?ci_sign=a8fc623e107b5489e3da102ddfaa48d628f9d482 Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 47Ω; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm; axial
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 47Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Max. operating voltage: 100V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Resistor features: non-flammable
Leads: axial
Operating temperature: -55...250°C
Mounting: THT
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
35+2.10 EUR
40+1.80 EUR
75+0.96 EUR
80+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-20-E3/96 SGL41-20-E3/96 VISHAY tf-sgl41-20-e3-96.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 20V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
200+0.36 EUR
211+0.34 EUR
24000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-30-E3/96 VISHAY irl620.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 30V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-40-E3/96 SGL41-40-E3/96 VISHAY bym13.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 40V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
124+0.58 EUR
148+0.49 EUR
237+0.30 EUR
252+0.28 EUR
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-50-E3/96 SGL41-50-E3/96 VISHAY BYM13-60-E3-96.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 50V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-60-E3/96 SGL41-60-E3/96 VISHAY bym13.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.70 EUR
122+0.59 EUR
143+0.50 EUR
255+0.28 EUR
270+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 VISHAY si1012cr.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
209+0.34 EUR
272+0.26 EUR
341+0.21 EUR
376+0.19 EUR
532+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1012R-T1-GE3
+1
 		SI1012R-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC6E8767ADDE143&compId=SI1012.pdf?ci_sign=81b302042f73a832b05e78322d343a6706b71a5e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC75A; ESD
Case: SC75A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80mW
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 0.75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
203+0.35 EUR
229+0.31 EUR
244+0.29 EUR
258+0.28 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 203
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1012X-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC6E8767ADDE143&compId=SI1012.pdf?ci_sign=81b302042f73a832b05e78322d343a6706b71a5e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 80mW
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 VISHAY si1013cx.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW
Case: SC89
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -1.5A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
163+0.44 EUR
266+0.27 EUR
353+0.20 EUR
486+0.15 EUR
782+0.09 EUR
820+0.09 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 163
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013R-T1-GE3 VISHAY si1013rx.pdf SI1013R-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013X-T1-GE3 VISHAY si1013rx.pdf SI1013X-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016CX-T1-GE3 VISHAY si1016cx.pdf SI1016CX-T1-GE3 Multi channel transistors
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
132+0.54 EUR
410+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 132
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1016X-T1-GE3 VISHAY si1016x.pdf SI1016X-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1021R-T1-GE3 VISHAY Si1021R.PDF SI1021R-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1022R-T1-GE3
+1
 		SI1022R-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B9856CDAEA7B6143&compId=SI1022R.pdf?ci_sign=8ed1fd1f550a04c438d36fadb7f656dd54f15e73 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1431 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
113+0.64 EUR
140+0.51 EUR
268+0.27 EUR
283+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1023CX-T1-GE3 VISHAY si1023cx.pdf SI1023CX-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1023X-T1-GE3 VISHAY si1023x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -390mA; 280mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -390mA
Pulsed drain current: -0.65A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1024X-T1-GE3 VISHAY si1024x.pdf SI1024X-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1025X-T1-GE3 VISHAY si1025x.pdf SI1025X-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1026X-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC720BDD6718143&compId=si1026x.pdf?ci_sign=760b73384567adc2e42cf835c33506b7ac6232db Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.22A; 0.13W; SC89,SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1029X-T1-GE3 VISHAY si1029x.pdf SI1029X-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1031R-T1-GE3 VISHAY si1031r.pdf SI1031R-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032R-T1-GE3 VISHAY si1032r.pdf SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2958 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
113+0.64 EUR
309+0.23 EUR
327+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1032X-T1-GE3 VISHAY si1032rx.pdf SI1032X-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034CX-T1-GE3 VISHAY si1034cx.pdf SI1034CX-T1-GE3 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1034X-T1-GE3 VISHAY si1034x.pdf SI1034X-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 VISHAY si1036x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A
Case: SC89; SOT563
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 610mA
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.22W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
143+0.50 EUR
218+0.33 EUR
325+0.22 EUR
603+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 143
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1040X-T1-GE3 VISHAY si1040x.pdf SI1040X-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1050X-T1-GE3 VISHAY si1050x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 1.34A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 236mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1062X-T1-GE3 VISHAY si1062x.pdf SI1062X-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1070X-T1-GE3 VISHAY si1070x.pdf SI1070X-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1077X-T1-GE3 VISHAY si1077x.pdf SI1077X-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Si1078X-T1-GE3 VISHAY si1078x.pdf SI1078X-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1079X-T1-GE3 VISHAY si1079x.pdf SI1079X-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1302DL-T1-E3 VISHAY si1302dl.pdf SI1302DL-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 VISHAY SI1302DL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; 0.18W; SC70
Case: SC70
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.86nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY si1308edl.pdf SI1308EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1317DL-T1-BE3 VISHAY si1317dl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI1317DL-T1-GE3 VISHAY si1317dl.pdf SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1330EDL-T1-BE3 VISHAY SI1330ED.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI1330EDL-T1-E3 SI1330EDL-T1-E3 VISHAY SI1330ED.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; 0.18W; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI1330EDL-T1-GE3 VISHAY si1330ed.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI1401EDH-T1-GE3 VISHAY si1401edh.pdf SI1401EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1403BDL-T1-E3 VISHAY si1403bdl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI1403BDL-T1-GE3 SI1403BDL-T1-GE3 VISHAY si1403bdl.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SFH636-X016 sfh636.pdf
Hersteller: VISHAY
SFH636-X016 Optocouplers - analog output
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SFH640-3 sfh640.pdf
Hersteller: VISHAY
SFH640-3 Optocouplers - analog output
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SFH640-3X019T sfh640.pdf
Hersteller: VISHAY
SFH640-3X019T Optocouplers - analog output
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SFH690ABT sfh690ab.pdf
Hersteller: VISHAY
SFH690ABT Optocouplers - analog output
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313+0.23 EUR
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SFH690AT sfh690ab.pdf
Hersteller: VISHAY
SFH690AT Optocouplers - analog output
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SFH690BT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4B7ED223CC1F6C469&compId=SFH690BT.pdf?ci_sign=989aaf220dbecc754bec257f3c4db271080662f6
SFH690BT
Hersteller: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 70V
Case: SOP4
Collector-emitter voltage: 70V
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 3µs
Number of channels: 1
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 100-300%@5mA
Manufacturer series: SFH690
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
76+0.94 EUR
134+0.53 EUR
191+0.37 EUR
305+0.23 EUR
323+0.22 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 76
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SFH690CT sfh690ab.pdf
Hersteller: VISHAY
SFH690CT Optocouplers - analog output
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SFH690DT sfh690ab.pdf
Hersteller: VISHAY
SFH690DT Optocouplers - analog output
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SFH6916 sfh6916.pdf
SFH6916
Hersteller: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 3.75kV; Uce: 70V
Case: SOP16
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 3.75kV
CTR@If: 300%@5mA
Type of optocoupler: optocoupler
Collector-emitter voltage: 70V
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 4µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
32+2.25 EUR
48+1.50 EUR
64+1.13 EUR
68+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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SFH691AT sfh691at.pdf
Hersteller: VISHAY
SFH691AT Optocouplers - analog output
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Anzahl Preis
64+1.13 EUR
173+0.41 EUR
183+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 64
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SG3R2200JR18 VISHAY_sg.pdf
SG3R2200JR18
Hersteller: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 220mΩ; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm
Type of resistor: wire-wound
Mounting: THT
Resistance: 0.22Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Max. operating voltage: 100V
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Operating temperature: -55...250°C
Resistor features: non-flammable
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Leads: axial
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SG3R6800JR18
Hersteller: VISHAY
SG3W-0R68 Power resistors
auf Bestellung 1 Stücke:
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Anzahl Preis
2+35.75 EUR
66+1.09 EUR
181+0.40 EUR
200+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SG3W 15R 5%
Hersteller: VISHAY
SG3W-15R Power resistors
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
61+1.17 EUR
71+1.00 EUR
Mindestbestellmenge: 61
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG333R00JR18 VISHAY_sg.pdf
SG333R00JR18
Hersteller: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 33Ω; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm; axial
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 33Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Max. operating voltage: 100V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Resistor features: non-flammable
Leads: axial
Operating temperature: -55...250°C
Mounting: THT
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+71.50 EUR
10+7.15 EUR
50+1.43 EUR
66+1.09 EUR
179+0.40 EUR
250+0.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SG347R00JR18 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A7FE08366DD9A11C&compId=VISHAY_sg.pdf?ci_sign=a8fc623e107b5489e3da102ddfaa48d628f9d482
SG347R00JR18
Hersteller: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: wire-wound; THT; 47Ω; 3W; ±5%; Ø0.8x25mm; Ø4.8x13mm; axial
Type of resistor: wire-wound
Resistance: 47Ω
Power: 3W
Tolerance: ±5%
Max. operating voltage: 100V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Resistor features: non-flammable
Leads: axial
Operating temperature: -55...250°C
Mounting: THT
Body dimensions: Ø4.8x13mm
Leads dimensions: Ø0.8x25mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
35+2.10 EUR
40+1.80 EUR
75+0.96 EUR
80+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-20-E3/96 tf-sgl41-20-e3-96.pdf
SGL41-20-E3/96
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 20V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1279 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.86 EUR
95+0.76 EUR
200+0.36 EUR
211+0.34 EUR
24000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-30-E3/96 irl620.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 30V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-40-E3/96 bym13.pdf
SGL41-40-E3/96
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 40V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
124+0.58 EUR
148+0.49 EUR
237+0.30 EUR
252+0.28 EUR
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-50-E3/96 BYM13-60-E3-96.pdf
SGL41-50-E3/96
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 50V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SGL41-60-E3/96 bym13.pdf
SGL41-60-E3/96
Hersteller: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO213AB,GL41,MELF plastic; SMD; 60V
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO213AB; GL41; MELF plastic
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: 7 inch reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.70 EUR
122+0.59 EUR
143+0.50 EUR
255+0.28 EUR
270+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1012CR-T1-GE3 si1012cr.pdf
SI1012CR-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.63A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3240 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
272+0.26 EUR
341+0.21 EUR
376+0.19 EUR
532+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1012R-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC6E8767ADDE143&compId=SI1012.pdf?ci_sign=81b302042f73a832b05e78322d343a6706b71a5e
SI1012R-T1-GE3
+1
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC75A; ESD
Case: SC75A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 80mW
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 0.75nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
203+0.35 EUR
229+0.31 EUR
244+0.29 EUR
258+0.28 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 203
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SI1012X-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC6E8767ADDE143&compId=SI1012.pdf?ci_sign=81b302042f73a832b05e78322d343a6706b71a5e
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 80mW
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1013CX-T1-GE3 si1013cx.pdf
SI1013CX-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW
Case: SC89
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -1.5A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
163+0.44 EUR
266+0.27 EUR
353+0.20 EUR
486+0.15 EUR
782+0.09 EUR
820+0.09 EUR
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 163
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SI1013R-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1022R-T1-GE3
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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77+0.93 EUR
113+0.64 EUR
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268+0.27 EUR
283+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
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SI1023CX-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -390mA; 280mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -390mA
Pulsed drain current: -0.65A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI1024X-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1025X-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.22A; 0.13W; SC89,SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI1029X-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI1031R-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
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113+0.64 EUR
309+0.23 EUR
327+0.22 EUR
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SI1032X-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1034CX-T1-GE3 Multi channel transistors
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SI1034X-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1036X-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A
Case: SC89; SOT563
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 610mA
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.22W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1977 Stücke:
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143+0.50 EUR
218+0.33 EUR
325+0.22 EUR
603+0.12 EUR
642+0.11 EUR
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SI1040X-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 1.34A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 236mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11.6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI1062X-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5896 Stücke:
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226+0.32 EUR
804+0.09 EUR
851+0.08 EUR
75000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 226
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SI1070X-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI1077X-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis
123+0.58 EUR
481+0.15 EUR
511+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 123
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SI1078X-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI1079X-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI1302DL-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI1302DL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; 0.18W; SC70
Case: SC70
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
On-state resistance: 0.48Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.86nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
116+0.62 EUR
168+0.43 EUR
353+0.20 EUR
374+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 116
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Hersteller: VISHAY
SI1308EDL-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2302 Stücke:
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Anzahl Preis
136+0.53 EUR
385+0.19 EUR
407+0.18 EUR
2500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.4A; Idm: -6A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1317DL-T1-GE3 si1317dl.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2892 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
424+0.17 EUR
447+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 125
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SI1330EDL-T1-BE3 SI1330ED.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-E3 SI1330ED.pdf
SI1330EDL-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; 0.18W; SC70; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1330EDL-T1-GE3 si1330ed.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 250mA; Idm: 1A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.25A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1401EDH-T1-GE3 si1401edh.pdf
Hersteller: VISHAY
SI1401EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-E3 si1403bdl.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1403BDL-T1-GE3 si1403bdl.pdf
SI1403BDL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -5A
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 265mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -5A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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