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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SI4963BDY-T1-E3 VISHAY si4963bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -40A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-GE3 VISHAY si4963bd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -40A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3 VISHAY si5403dc.pdf SI5403DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5418DU-T1-GE3 VISHAY si5418du.pdf SI5418DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3 VISHAY si5419du.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5424DC-T1-GE3 VISHAY si5424dc.pdf SI5424DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5429DU-T1-GE3 VISHAY si5429du.pdf SI5429DU.pdf SI5429DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5441BDC-T1-E3 VISHAY 73207.pdf SI5441BDC-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5441BDC-T1-GE3 VISHAY 73207.pdf SI5441BDC-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5442DU-T1-GE3 VISHAY si5442du.pdf SI5442DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5448DU-T1-GE3 VISHAY si5448du.pdf SI5448DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5457DC-T1-GE3 VISHAY si5457dc.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 56mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5458DU-T1-GE3 VISHAY si5458du.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5459DU-T1-GE3 VISHAY si5459du.pdf SI5459DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5468DC-T1-GE3 VISHAY si5468dc.pdf SI5468DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5471DC-T1-GE3 VISHAY si5471dc.pdf SI5471DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5476DU-T1-GE3 VISHAY si5476du.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 25A; 31W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5504BDC-T1-E3 VISHAY si5504bdc.pdf SI5504BDC-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5504BDC-T1-GE3 VISHAY si5504bdc.pdf SI5504BDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5513CDC-T1-E3 VISHAY si5513cd.pdf SI5513CDC-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5513CDC-T1-GE3 VISHAY si5513cd.pdf SI5513CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-E3 VISHAY si5515cd.pdf SI5515CDC-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-GE3 VISHAY si5515cd.pdf SI5515CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5517DU-T1-GE3 VISHAY si5517du.pdf SI5517DU-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-E3 VISHAY si5902bd.pdf SI5902BDC-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3 VISHAY si5902bd.pdf SI5902BDC-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-E3 VISHAY si5908dc.pdf SI5908DC-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-GE3 VISHAY si5908dc.pdf SI5908DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5922DU-T1-GE3 VISHAY SI5922DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-E3 VISHAY si5935cdc.pdf SI5935CDC-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5935CDC-T1-GE3 VISHAY Si5935CDC.PDF SI5935CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5936DU-T1-GE3 VISHAY si5936du.pdf SI5936DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5948DU-T1-GE3 VISHAY si5948du.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6415DQ-T1-E3 VISHAY 70639.pdf SI6415DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6415DQ-T1-GE3 VISHAY si6415dq.pdf SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6423DQ-T1-E3 VISHAY 72257.pdf SI6423DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6423DQ-T1-GE3 VISHAY 72257.pdf SI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 VISHAY si6562cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.2/-4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1/1.1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22/30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-E3 VISHAY si6913dq.pdf SI6913DQ-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-GE3 VISHAY si6913dq.pdf SI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 VISHAY SI6926ADQ-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.6A; 1W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-GE3 VISHAY 72754.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6954ADQ-T1-E3 VISHAY 71130.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6954ADQ-T1-GE3 VISHAY 71130.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6968BEDQ-T1-E3 VISHAY si6968be.pdf SI6968BEDQ-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6968BEDQ-T1-GE3 VISHAY si6968be.pdf SI6968BEDQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7101DN-T1-GE3 VISHAY si7101dn.pdf SI7101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-E3 VISHAY si7104dn.pdf SI7104DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-GE3 VISHAY si7104dn.pdf SI7104DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-E3 VISHAY si7106dn.pdf SI7106DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-GE3 VISHAY si7106dn.pdf SI7106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7108DN-T1-E3 VISHAY si7108dn.pdf description SI7108DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7108DN-T1-GE3 VISHAY si7108dn.pdf SI7108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7110DN-T1-E3 VISHAY si7110dn.pdf SI7110DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7110DN-T1-GE3 VISHAY si7110dn.pdf SI7110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7111EDN-T1-GE3 VISHAY si7111edn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -150A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -150A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-E3 VISHAY si7112dn.pdf SI7112DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-GE3 VISHAY si7112dn.pdf SI7112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113ADN-T1-GE3 VISHAY si7113adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -10.8A; Idm: -20A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -10.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-E3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -13.2A; 52W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13.2A
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 55nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-E3 si4963bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -40A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4963BDY-T1-GE3 si4963bd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -40A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5403DC-T1-GE3 si5403dc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5403DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5418DU-T1-GE3 si5418du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5418DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5419DU-T1-GE3 si5419du.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 45nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5424DC-T1-GE3 si5424dc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5424DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5429DU-T1-GE3 si5429du.pdf SI5429DU.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5429DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5441BDC-T1-E3 73207.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5441BDC-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5441BDC-T1-GE3 73207.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5441BDC-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5442DU-T1-GE3 si5442du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5442DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5448DU-T1-GE3 si5448du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5448DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5457DC-T1-GE3 si5457dc.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 56mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 38nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5458DU-T1-GE3 si5458du.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 51mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5459DU-T1-GE3 si5459du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5459DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5468DC-T1-GE3 si5468dc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5468DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5471DC-T1-GE3 si5471dc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5471DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5476DU-T1-GE3 si5476du.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 25A; 31W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5504BDC-T1-E3 si5504bdc.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5504BDC-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI5504BDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI5513CDC-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI5513CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI5515CDC-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5515CDC-T1-GE3 si5515cd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5515CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5517DU-T1-GE3 si5517du.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5517DU-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-E3 si5902bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5902BDC-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI5902BDC-T1-GE3 si5902bd.pdf
Hersteller: VISHAY
SI5902BDC-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI5908DC-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI5908DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5922DU-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SI5922DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI5935CDC-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI5935CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI5936DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Si5948DU-T1-GE3 si5948du.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6415DQ-T1-E3 70639.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6415DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI6415DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI6423DQ-T1-E3 72257.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6423DQ-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-GE3 si6562cd.pdf
SI6562CDQ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.2/-4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1/1.1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 22/30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23/51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-E3 si6913dq.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6913DQ-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6913DQ-T1-GE3 si6913dq.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3.pdf
SI6926ADQ-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.6A; 1W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6954ADQ-T1-E3 71130.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6954ADQ-T1-GE3 71130.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.4A; Idm: 20A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6968BEDQ-T1-E3 si6968be.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6968BEDQ-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6968BEDQ-T1-GE3 si6968be.pdf
Hersteller: VISHAY
SI6968BEDQ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7101DN-T1-GE3 si7101dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-E3 si7104dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7104DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7104DN-T1-GE3 si7104dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7104DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-E3 si7106dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7106DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7106DN-T1-GE3 si7106dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7108DN-T1-E3 description si7108dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7108DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7108DN-T1-GE3 si7108dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7110DN-T1-E3 si7110dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7110DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7110DN-T1-GE3 si7110dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7111EDN-T1-GE3 si7111edn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -150A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Pulsed drain current: -150A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-E3 si7112dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7112DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7112DN-T1-GE3 si7112dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113ADN-T1-GE3 si7113adn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -10.8A; Idm: -20A; 17.8W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -10.8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 17.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 132mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7113DN-T1-E3 si7113dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -13.2A; 52W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13.2A
On-state resistance: 0.145Ω
Gate charge: 55nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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