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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SI7326DN-T1-GE3 VISHAY si7326dn.pdf SI7326DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7328DN-T1-E3 VISHAY si7328dn.pdf SI7328DN-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7328DN-T1-GE3 VISHAY si7328dn.pdf SI7328DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7336ADP-T1-E3 VISHAY si7336adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-GE3 VISHAY si7336adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7370DP-T1-E3 VISHAY si7370dp.pdf SI7370DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7370DP-T1-GE3 VISHAY si7370dp.pdf SI7370DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7374DP-T1-E3 VISHAY 73560.pdf SI7374DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7386DP-T1-E3 VISHAY si7386dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-GE3 VISHAY si7386dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI7390DP-T1-E3 VISHAY si7390dp.pdf SI7390DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7390DP-T1-GE3 VISHAY si7390dp.pdf SI7390DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7414DN-T1-E3 VISHAY 71738.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A; 0.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7414DN-T1-GE3 VISHAY 71738.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8.7A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7415DN-T1-E3 VISHAY si7415dn.pdf SI7415DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI7415DN-T1-GE3 VISHAY si7415dn.pdf SI7415DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7421DN-T1-E3 VISHAY 72416.pdf SI7421DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI7421DN-T1-GE3 VISHAY 72416.pdf SI7421DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7423DN-T1-E3 VISHAY Si7423DN.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7423DN-T1-GE3 VISHAY 72582.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-E3 VISHAY si7430dp.pdf SI7430DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-GE3 VISHAY si7430dp.pdf SI7430DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7431DP-T1-E3 VISHAY si7431dp.pdf SI7431DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI7431DP-T1-GE3 VISHAY si7431dp.pdf SI7431DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7434ADP-T1-RE3 VISHAY si7434adp.pdf SI7434ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SI7434DP-T1-E3 VISHAY si7434dp.pdf SI7434DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-GE3 VISHAY si7434dp.pdf SI7434DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7439DP-T1-E3 VISHAY si7439dp.pdf SI7439DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI7439DP-T1-GE3 VISHAY si7439dp.pdf SI7439DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7450DP-T1-E3 VISHAY si7450dp.pdf SI7450DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7450DP-T1-GE3 VISHAY si7450dp.pdf SI7450DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7450DP-T1-RE3 VISHAY SI7450DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SI7454DDP-T1-GE3 VISHAY si7454ddp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DP-T1-E3 VISHAY 71618.pdf SI7454DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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SI7454DP-T1-GE3 VISHAY si7454dp.pdf SI7454DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7454FDP-T1-RE3 VISHAY si7454fdp.pdf SI7454FDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SI7456CDP-T1-GE3 VISHAY si7456cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.5A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.5A
On-state resistance: 31.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3 VISHAY si7456ddp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27.8A; Idm: 70A; 22.8W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.8A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-E3 VISHAY si7456dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 9.3A; Idm: 40A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.3A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-GE3 VISHAY 71603.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-E3 VISHAY si7460dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3 VISHAY si7460dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB864CDC929B20C7&compId=si7461dp.pdf?ci_sign=89e116b3cb357b822b076c12ef43a090d0be44d0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; -11.5A; Idm: -60A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: -11.5A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A; 1.2W
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5808 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
42+1.72 EUR
44+1.64 EUR
46+1.59 EUR
48+1.50 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3 VISHAY si7463adp.pdf SI7463ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3 VISHAY si7463dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -60A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3 VISHAY si7463dp.pdf SI7463DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3 VISHAY si7464dp.pdf SI7464DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-GE3 VISHAY si7464dp.pdf SI7464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3 VISHAY 73113.pdf SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.60 EUR
73+0.99 EUR
77+0.93 EUR
3000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3 VISHAY 73113.pdf SI7465DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469ADP-T1-RE3 VISHAY si7469adp.pdf SI7469ADP-T1-RE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-E3 VISHAY si7469dp.pdf SI7469DP-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3 VISHAY si7469dp.pdf SI7469DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-E3 VISHAY si7478dp.pdf SI7478DP-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-GE3 VISHAY si7478dp.pdf SI7478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-E3 VISHAY si7489dp.pdf SI7489DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3 VISHAY si7489dp.pdf SI7489DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3 VISHAY si7540adp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 12/-9A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 12/-9A
On-state resistance: 43/19.5mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48/27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3 VISHAY si7611dn.pdf SI7611DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7326DN-T1-GE3 si7326dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7326DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7328DN-T1-E3 si7328dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7328DN-T1-E3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7328DN-T1-GE3 si7328dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7328DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-E3 si7336adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7336ADP-T1-GE3 si7336adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 5.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7370DP-T1-E3 si7370dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7370DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7370DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7374DP-T1-E3 73560.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7374DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-E3 si7386dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7386DP-T1-GE3 si7386dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 19A; Idm: 50A; 5W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 19A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7390DP-T1-E3 si7390dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7390DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7390DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI7414DN-T1-E3 71738.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.6A; Idm: 30A; 0.8W
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.6A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7414DN-T1-GE3 71738.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8.7A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7415DN-T1-E3 si7415dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7415DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI7415DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7421DN-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7421DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7423DN-T1-E3 Si7423DN.PDF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7423DN-T1-GE3 72582.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -11.7A; Idm: -30A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7430DP-T1-E3 si7430dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7430DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7430DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SI7431DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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SI7431DP-T1-GE3 si7431dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7431DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI7434ADP-T1-RE3 si7434adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7434ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SI7434DP-T1-E3 si7434dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7434DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7434DP-T1-GE3 si7434dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7434DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-E3 si7439dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7439DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7439DP-T1-GE3 si7439dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7439DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-E3 si7450dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7450DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7450DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7450DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
SI7450DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DDP-T1-GE3 si7454ddp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DP-T1-E3 71618.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7454DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454DP-T1-GE3 si7454dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7454DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7454FDP-T1-RE3 si7454fdp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7454FDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456CDP-T1-GE3 si7456cd.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27.5A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.5A
On-state resistance: 31.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DDP-T1-GE3 si7456ddp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27.8A; Idm: 70A; 22.8W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27.8A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 22.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-E3 si7456dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 9.3A; Idm: 40A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.3A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7456DP-T1-GE3 71603.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; Idm: 40A; 1W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-E3 si7460dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3 si7460dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 40A; 5.4W
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.1µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB864CDC929B20C7&compId=si7461dp.pdf?ci_sign=89e116b3cb357b822b076c12ef43a090d0be44d0
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; -11.5A; Idm: -60A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: -11.5A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A; 1.2W
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5808 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
44+1.64 EUR
46+1.59 EUR
48+1.50 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7463ADP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3 si7463dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -60A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3 si7463dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7463DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3 si7464dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7464DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
45+1.60 EUR
73+0.99 EUR
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3000+0.89 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7465DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI7469ADP-T1-RE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-E3 si7469dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7469DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469DP-T1-GE3 si7469dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7469DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-E3 si7478dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7478DP-T1-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7478DP-T1-GE3 si7478dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7478DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-E3 si7489dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7489DP-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7489DP-T1-GE3 si7489dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7489DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3 si7540adp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 12/-9A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 12/-9A
On-state resistance: 43/19.5mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 3.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 48/27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3 si7611dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SI7611DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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