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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIA440DJ-T1-GE3 VISHAY sia440dj.pdf SIA440DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA445EDJ-T1-GE3 VISHAY sia445edj.pdf SIA445EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SiA445EDJT-T1-GE3 VISHAY sia445edjt.pdf SIA445EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA446DJ-T1-GE3 VISHAY sia446dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 177mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIA447DJ-T1-GE3 VISHAY sia447dj.pdf SIA447DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA449DJ-T1-GE3 VISHAY sia449dj.pdf SIA449DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA456DJ-T1-GE3 VISHAY sia456dj.pdf SIA456DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIA459EDJ-T1-GE3 VISHAY sia459edj.pdf SIA459EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA461DJ-T1-GE3 VISHAY sia461dj.pdf SIA461DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA462DJ-T1-GE3 VISHAY sia462dj.pdf SIA462DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIA466EDJ-T1-GE3 VISHAY sia466edj.pdf SIA466EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIA468DJ-T1-GE3 VISHAY sia468dj.pdf SIA468DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2733 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
196+0.37 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 196
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SIA471DJ-T1-GE3 VISHAY sia471dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -30.3A; Idm: -70A
Case: PowerPAK® SC70
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30.3A
On-state resistance: 24.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA472EDJ-T1-GE3 VISHAY SIA472EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIA477EDJ-T1-GE3 VISHAY SiA477EDJ_Dec24_2012.pdf SIA477EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA477EDJT-T1-GE3 VISHAY sia477edjt.pdf SIA477EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA483ADJ-T1-GE3 VISHAY sia483adj.pdf SIA483ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY sia483dj.pdf SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
175+0.41 EUR
268+0.27 EUR
285+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA485DJ-T1-GE3 VISHAY sia485dj.pdf SIA485DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY sia517dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
90+0.8 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA519EDJ-T1-GE3 VISHAY sia519edj.pdf SIA519EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIA527DJ-T1-GE3 VISHAY sia527dj.pdf SIA527DJ-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIA533EDJ-T1-GE3 VISHAY sia533edj.pdf SIA533EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIA537EDJ-T1-GE3 VISHAY sia537edj.pdf SIA537EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIA811ADJ-T1-GE3 VISHAY sia811adj.pdf SIA811ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA817EDJ-T1-GE3 VISHAY sia817edj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA906EDJ-T1-GE3 VISHAY sia906ed.pdf SIA906EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIA910EDJ-T1-GE3 VISHAY sia910edj.pdf SIA910EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIA913ADJ-T1-GE3 VISHAY sia913adj.pdf SIA913ADJ-T1-GE3 Multi channel transistors
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SiA918EDJ-T1-GE3 VISHAY sia918edj.pdf SIA918EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIA921EDJ-T1-GE3 VISHAY sia921ed.pdf SIA921EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA923AEDJ-T1-GE3 VISHAY SiA923AEDJ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.5A; 7.8W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 7.8W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA923EDJ-T1-GE3 VISHAY sia923edj.pdf SIA923EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
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SiA928DJ-T1-GE3 VISHAY sia928dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® SC70
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA929DJ-T1-GE3 VISHAY sia929dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIA931DJ-T1-GE3 VISHAY sia931dj.pdf SIA931DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIA938DJT-T1-GE3 VISHAY sia938djt.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA975DJ-T1-GE3 VISHAY sia975dj.pdf SIA975DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIAA00DJ-T1-GE3 VISHAY siaa00dj.pdf SIAA00DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIAA02DJ-T1-GE3 VISHAY siaa02dj.pdf SIAA02DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIAA40DJ-T1-GE3 VISHAY siaa00dj.pdf SIAA40DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB406EDK-T1-GE3 VISHAY sib406ed.pdf SIB406EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB417EDK-T1-GE3 VISHAY sib417ed.pdf SIB417EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB422EDK-T1-GE3 VISHAY sib422edk.pdf SIB422EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB433EDK-T1-GE3 VISHAY sib433ed.pdf SIB433EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB441EDK-T1-GE3 VISHAY sib441edk.pdf SIB441EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIB452DK-T1-GE3 VISHAY sib452dk.pdf SIB452DK-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIB456DK-T1-GE3 VISHAY sib456dk.pdf SIB456DK-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB457EDK-T1-GE3 VISHAY sib457ed.pdf SIB457EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB912DK-T1-GE3 VISHAY sib912dk.pdf SIB912DK-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIC401ACD-T1-GE3 VISHAY sic401abcd.pdf SIC401ACD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIC401BCD-T1-GE3 VISHAY sic401abcd.pdf SIC401BCD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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SIC402ACD-T1-GE3 VISHAY sic402abcd.pdf SIC402ACD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC402BCD-T1-GE3 VISHAY sic402abcd.pdf SIC402BCD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC403ACD-T1-GE3 VISHAY sic403abcd.pdf SIC403ACD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC403BCD-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CB1864C2C9833D1&compId=sic403a_bcd.pdf?ci_sign=865b5809b74086a658daa72acb9dbdf13c46f0b2 Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 3÷28VDC; Uout: 0.6÷21VDC; MLP32; buck
Mounting: SMD
Case: MLP32
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.5V
Frequency: 0.2...1MHz
Output voltage: 0.6...21V DC
Output current: 6A
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 3...28V DC
Efficiency: 93%
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Technology: mikroBUCK®
Kind of integrated circuit: POL converter
Topology: buck
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC414CD-T1-GE3 VISHAY sic414_sic424.pdf SIC414CD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC424CD-T1-GE3 VISHAY sic414_sic424.pdf SIC424CD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA440DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA445EDJ-T1-GE3 sia445edj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA445EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA445EDJT-T1-GE3 sia445edjt.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA445EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA446DJ-T1-GE3 sia446dj.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 7.7A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 177mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA447DJ-T1-GE3 sia447dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA447DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA449DJ-T1-GE3 sia449dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA449DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA456DJ-T1-GE3 sia456dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA456DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA459EDJ-T1-GE3 sia459edj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA459EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA461DJ-T1-GE3 sia461dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA461DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA462DJ-T1-GE3 sia462dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA462DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA466EDJ-T1-GE3 sia466edj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA466EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA468DJ-T1-GE3 sia468dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA468DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2733 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
196+0.37 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 196
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA471DJ-T1-GE3 sia471dj.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -30.3A; Idm: -70A
Case: PowerPAK® SC70
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30.3A
On-state resistance: 24.1mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -70A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA472EDJ-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SIA472EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA477EDJ-T1-GE3 SiA477EDJ_Dec24_2012.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA477EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA477EDJT-T1-GE3 sia477edjt.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA477EDJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA483ADJ-T1-GE3 sia483adj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA483ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA483DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
175+0.41 EUR
268+0.27 EUR
285+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA485DJ-T1-GE3 sia485dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA485DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA517DJ-T1-GE3 sia517dj.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2787 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
90+0.8 EUR
206+0.35 EUR
218+0.33 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIA519EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIA527DJ-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIA533EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SIA537EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIA811ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -30V; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET + Schottky
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIA906EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIA910EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIA913ADJ-T1-GE3 Multi channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIA918EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIA921EDJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.5A; 7.8W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 7.8W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIA923EDJ-T1-GE3 Multi channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® SC70
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 10nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA929DJ-T1-GE3 sia929dj.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA931DJ-T1-GE3 sia931dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA931DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA938DJT-T1-GE3 sia938djt.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.8W
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIA975DJ-T1-GE3 sia975dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIA975DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIAA00DJ-T1-GE3 siaa00dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIAA00DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIAA02DJ-T1-GE3 siaa02dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIAA02DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIAA40DJ-T1-GE3 siaa00dj.pdf
Hersteller: VISHAY
SIAA40DJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB406EDK-T1-GE3 sib406ed.pdf
Hersteller: VISHAY
SIB406EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB417EDK-T1-GE3 sib417ed.pdf
Hersteller: VISHAY
SIB417EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB422EDK-T1-GE3 sib422edk.pdf
Hersteller: VISHAY
SIB422EDK-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB433EDK-T1-GE3 sib433ed.pdf
Hersteller: VISHAY
SIB433EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB441EDK-T1-GE3 sib441edk.pdf
Hersteller: VISHAY
SIB441EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB452DK-T1-GE3 sib452dk.pdf
Hersteller: VISHAY
SIB452DK-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB456DK-T1-GE3 sib456dk.pdf
Hersteller: VISHAY
SIB456DK-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB457EDK-T1-GE3 sib457ed.pdf
Hersteller: VISHAY
SIB457EDK-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIB912DK-T1-GE3 sib912dk.pdf
Hersteller: VISHAY
SIB912DK-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC401ACD-T1-GE3 sic401abcd.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC401ACD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC401BCD-T1-GE3 sic401abcd.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC401BCD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC402ACD-T1-GE3 sic402abcd.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC402ACD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC402BCD-T1-GE3 sic402abcd.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC402BCD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC403ACD-T1-GE3 sic403abcd.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC403ACD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC403BCD-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CB1864C2C9833D1&compId=sic403a_bcd.pdf?ci_sign=865b5809b74086a658daa72acb9dbdf13c46f0b2
Hersteller: VISHAY
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; POL converter; Uin: 3÷28VDC; Uout: 0.6÷21VDC; MLP32; buck
Mounting: SMD
Case: MLP32
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...5.5V
Frequency: 0.2...1MHz
Output voltage: 0.6...21V DC
Output current: 6A
Type of integrated circuit: PMIC
Input voltage: 3...28V DC
Efficiency: 93%
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overvoltage OVP; over current OCP; overheating OTP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP
Technology: mikroBUCK®
Kind of integrated circuit: POL converter
Topology: buck
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC414CD-T1-GE3 sic414_sic424.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC414CD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIC424CD-T1-GE3 sic414_sic424.pdf
Hersteller: VISHAY
SIC424CD-T1-GE3 Voltage regulators - DC/DC circuits
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