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SIRA54DP-T1-GE3 VISHAY SIRA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA74DP-T1-GE3 VISHAY doc?77640 SIRA74DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA84BDP-T1-GE3 VISHAY SIRA84BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf SIRA90DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiRA96DP-T1-GE3 VISHAY sira96dp.pdf SIRA96DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIRB40DP-T1-GE3 VISHAY sirb40dp.pdf SIRB40DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIRC06DP-T1-GE3 VISHAY sirc06dp.pdf SIRC06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRC10DP-T1-GE3 VISHAY sirc10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Power dissipation: 27.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SiRC16DP-T1-GE3 VISHAY sirc16dp.pdf SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRC18DP-T1-GE3 VISHAY sirc18dp.pdf SIRC18DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRS700DP-T1-RE3 VISHAY SIRS700DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIS106DN-T1-GE3 VISHAY sis106dn.pdf SIS106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS108DN-T1-GE3 VISHAY SIS108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS110DN-T1-GE3 VISHAY sis110dn.pdf SIS110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS126DN-T1-GE3 VISHAY sis126dn.pdf SIS126DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS128LDN-T1-GE3 VISHAY sis128ldn.pdf SIS128LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS176LDN-T1-GE3 VISHAY sis176ldn.pdf SIS176LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS178LDN-T1-GE3 VISHAY sis178ldn.pdf SIS178LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS184DN-T1-GE3 VISHAY sis184dn.pdf SIS184DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS322DNT-T1-GE3 VISHAY sis322dnt.pdf SIS322DNT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS402DN-T1-GE3 VISHAY sis402dn.pdf SIS402DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiS406DN-T1-GE3 VISHAY sis406dn.pdf SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS407ADN-T1-GE3 VISHAY sis407adn.pdf SIS407ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS407DN-T1-GE3 VISHAY sis407dn.pdf SIS407DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS410DN-T1-GE3 VISHAY sis410dn.pdf SIS410DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS413DN-T1-GE3 VISHAY sis413dn.pdf SIS413DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS415DNT-T1-GE3 VISHAY sis415dnt.pdf SIS415DNT-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS427EDN-T1-GE3 VISHAY sis427edn.pdf SIS427EDN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS429DNT-T1-GE3 VISHAY sis429dnt.pdf SIS429DNT-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS434DN-T1-GE3 VISHAY sis434dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 17.6A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 17.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIS435DNT-T1-GE3 VISHAY sis435dnt.pdf SIS435DNT-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SiS438DN-T1-GE3 VISHAY sis438dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 17.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIS443DN-T1-GE3 SIS443DN-T1-GE3 VISHAY sis443dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2524 Stücke:
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SIS444DN-T1-GE3 VISHAY sis444dn.pdf SIS444DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS447DN-T1-GE3 VISHAY sis447dn.pdf SIS447DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS454DN-T1-GE3 VISHAY sis454dn.pdf SIS454DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS4604LDN-T1-GE3 VISHAY sis4604ldn.pdf SIS4604LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS4608LDN-T1-GE3 VISHAY sis4608ldn.pdf SIS4608LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS468DN-T1-GE3 VISHAY sis468dn.pdf SIS468DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS472ADN-T1-GE3 VISHAY sis472adn.pdf SIS472ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS472BDN-T1-GE3 VISHAY sis472bdn.pdf SIS472BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA32DP-T1-RE3 sira32dp.pdf
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SIRA36DP-T1-GE3 sira36dp.pdf
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SIRA36DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA50ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIRA50DP-T1-RE3 sira50dp.pdf
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SIRA50DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIRA52ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIRA52DP-T1-GE3 sira52dp.pdf
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SIRA52DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA54DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SIRA54DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA58ADP-T1-RE3 sira58adp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA58ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIRA58DP-T1-GE3 sira58dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA58DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA60DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA62DP-T1-RE3 sira62dp.pdf
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SIRA62DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIRA64DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA72DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA74DP-T1-GE3 doc?77640
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SIRA74DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA80DP-T1-RE3 sira80dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA80DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIRA84BDP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SIRA84BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA84DP-T1-GE3 sira84dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA84DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA88BDP-T1-GE3 sira88bdp.pdf
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SIRA88BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiRA88DP-T1-GE3 sira88dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA88DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA90DP-T1-GE3 sira90dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA90DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA90DP-T1-RE3 sira90dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRA90DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SiRA96DP-T1-GE3 sira96dp.pdf
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SIRA96DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
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SIRB40DP-T1-GE3 sirb40dp.pdf
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SIRB40DP-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIRC06DP-T1-GE3 sirc06dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRC06DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRC10DP-T1-GE3 sirc10dp.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET + Schottky
Power dissipation: 27.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 36nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 150A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
Hersteller: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRC18DP-T1-GE3 sirc18dp.pdf
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SIRC18DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRS700DP-T1-RE3
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SIRS700DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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SIS106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS108DN-T1-GE3
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SIS110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS126DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS128LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS176LDN-T1-GE3 sis176ldn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS176LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS178LDN-T1-GE3 sis178ldn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS178LDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS184DN-T1-GE3 sis184dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS184DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS322DNT-T1-GE3 sis322dnt.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS322DNT-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS402DN-T1-GE3 sis402dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS402DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2984 Stücke:
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Anzahl Preis
70+1.03 EUR
107+0.67 EUR
112+0.64 EUR
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Hersteller: VISHAY
SIS407ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 17.6A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 17.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 17.5W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIS443DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
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