Produkte > VISHAY > Alle Produkte des Herstellers VISHAY (353603) > Seite 1147 nach 5894

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 589 1142 1143 1144 1145 1146 1147 1148 1149 1150 1151 1152 1178 1767 2356 2945 3534 4123 4712 5301 5890 5894  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
98+0.74 EUR
108+0.66 EUR
141+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
96+0.75 EUR
123+0.58 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-BE3 VISHAY si2323cds.pdf SI2323CDS-T1-BE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf SI2323CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.91 EUR
332+0.22 EUR
350+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY SI2323DDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
145+0.49 EUR
218+0.33 EUR
231+0.31 EUR
500+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-E3 SI2323DS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
145+0.50 EUR
167+0.43 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
62+1.16 EUR
79+0.91 EUR
89+0.81 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY si2324ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11456 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.80 EUR
129+0.55 EUR
159+0.45 EUR
224+0.32 EUR
236+0.30 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2325DS-T1-E3 VISHAY 73238.pdf SI2325DS-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2325DS-T1-GE3 VISHAY 73238.pdf SI2325DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2328DS-T1-E3 VISHAY si2328ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1.5A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A922C213A143&compId=si2328ds.pdf?ci_sign=1b2500bf5a8886329b2790797e0f04da5f221035 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
54+1.34 EUR
88+0.82 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 VISHAY SI2329DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
103+0.70 EUR
127+0.56 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
250+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-E3 SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -7.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1637 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
113+0.63 EUR
179+0.40 EUR
189+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
79+0.92 EUR
108+0.66 EUR
329+0.22 EUR
350+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
121+0.59 EUR
141+0.51 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 VISHAY si2333ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
13+5.51 EUR
25+2.86 EUR
32+2.23 EUR
86+0.83 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DS-T1-GE3 VISHAY si2333ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 VISHAY si2336ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
420+0.17 EUR
18000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2337DS-T1-E3 VISHAY si2337ds.pdf SI2337DS-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 VISHAY SI2337DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2991 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.43 EUR
73+0.99 EUR
132+0.54 EUR
139+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-BE3 VISHAY SI2338DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 28mΩ
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
78+0.92 EUR
130+0.55 EUR
285+0.25 EUR
300+0.24 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 6A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
109+0.66 EUR
151+0.47 EUR
183+0.39 EUR
285+0.25 EUR
302+0.24 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.72 EUR
135+0.53 EUR
156+0.46 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343DS-T1-E3 VISHAY si2343ds.pdf SI2343DS-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343DS-T1-GE3 VISHAY si2343ds.pdf SI2343DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2347DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
148+0.49 EUR
188+0.38 EUR
265+0.27 EUR
309+0.23 EUR
358+0.20 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-BE3 VISHAY si2356ds.pdf SI2356DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
145+0.49 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-BE3 VISHAY si2365eds.pdf SI2365EDS-T1-BE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
275+0.26 EUR
363+0.20 EUR
435+0.16 EUR
642+0.11 EUR
2500+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-BE3 VISHAY si2366ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3 VISHAY si2367ds.pdf SI2367DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3 VISHAY si2369bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
107+0.67 EUR
168+0.43 EUR
209+0.34 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3 VISHAY si2371eds.pdf SI2371EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2374DS-T1-BE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
131+0.55 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
1500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY SI2377EDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
139+0.51 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2387DS-T1-GE3 VISHAY si2387ds.pdf SI2387DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 126mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392DS-T1-GE3 VISHAY Si2392DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 189mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2393DS-T1-GE3 SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
112+0.64 EUR
172+0.42 EUR
230+0.31 EUR
338+0.21 EUR
358+0.20 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2399DS-T1-GE3 VISHAY si2399ds.pdf SI2399DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3127DV-T1-GE3 VISHAY si3127dv.pdf SI3127DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3129DV-T1-GE3 VISHAY si3129dv.pdf SI3129DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3407DV-T1-BE3 VISHAY si3407dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
139+0.51 EUR
168+0.43 EUR
185+0.39 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
500+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3410DV-T1-GE3 VISHAY si3410dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A; 4.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 4.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 VISHAY si3417dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
125+0.57 EUR
171+0.42 EUR
237+0.30 EUR
252+0.28 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-BE3 VISHAY si3424cdv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 3.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 3.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 VISHAY si3424cdv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3 VISHAY si3429edv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3430DV-T1-E3 VISHAY si3430dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.4A; Idm: 8A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3430DV-T1-GE3 VISHAY si3430dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.4A; Idm: 8A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-E3 VISHAY si3433cdv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-GE3 SI3433CDV-T1-GE3 VISHAY si3433cdv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
98+0.74 EUR
108+0.66 EUR
141+0.51 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1932 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
96+0.75 EUR
123+0.58 EUR
161+0.45 EUR
170+0.42 EUR
3000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-BE3 si2323cds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2323CDS-T1-BE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2323CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.91 EUR
332+0.22 EUR
350+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS.pdf
SI2323DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2581 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
145+0.49 EUR
218+0.33 EUR
231+0.31 EUR
500+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c
SI2323DS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
145+0.50 EUR
167+0.43 EUR
192+0.37 EUR
203+0.35 EUR
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2323DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c
SI2323DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2228 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
79+0.91 EUR
89+0.81 EUR
153+0.47 EUR
162+0.44 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 62
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2324DS-T1-GE3 si2324ds.pdf
SI2324DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 11456 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.80 EUR
129+0.55 EUR
159+0.45 EUR
224+0.32 EUR
236+0.30 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si2325DS-T1-E3 73238.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2325DS-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2325DS-T1-GE3 73238.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2325DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2328DS-T1-E3 si2328ds.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1.5A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 6A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2328DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A922C213A143&compId=si2328ds.pdf?ci_sign=1b2500bf5a8886329b2790797e0f04da5f221035
SI2328DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.92A; 0.47W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.47W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3192 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
88+0.82 EUR
243+0.29 EUR
257+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS.pdf
SI2329DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -6A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+0.70 EUR
127+0.56 EUR
182+0.39 EUR
193+0.37 EUR
250+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -7.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7.1A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1637 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
113+0.63 EUR
179+0.40 EUR
189+0.38 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.7A; Idm: -20A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3354 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
79+0.92 EUR
108+0.66 EUR
329+0.22 EUR
350+0.20 EUR
Mindestbestellmenge: 79
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
SI2333DDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
121+0.59 EUR
141+0.51 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DS-T1-E3 si2333ds.pdf
SI2333DS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+5.51 EUR
25+2.86 EUR
32+2.23 EUR
86+0.83 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2333DS-T1-GE3 si2333ds.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2336DS-T1-GE3 si2336ds.pdf
SI2336DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
420+0.17 EUR
18000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2337DS-T1-E3 si2337ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2337DS-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS.pdf
SI2337DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2991 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.43 EUR
73+0.99 EUR
132+0.54 EUR
139+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-BE3
Hersteller: VISHAY
SI2338DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
SI2338DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 28mΩ
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
78+0.92 EUR
130+0.55 EUR
285+0.25 EUR
300+0.24 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 78
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 6A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
109+0.66 EUR
151+0.47 EUR
183+0.39 EUR
285+0.25 EUR
302+0.24 EUR
1500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.9A; Idm: -25A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2252 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.72 EUR
135+0.53 EUR
156+0.46 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
6000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343DS-T1-E3 si2343ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2343DS-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2343DS-T1-GE3 si2343ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2343DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
SI2347DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1533 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
148+0.49 EUR
188+0.38 EUR
265+0.27 EUR
309+0.23 EUR
358+0.20 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-BE3 si2356ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2356DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2356DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 5471 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
145+0.49 EUR
486+0.15 EUR
516+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 145
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-BE3 si2365eds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2365EDS-T1-BE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2650 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
275+0.26 EUR
363+0.20 EUR
435+0.16 EUR
642+0.11 EUR
2500+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-BE3 si2366ds.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
SI2366DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2367DS-T1-GE3 si2367ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2367DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369BDS-T1-GE3 si2369bds.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
168+0.43 EUR
209+0.34 EUR
291+0.25 EUR
309+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2371EDS-T1-GE3 si2371eds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2371EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2374DS-T1-BE3 si2374ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2374DS-T1-BE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
131+0.55 EUR
407+0.18 EUR
432+0.17 EUR
1500+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 131
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS.pdf
SI2377EDS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
139+0.51 EUR
291+0.25 EUR
307+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2387DS-T1-GE3 si2387ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2387DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 126mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2392DS-T1-GE3 Si2392DS.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 189mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10.4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
SI2393DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -50A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -50A
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 959 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.64 EUR
172+0.42 EUR
230+0.31 EUR
338+0.21 EUR
358+0.20 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI2399DS-T1-GE3 si2399ds.pdf
Hersteller: VISHAY
SI2399DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3127DV-T1-GE3 si3127dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3127DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3129DV-T1-GE3 si3129dv.pdf
Hersteller: VISHAY
SI3129DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3407DV-T1-BE3 si3407dv.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3407DV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b
Si3407DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
139+0.51 EUR
168+0.43 EUR
185+0.39 EUR
214+0.33 EUR
227+0.32 EUR
500+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 139
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3410DV-T1-GE3 si3410dv.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A; 4.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 4.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3417DV-T1-GE3 si3417dv.pdf
SI3417DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
SI3421DV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
125+0.57 EUR
171+0.42 EUR
237+0.30 EUR
252+0.28 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-BE3 si3424cdv.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 3.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 3.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
SI3424CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3429EDV-T1-GE3 si3429edv.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3430DV-T1-E3 si3430dv.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.4A; Idm: 8A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3430DV-T1-GE3 si3430dv.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.4A; Idm: 8A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-E3 si3433cdv.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3433CDV-T1-GE3 si3433cdv.pdf
SI3433CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.1W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 589 1142 1143 1144 1145 1146 1147 1148 1149 1150 1151 1152 1178 1767 2356 2945 3534 4123 4712 5301 5890 5894  [ Nächste Seite >> ]