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SI8413DB-T1-E1 VISHAY si8413db.pdf SI8413DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8416DB-T2-E1 VISHAY si8416db.pdf SI8416DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8424CDB-T1-E1 VISHAY si8424cdb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI8425DB-T1-E1 VISHAY si8425db.pdf SI8425DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8429DB-T1-E1 VISHAY si8429db.pdf SI8429DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8457DB-T1-E1 VISHAY si8457db.pdf SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8466EDB-T2-E1 VISHAY si8466edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI8472DB-T2-E1 VISHAY si8472db.pdf SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Si8481DB-T1-E1 VISHAY SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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SI8483DB-T2-E1 VISHAY si8483db.pdf SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
66+1.09 EUR
216+0.33 EUR
228+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 66
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SI8489EDB-T2-E1 VISHAY si8489edb.pdf SI8489EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8497DB-T2-E1 VISHAY si8497db.pdf SI8497DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8499DB-T2-E1 VISHAY si8499db.pdf SI8499DB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8800EDB-T2-E1 VISHAY si8800edb.pdf SI8800EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8802DB-T2-E1 VISHAY si8802db.pdf SI8802DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8806DB-T2-E1 VISHAY si8806db.pdf SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8808DB-T2-E1 VISHAY si8808db.pdf SI8808DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8810EDB-T2-E1 VISHAY si8810edb.pdf SI8810EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8812DB-T2-E1 VISHAY si8812db.pdf SI8812DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8816EDB-T2-E1 VISHAY si8816edb.pdf SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8817DB-T2-E1 VISHAY si8817db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8819EDB-T2-E1 VISHAY si8819edb.pdf SI8819EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8821EDB-T2-E1 VISHAY si8821edb.pdf SI8821EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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Si8823EDB-T2-E1 VISHAY si8823edb.pdf SI8823EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8824EDB-T2-E1 VISHAY si8824edb.pdf SI8824EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
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SI8851EDB-T2-E1 VISHAY si8851edb.pdf SI8851EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
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SI8902AEDB-T2-E1 VISHAY si8902aedb.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 5.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 3655 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.60 EUR
130+0.55 EUR
137+0.52 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-E3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf SI9407BDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2312 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.60 EUR
143+0.50 EUR
151+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 45
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 VISHAY SI9433BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
67+1.07 EUR
80+0.90 EUR
85+0.84 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 VISHAY SI9433BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
67+1.07 EUR
80+0.90 EUR
85+0.84 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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SI9433BDY-T1-GE3 VISHAY si9433bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.2A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-E3 VISHAY Si9435BDY.PDF SI9435BDY-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1733 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
120+0.60 EUR
162+0.44 EUR
172+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 120
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-E3 VISHAY Si9435BDY.PDF SI9435BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9435BDY-T1-GE3 VISHAY si9435bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA35812DDA70469&compId=SI9926CDY-T1-E3.pdf?ci_sign=0ab71b5605d47da470f4dbbf053fc6273f4cf80a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
69+1.04 EUR
103+0.69 EUR
151+0.47 EUR
160+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 69
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9926CDY-T1-GE3 VISHAY si9926cd.pdf SI9926CDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si9933CDY-T1-E3 VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-E3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY si9933cdy.pdf SI9933CDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2635 Stücke:
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77+0.94 EUR
187+0.38 EUR
198+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY si9945bdy.pdf SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 11558 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.89 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA106DJ-T1-GE3 VISHAY sia106dj.pdf SIA106DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA108DJ-T1-GE3 VISHAY sia108dj.pdf SIA108DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA110DJ-T1-GE3 VISHAY sia110dj.pdf SIA110DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA112LDJ-T1-GE3 VISHAY SIA112LDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA400EDJ-T1-GE3 VISHAY sia400edj.pdf SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA413ADJ-T1-GE3 VISHAY sia413adj.pdf SIA413ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA413DJ-T1-GE3 VISHAY SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA414DJ-T1-GE3 VISHAY sia414dj.pdf SIA414DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA416DJ-T1-GE3 VISHAY sia416dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W
Mounting: SMD
On-state resistance: 83mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15A
Case: PowerPAK® SC70
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.3A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA421DJ-T1-GE3 VISHAY sia421dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SC70
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -35A
Drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA4263DJ-T1-GE3 VISHAY sia4263dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -32A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
On-state resistance: 51.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -32A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA4265EDJ-T1-GE3 VISHAY SIA4265EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA427ADJ-T1-GE3 VISHAY sia427adj.pdf SIA427ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA429DJT-T1-GE3 VISHAY sia429dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA430DJT-T1-GE3 VISHAY SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA431DJ-T1-GE3 VISHAY sia431dj.pdf SIA431DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA432DJ-T1-GE3 VISHAY sia432dj.pdf SIA432DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA433EDJ-T1-GE3 VISHAY sia433edj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8413DB-T1-E1 si8413db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8413DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8416DB-T2-E1 si8416db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8416DB-T2-E1 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8424CDB-T1-E1 si8424cdb.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 10A; Idm: 25A; 1.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 10A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8425DB-T1-E1 si8425db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8425DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8429DB-T1-E1 si8429db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8429DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±5V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI8472DB-T2-E1 si8472db.pdf
Hersteller: VISHAY
SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si8481DB-T1-E1
Hersteller: VISHAY
SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 5.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Si9433BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
37+1.96 EUR
67+1.07 EUR
80+0.90 EUR
85+0.84 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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Si9433BDY-T1-E3
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.2A; Idm: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SO8
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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120+0.60 EUR
162+0.44 EUR
172+0.42 EUR
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SI9435BDY-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI9926CDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1302 Stücke:
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69+1.04 EUR
103+0.69 EUR
151+0.47 EUR
160+0.45 EUR
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SI9926CDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI9933CDY-T1-E3 Multi channel transistors
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187+0.38 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
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80+0.89 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIA106DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SIA110DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA112LDJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SIA112LDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SIA413ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIA414DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W
Mounting: SMD
On-state resistance: 83mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15A
Case: PowerPAK® SC70
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.3A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA421DJ-T1-GE3 sia421dj.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SC70
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -35A
Drain current: -12A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -32A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
On-state resistance: 51.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 15.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -32A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA4265EDJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SIA4265EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIA427ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA429DJT-T1-GE3 sia429dj.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA430DJT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA431DJ-T1-GE3 sia431dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA431DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA432DJ-T1-GE3 sia432dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA432DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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